ACT- E128K32高速
4兆位EEPROM多芯片模块
特点
包
■
组织为128K ×32
●
用户
电路科技
www.aeroflex.com
■
在一个MCM 4低功耗128K ×8 EEPROM模
■
包装 - 密封陶瓷
可配置为256K ×16或512K ×8
■
CMOS和TTL兼容输入和输出
■
对120140150 ， 200 ， 250& 300ns的访问时间
■
+ 5V ± 10 ％电源
■
自动页写操作
■
页写周期时间： 10ms以下
■
数据保留十年最低
■
低功耗CMOS
■
数据轮询写入检测结束
■
工业标准管脚引出线
66引脚， 1.08" X 1.08" X 0.160" PGA型，无肩，
艾法斯代码＃ "P3"
●
66引脚， 1.08" X 1.08" X 0.185" PGA型，
肩，艾法斯代码＃ "P7"
●
68铅， 0.88" X 0.88" X 0.200"双腔小
大纲鸥翼，艾法斯代码＃ "F2"
（滴进
68引脚JEDEC .99"SQ CQFJ足迹）
●
■
MIL -PRF- 38534标准提供的MCM
■
硬件和软件数据保护
■
内部去耦电容的低噪声
手术
■
商用，工业和军用温度
范围
■
SMD ＃ 5962-94585发布（ P7 & F2 ）
概述
框图 - PGA型封装（ P3 ， P7 ） & CQFP （ F2 ）
在ACT - E128K32是高
速度快， 4兆， CMOS
EEPROM多芯片模块
（ MCM ）设计的全
温度范围内的军事，
空间，或高可靠性
应用程序。 MCM的可
组织成256K ×16位
或512K ×8位的设备，是
输入和输出CMOS和
TTL兼容。写作
当被执行时，写使能
（ WE）和芯片使能（ CE ）
输入为低，输出
使能（OE ）为高。阅读是
完成时，我们会为高
和CE和OE都很低。
ACCESS
时
等级
of
120 ， 140 ， 150 ，200， 250 & 300纳秒
是标准的。
该
ACT–E128K32
is
包装在一个选择
气密密封的共烧
陶瓷封装， 66引脚，
1.08"平方米PGA或68领先， 0.88"
平方鸥翼式CQFP 。该装置
工作在温度
范围为-55 ° C至+ 125 ° C和
军事环境。
WE
1
CE
1
WE
2
CE
2
WE
3
CE
3
WE
4
CE
4
A
0
– A
16
OE
128Kx8
128Kx8
128Kx8
128Kx8
8
8
8
8
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16
-
23
I / O
24-31
引脚说明
I / O
0-31
数据I / O
A
0–16
地址输入
WE
1-4
写入启用
OE
CE
1-4
V
CC
GND
OUTPUT ENABLE
芯片使
电源
地
eroflex电路技术 - 先进的多芯片模块 SCD1662 REV B 01年9月5日
绝对最大额定值
参数
工作温度
存储温度范围
所有输入电压对地
所有输出电压相对于地
电压OE和A9相对于地面
符号
T
C
T
英镑
V
G
-
-
范围
-55到+125
-65到+150
-0.6至6.25
-0.6到V
CC
+0.6
-0.6至13.5
单位
°C
°C
V
V
V
注意：超出上述"Absolute最高配置Rating"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
C
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
案例工作温度（军事）
最低
+4.5
+2.0
-0.5
-55
最大
+5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
+125
单位
V
V
V
°C
A
电容
(V
IN
= 0V ， F = 1MHz的，T
C
= 25°C)
符号
C
AD
C
OE
C
WE
(1-4)
C
CE
(1-4)
C
I
/
O
参数
A
0
– A
16
电容
输出使能容
写使能电容
芯片使能电容
I / O0 - I / O31电容
最大
50
50
20
20
20
单位
pF
pF
pF
pF
pF
DC特性
（VCC = 5.0V ， VSS = 0V ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C ，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流×32模式
工作电源电流
输出低电压
输出高电压
符号
I
LI
条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= GND到V
CC
最低
最大
10
10
250
5
0.45
单位
A
A
mA
mA
V
V
I
LO
X
32
CE = OE = V
IH
,
V
OUT
= GND到V
CC
I
CC
X
32
CE = V
IL
,
OE = V
IH
中，f = 5MHz时，
I
SB
V
OL
V
OH
CE = V
IH
， OE = V
IH
,
F = 5MHz时
I
OL
= + 2.1毫安，V
CC
= 4.5V
I
OH
= -400μA ，V
CC
= 4.5V
2.4
真值表
CE
H
L
L
X
X
X
OE
X
L
H
H
X
L
WE
X
H
L
X
H
X
模式
待机
读
写
输出禁用
写
抑制
数据I / O
高Z
数据输出
DATA IN
高Z
-
-
艾法斯电路技术
2
SCD1662 REV B 01年9月5日纽约Plainview的（ 516 ） 694-6700
AC写特性
(V
CC
= 5V, V
SS
= 0V ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
写周期时间
地址建立时间
把脉冲宽度（WE或CE ）
芯片使能建立时间
地址保持时间
数据保持时间
芯片使能保持时间
数据建立时间
输出使能建立时间
输出使能保持时间
符号
t
WC
t
AS
t
WP
t
CE
t
AH
t
DH
t
CEH
t
DS
t
OES
t
OEH
民
10
150
0
100
10
0
100
10
10
最大
10
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
A
AC阅读特点
(V
CC
= 5V, V
SS
= 0V ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C ）
读周期参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出保持从地址变更，
OE或CE
输出使能到输出有效
芯片使能或OE到高阻输出
符号
t
RC
t
加
t
ACE
t
OH
t
OE
t
DF
–120
民
120
120
120
0
0
55
70
0
0
–140
140
140
140
0
55
70
0
–150
150
150
150
0
55
70
0
–200
200
200
200
0
55
70
0
–250
250
250
250
0
85
70
0
–300
最大
300
300
300
最大最小
最大最小
最大最小
最大最小
最大最小
单位
ns
ns
ns
ns
85
70
ns
ns
页写特性
(V
CC
= 5V, V
SS
= 0V ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
写周期时间
地址建立时间
地址保持时间，见注1
数据建立时间
数据保持时间
把脉冲宽度
字节负载循环时间
写脉冲宽高
注1 - 页地址必须保持有效的写周期的持续时间。
符号
t
WC
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
WP
t
BLC
t
WPH
最低
10
100
100
10
150
最大
10
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
150
50
s
ns
艾法斯电路技术
3
SCD1662 REV B 01年9月5日纽约Plainview的（ 516 ） 694-6700
设备操作
对ACT - E128K32是一个高性能的
电可擦除可编程
只读存储器。它由四个1
兆位内存芯片和组织成
131,072由32位。该器件提供接入
120 300ns的同时功耗倍
的1.375W 。当设备被取消，
在CMOS待机电流小于5毫安。
在ACT - E128K32就像是一个静态访问
RAM为不读或写周期
需要的外部元件。该装置
包含一个128字节的页寄存器允许
同时写入最高可达128个字节。
在写周期中，地址和1
128字节的数据被内部地锁存，
释放地址和数据总线，用于其他
操作。以下写的开始
周期，该装置将自动写入
使用一个内部的定时器控制锁存的数据。
在写入周期结束时可以通过检测
I / O7数据轮询。一次写入的端
周期已被检测为一个新的接
读或写可以开始。
Aeroflex的ACT- E128K32具有附加
功能，以确保高品质和
可制造性。该器件采用内部
扩展耐力纠错和
改进的数据保持特性。一
可选的软件数据保护机制
可以防止无意
写道。
包括设置在WE线低。写
周期开始时的最后一个或者CE的或
我们变低。
从高分到低分也是我们行转型
启动内部延时定时器允许
页面模式操作。以后每次我们
之前出现高过渡到低
完成了
t
BLC
超时将重新启动
定时器从零。的操作
计时器是一样的retriggable一步法。
读
在该ACT- E128K32存储数据
存储器位置的地址确定
销。当CE和OE低， WE是
高，这一数据是存在于输出。
当CE和OE为高电平时，输出为
一个高阻抗状态。这种两线控制
防止总线争用。
A
数据轮询
在ACT - E128K32提供了数据查询
功能，它允许较快的方法
写入设备。图5示出了
时序图用于此功能。在一
字节或页写周期，企图阅读
写入将导致最后一个字节的
在I / O7写入数据的补码（对于
每个芯片） 。一旦写周期已经
完成后，真正的数据是对所有输出有效
和下一个周期可以开始。数据查询
在写入周期可以在任何时间开始。
写
写周期开始时， OE为高，
一个低脉冲是在WE或CE与CE或WE
低。地址锁存在下降
最后以先到为准CE的边缘或WE 。
该数据由CE的上升沿锁存
或者我们，以先到为准。字节写
操作将自动继续
完成。
页写操作
在ACT - E128K32具有页写
操作，使数据的一个128字节
将要写入的设备和
期间内连续负载
规划期。连续的字节可以
后的第一个相同的方式被加载
数据字节已被加载。一个内部定时器
开始一超时操作在每个写
周期。如果另一个写周期结束
内
t
BLC
或更少，一个新的超时周期
开始。每个写周期重新启动延迟
期。在写周期可以持续为
只要该间隔小于超时
期。
写周期时序
图2和图3示出了写周期时序
关系。写周期开始
地址申请，写使能和芯片
启用。芯片使能由完成
把CE为低电平。
写使能
艾法斯电路技术
4
SCD1662 REV B 01年9月5日纽约Plainview的（ 516 ） 694-6700
通常的程序是递增的至少
从A0到A6显著地址线
在每个写周期。在这种方式的一个页
多达128个字节可以在被加载到
EEPROM在突发模式开始之前
在相当长的时间编程
周期。
后
t
BLC
超时结束时，
EEPROM开始内部写周期。
在这个周期中的整个页面将是
写在同一时间。内部
编程周期是相同的，无论
存取的字节数。
具体数据以字节写操作
的特定位置。电源转换不会
复位的软件写保护。
EEPROM的每个128K字节的块具有
独立写保护。一个或多个
块可被启用，而其余禁用
在任何组合。该软件写
保护防意外写入
在电源转换，或未经授权的
改性用PROM编程器。
硬件数据保护
这些功能防止意外
写入到ACT - E128K32 。这些都是
包括在正常，以提高可靠性
操作：
A） Vcc的感觉
而低于3.8V典型的写周期
被禁止。
b）将抑制
控股OE低， CE或WE
抑制高写周期。
C）噪声滤波器
在WE或CE <10ns （典型值）的脉冲
不会启动写周期。
A
软件数据保护
软件写保护功能，可
启用或由用户禁用。当
由运艾法斯微电子，中
ACT- E128K32具有禁用该功能。
写访问设备是不受限制的。
为了使软件写保护功能，用户
写三个接入代码的字节到三
特殊的内部位置。
一旦写
保护已启用，每次写
EEPROM中必须使用相同的3字节
写序列以允许写入。写
保护功能可以通过一个6被禁用
艾法斯电路技术
5
SCD1662 REV B 01年9月5日纽约Plainview的（ 516 ） 694-6700
QQ：2880707522 复制
