ACT- F2M32A高速64兆
扇区擦除
闪存多芯片模块
特点
电路科技
www.aeroflex.com/act1.htm
s
就绪/忙输出（ RY / BY ） - 硬件方法
s
在一个4低电压/功率AMD 2M ×8的FLASH模
MCM封装
s
整体配置2M ×32
s
+ 5V电源/ + 5V编程操作
s
90 ， 120和150 ns访问时间
s
擦除/编程周期 - 最低10万
s
扇区擦除架构（每个模具）
q
每64千字节32部门制服
q
扇区的任何组合可以被擦除。还
支持整片擦除
q
行业组保护是用户自定义
s
嵌入式擦除Algorithims - 自动
预先计划和擦除芯片或任何部门
s
嵌入式程序Algorithims - 自动
在指定地址的程序和数据验证
检测编程或擦除周期完成
s
硬件复位引脚 - 复位内部状态机
到读模式
s
擦除挂起/恢复 - 支持阅读或
编程数据到一个部门不被擦除
s
包装 - 密封陶瓷
q
68铅， 0.94" X 0.94" X 0.140"单腔小
大纲鸥翼，艾法斯代码＃ "F18"
（滴进
68引脚JEDEC .99"SQ CQFJ足迹）
s
内部去耦电容的低噪声
手术
s
商用，工业和军用温度
范围
s
MIL -PRF- 38534标准提供的MCM
引脚说明
框图 - CQFP （ F18 ）
标准CON组fi guration
CE
1
RESET
WE
OE
A
0
–
A
20
RY / BY
2Mx8
8
I / O
0-7
2Mx8
8
I / O
8-15
2Mx8
8
I / O
16-23
2Mx8
8
I / O
24-31
CE
2
CE
3
概述
利用AMD的扇区擦除
FL灰
内存
死了，
该
ACT- F2M32A是一种高速，
64
兆
CMOS
FL灰
多芯片
模块
（ MCM ）
专为全温度
范围，军用，太空，或高
可靠性的应用。
在ACT- F2M32A由
四个高性能AMD
Am29F016的16Mbit （ 16777216
位）内存芯片。每个死
包含8个单独写或
抹去
扇形
群体
of
256k位（一个扇区组
由4个相邻的扇区
64K字节每个） 。
命令寄存器是
写的把我们给一个逻辑
低电平（V
IL
），而CE是低
和OE为高电平（V
IH
)
。阅读是
通过芯片来完成启用
（ CE）和输出使能（ OE ）
逻辑上活跃。访问
的为90ns ， 120ns的时间和成绩
为150ns最大为标准。
I / O
0-31
CE
4
A
0–20
WE
CE
1-4
OE
RY / BY
RESET
V
CC
GND
NC
数据I / O
地址输入
写入启用
芯片使
OUTPUT ENABLE
就绪/忙
RESET
电源
地
没有连接
框图 - CQFP （ F18 ）
可选CON组fi guration
WE
1
CE
1
WE
2
CE
2
WE
3
CE
3
WE
4
CE
4
RESET
OE
A
0
–
A
20
引脚说明
I / O
0-31
A
0–20
WE
1-4
CE
1-4
OE
2Mx8
2Mx8
2Mx8
2Mx8
RESET
V
CC
8
I / O
0-7
8
I / O
8-15
8
I / O
16-23
8
I / O
24-31
GND
NC
数据I / O
地址输入
写使能
芯片使
OUTPUT ENABLE
RESET
电源
地
没有连接
eroflex电路技术 - 先进的多芯片模块 SCD1666A REV A 97年9月12日
概述，续
,
对ACT - F2M32A被包装在密封的共烧陶瓷68铅， 0.94"
SQ陶瓷鸥翼型CQFP封装。这使得在军事环境下的操作
温度范围为-55 ° C至+ 125°C 。
在ACT- F2M32A可以编程（读取和写入功能）使用系统
在+ 5.0V V
CC
电源。一个12.0V V
PP
不要求进行编程或擦除
操作。编程或擦除的结束是由RY / BY引脚的数据轮询检测
DQ7 ，或者通过切换位（ DQ6 ） 。
在ACT- F2M32A也有一个硬件复位引脚。当该引脚为低电平，
执行任何嵌入式程序Alggorithm或嵌入式擦除算法会
终止。
每个块可独立擦除和编程100,000次在+ 25 ℃。
有关的Am29F016扇区擦除闪存的操作详细信息
内存，请参阅AMD数据表（ 18805出版） 。
艾法斯电路技术
2
SCD1666A REV A 97年9月12日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
绝对最大额定值
参数
案例工作温度范围
存储温度范围
相对于GND的电压（除A所有引脚
9)
(1)
引脚上的电压
9,
OE ， RESET
(3)
(2)
范围
-55到+125
-65到+150
-2.0到+7.0
-2.0至13.5
-2.0到+7.0
200
单位
°C
°C
V
V
V
mA
VCC电源电压相对于地
(1)
输出短路电流
注意事项：
1.最小直流电压为-0.5V输入/输出引脚。在转换过程中，输入可能下冲GND为-2.0V的时间高达20ns的。在最大直流电压
输入/输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为周期最多为20ns 。
2.在最小直流输入电压
9
， OE ， RESET引脚为-0.5V 。在电压转换，A
9
， OE & RESET可能会过冲GND为-2.0V的时间高达20ns的。
上的最大直流输入电压
9
为+ 12.5V可能过冲，以14V为周期最多为20ns 。
3.没有一个以上的输出短路到地为不超过1秒以上。
注意：超出上述"Absolute最高配置Rating"可能会对设备造成永久性损坏。这些压力额定值只;实用
超出"Operation Conditions"操作不推荐并延长曝光超出"Operation Conditions"可能影响器件的可靠性。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
C
参数
5V电源电压（ 10 ％ ）
输入高电压（ CMOS ）
输入低电压
工作温度（军事）
最低
+4.5
0.7× V
CC
-0.5
-55
最大
+5.5
V
cc
+ 0.3
+0.8
+125
单位
V
V
V
°C
电容
（ F = 1MHz的，T
C
= 25 ° C，标准配置）
符号
C
AD
C
OE
C
CE
C
RESET
C
WE
C
RY
/
BY
C
I
/
O
参数
A0 - A20电容
OE电容
CE电容
RESET电容
WE电容
RY / BY电容
I / O0 - I / O31电容
最大
50
50
20
50
60
50
20
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
电容设计保证，但未经测试。
直流特性 - CMOS兼容
(T
C
= -55 ° C至+ 125°C ，V
CC
= + 4.5V至+ 5.5V ，除非另有说明）
参数
输入负载电流
A9漏电流
输出漏电流
VCC读操作工作电流
VCC主动编程/擦除电流
(1)
VCC待机电流
VCC待机电流（复位）
输出低电压
输出高电压
符号
I
IL
I
点亮
I
LO
I
CC
1
I
CC
2
I
CC
3
I
CC
4
V
OL
V
OH
1
V
OH
2
条件
V
CC
= V
CC
最大，V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= V
CC
最大， A9 = + 12V
V
CC
= V
CC
最大，V
IN
= GND到V
CC
CE = V
IL
， OE = V
IH
CE = V
IL
， OE = V
IH
V
CC
= V
CC
最大， CE = RESET = V
CC
± 0.3V
V
CC
= V
CC
最大，RESET = V
CC
± 0.3V
V
CC
= V
CC
分钟，我
OL
= 12毫安
V
CC
= V
CC
分钟，我
OH
= -2.5毫安
V
CC
= V
CC
分钟，我
OH
= -100 A
民
最大
10
50
10
160
240
4
4
0.45
单位
A
A
A
mA
mA
mA
mA
V
V
V
0.85 x
V
CC
V
CC
-
0.4V
3.2
4.2
低V
CC
锁定电压
注意事项：
1.不100 ％测试。
艾法斯电路技术
V
LKO
V
3
SCD1666A REV A 97年9月12日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
AC特征 - 写/擦除/编程操作 - 我们控制
(T
C
= -55 ° C至+ 125°C ，V
CC
= + 4.5V至+ 5.5V ，除非另有说明）
参数
参数
写周期时间
地址设置到我们要低
从CE高地址保持时间
数据建立到我们要高
数据保持时间从WE高
输出使能保持时间
阅读恢复时间之前写
（ OE高到WE低）
我们从低CE建立时间
我们从高CE保持时间
WE脉冲宽度
WE脉冲宽度高
字节编程操作
扇区擦除操作
V
CC
建立时间
上升时间到V
ID
OE建立时间我们主动
复位脉冲宽度
编程/擦除有效期至RY / BY
延迟
注意事项：
1.不100 ％测试。
参数
符号
JEDEC
t
AVAV
t
AVWL
t
WLAX
t
DVWH
t
WHDX
90ns
民
90
0
45
45
0
0
10
最大
120ns
民
120
0
50
50
0
0
10
0
0
0
50
20
8
最大
150ns
民
150
0
50
50
0
0
10
0
0
0
50
20
8
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
15
50
500
4
500
60
美国证券交易委员会
s
ns
s
ns
ns
符号
标准
t
WC
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
读
触发位I和数据查询
t
OEH
t
GHWL
t
CS
t
CH
t
WP
t
WPH
t
万好万家
1
t
万好万家
2
t
VCS
t
VIDR
t
GHWL
t
ELWL
t
WHEH
t
WLWH
t
WHWL
t
万好万家
1
t
万好万家
2
0
0
0
45
20
8
15
50
500
4
500
40
15
50
500
4
500
50
t
规划厅
t
RP
t
忙
交流特性 - 只读操作
(T
C
= -55 ° C至+ 125°C ，V
CC
= + 4.5V至+ 5.5V ，除非另有说明）
参数
参数
读周期时间
(1)
参数
符号
JEDEC
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
0
90ns
民
90
90
90
40
20
20
最大
120ns
民
120
120
120
50
30
0
0
30
最大
150ns
民
150
150
150
55
35
0
0
35
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
20
s
符号
标准
t
RC
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
t
准备
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
CE到输出中高Z
(1)
OE为高Z输出
(1)
从地址， CE或OE变化输出保持，以先到为准
第一次
复位低阅读模式
(1)
注意事项：
1.不100 ％测试。
20
20
艾法斯电路技术
4
SCD1666A REV A 97年9月12日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
AC特征 - 写/擦除/编程操作 - CE控制
(T
C
= -55 ° C至+ 125°C ，V
CC
= + 4.5V至+ 5.5V ，除非另有说明）
参数
参数
写周期时间
(1)
地址设置到CE走出低
从CE低地址保持时间
数据建立到CE变为高电平
数据保持时间从CE高
输出使能设置时间
(1)
参数
符号
JEDEC
t
AVAV
t
AVEL
t
ELAX
t
DVEH
t
EHDX
90ns
民
90
0
45
45
0
0
0
10
最大
120ns
民
120
0
50
50
0
0
0
10
0
0
0
50
20
8
最大
150ns
民
150
0
50
50
0
0
0
10
0
0
0
50
20
8
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
15
美国证券交易委员会
符号
标准
t
WC
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
OES
读
触发位I和数据查询
t
OEH
t
GHEL
t
WS
t
WH
t
CP
t
CPH
t
万好万家
1
t
万好万家
2
输出使能保持时间
(1)
阅读恢复时间之前写
（ OE高到WE低）
我们从低CE建立时间
我们认为，从时间CE高
WE脉冲宽度
WE脉冲宽度高
字节编程操作
扇区擦除操作
注意事项：
1.不100 ％测试。
t
GHEL
t
WLEL
t
EHWH
t
ELEH
t
ELEL
t
万好万家
1
t
万好万家
2
0
0
0
45
20
8
15
15
艾法斯电路技术
5
SCD1666A REV A 97年9月12日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
QQ：2880707522 复制
