ACT- F1M32高速32兆
BOOT BLOCK
闪存多芯片模块
特点
www.aeroflex.com/act1.htm
s
s
s
s
s
电路科技
s
在一个4低电压/功率的英特尔1M ×8的FLASH模
MCM封装
s
整体配置1M ×32
s
+ 5V工作电压（标准）或+ 3.3V （咨询工厂）
s
80 ， 100和120 ns访问时间（ 5V V
CC
)
s
+ 5V或+ 12V编程
s
擦除/编程周期
q
100000商业
q
000名军事和工业
s
部门架构（每个模具）
q
一个16K受保护的引导块（底
BOOT BLOCK
标准，顶部引导块特殊订货）
q
两个8K参数块
q
一个96K主座
q
七128K主块
单块擦除（设置为1的所有位）
硬件数据保护功能
独立的引导块锁定
MIL -PRF- 38534标准提供的MCM
包装 - 密封陶瓷
q
68铅， 0.94" X 0.94" X 0.180"双腔小
大纲鸥翼，艾法斯代码＃ "F14"
（滴进
68引脚JEDEC .99"SQ CQFJ足迹）
s
内部去耦电容的低噪声
手术
s
商用，工业和军用温度
范围
框图 - CQFP （ F14 ）
标准CON组fi guration
CE
1
WP
WE
OE
A
0
–
A
19
RP
1Mx8
1Mx8
1Mx8
1Mx8
CE
2
CE
3
引脚说明
I / O
0-31
CE
4
A
0–19
WE
CE
1-4
OE
WP
RP
V
CC
数据I / O
地址输入
写入启用
芯片使
OUTPUT ENABLE
写保护
复位/掉电
电源
地
没有连接
概述
利用英特尔的SmartVoltage
BOOT BLOCK FLASH MEMORY
SmartDie ， ACT- F1M32是
高速， 32兆位的CMOS
闪光灯多芯片模块（MCM）
专为全温度
范围内的军事，空间，或高
可靠性的应用。
在ACT- F1M32由
四个高性能的英特尔
X28F800BV 8兆位（ 8,388,608
位）内存芯片。每个死
包含单独擦除
块，包括一个硬件
上锁的引导块（ 16,384
字节），两个参数块
（每8,192个字节） ，和8个主
的98,304块（1块
字节和7块
131,072字节），它定义了
BOOT
块
FL灰
家庭
体系结构。
命令寄存器是
写的把我们给一个逻辑
低电平（V
IL
），而CE是低
和OE为高电平（V
IH
)
。阅读是
8
I / O
0-7
8
I / O
8-15
8
I / O
16-23
8
I / O
24-31
GND
NC
框图 - CQFP （ F14 ）
可选CON组fi guration
WE
1
CE
1
WE
2
CE
2
WE
3
CE
3
WE
4
CE
4
RP
OE
A
0
–
A
19
引脚说明
I / O
0-31
A
0–19
WE
1-4
CE
1-4
OE
1Mx8
1Mx8
1Mx8
1Mx8
RP
V
CC
8
I / O
0-7
8
I / O
8-15
8
I / O
16-23
8
I / O
24-31
GND
NC
数据I / O
地址输入
写使能
芯片使
OUTPUT ENABLE
复位/掉电
电源
地
没有连接
eroflex电路技术 - 先进的多芯片模块 SCD1661B REV A 97年1月16日
概述，续
,
通过芯片来完成使能（ CE）和
输出使能（ OE ）是逻辑上活跃。
的80ns的， 100ns的访问时间和成绩
120ns的最大的是标准。
对ACT - F1M32封装在一个
气密密封的共烧陶瓷68
铅， 0.94" SQ陶瓷鸥翼型CQFP
封装。这使得在一次军事行动
-55 ℃的环境温度范围
+125°C.
在ACT- F1M32提供程序和
擦除功能为5V或12V ，允许
与读取的Vcc为5V或3.3V （未测试） 。
由于许多设计从闪存读取
存储器的时间的很大比例，
使用3.3V可提供读操作
大国的储蓄。请咨询厂家
3.3V测试部分。在应用中
读取性能是至关重要的，更快的访问
时间与5V V获得
CC
部分
详细本文。
对于编程和擦除操作， 5V
Vpp的操作，无需在
系统电压转换器。在12V Vpp的
操作提供了减小的（约60％）
编程和擦除时间，其中12V为
可在系统中。设计
简单起见，然而，连接Vcc和Vpp的
到相同的5V±10％源。
每个块可独立
擦除和编程100000次
商业级温度或10,000次
扩展温度。
引导块位于任
底部（标准）或顶部（特别
秩序，地址映射到）
适应不同的微处理器
协议启动代码的位置。锁定
和引导块的解锁控制
WP和/或RP 。
英特尔的引导块架构提供了一个
对于不同的设计灵活的解决方案
各种应用的需要。该
非对称受阻
内存
地图
允许多个内存的集成
组件集成到一个单一的闪光装置。该
引导块提供了一个安全的启动PROM ;
参数块可以模拟
参数EEPROM存储功能
用适当的软件技术;和
主块提供的代码和数据的存储
访问时间足够快执行
CODE
in
的地方，
减少
内存
要求。
有关的详细信息
在28F800BV内存的操作不行了，
看到英特尔数据表（订单号
290539-002).
SmartDie 是英特尔公司的注册商标
艾法斯电路技术
2
SCD1661B REV A 97年1月16日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
绝对最大额定值
参数
案例工作温度范围
存储温度范围
在任一引脚相对于GND （除V电压
CC
, V
PP
, A
9
和RP ）
(1)
引脚上的电压
9
或者RP相对于GND （除V
CC
, V
PP
, A
9
和RP ）
(1,2)
V
PP
编程电压相对于GND在块擦除/和字/字节写
(1,2)
VCC电源电压相对于地
(1)
输出短路电流
(3)
范围
-55到+125
-65到+150
-2.0到+7.0
-2.0至13.5
-2.0至14.0
-2.0到+7.0
100
单位
°C
°C
V
V
V
V
mA
注意事项：
1.最小直流电压为-0.5V输入/输出引脚。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V的时期<为20ns 。输入/输出最大直流电压
引脚为VCC + 0.5V ，这可能会过冲至Vcc + 2.0V的时期<为20ns 。
在2 Vpp的最大直流电压过冲至+ 14.0V的时期<为20ns 。在RP或最大直流电压
9
可能会过冲至V
CC
+ 0.5V的时期<20nS
3.输出短路时间不超过1秒。不超过一个的输出短路，在同一时间。
注意：超出上述"Absolute最高配置Rating"上市可能会造成永久性的损害。这些压力额定值只。操作超出了"Oper-
ATION Conditions"是不建议长期暴露超出了"Operation Conditions"可能影响器件的可靠性。
推荐工作条件
符号
V
CC
参数
5V电源电压（ 10 ％ ）
3.3V电源电压（ ± 0.3V ） （咨询厂家）
V
IH
V
IL
T
A
输入高电压（ 3.3V & 5V V
CC
)
输入低电压（ 3.3V & 5V V
CC
)
工作温度（军事）
最低
+4.5
+3.0
+2.0
-0.5
-55
最大
+5.5
+3.6
V
cc
+ 0.5
+0.8
+125
单位
V
V
V
V
°C
电容
（ F = 1MHz的，T
A
= 25°C)
符号
C
AD
C
OE
C
CE
C
RP
C
WE
C
WP
C
I
/
O
参数
A0 - A19电容
OE电容
CE电容
RP电容
WE电容
WP电容
I / O0 - I / O31电容
最大
50
50
20
50
60
50
20
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
电容设计保证，但未经测试。
直流特性 - CMOS兼容
(T
A
= -55 ° C至+ 125°C ，V
CC
= + 4.5V至+ 5.5V （ 5V操作） ，或+ 3.0V至+ 3.6V （ 3.3V操作） ，除另有规定外）
+3.3V V
CC
(1)
参数
输入负载电流
输出漏电流
VCC待机电流
VCC深度掉电电流
VCC读取电流
VCC写入电流
符号
I
IL
I
LO
I
CCS
I
CCD
I
CCR
I
CCW
1
I
CCW
2
VCC擦除电流
I
CCE
1
I
CCE
2
VCC擦除挂起电流
V
PP
待机电流
艾法斯电路技术
+5.0V V
CC
标准
民
-1
-10
最大
+1
+10
600
32
260
200
180
180
160
48
60
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
单位
条件
V
CC
= V
CC
最大，V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= V
CC
最大，V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
= V
CC
最大， CE = RP = WP = V
CC
± 0.2V
V
CC
= V
CC
最大，V
IN
= V
CC
或GND ， RP = GND ± 0.2V
V
CC
= V
CC
最大， CE = GND ， F = 10MHz时（ 5V ） ，为5MHz （ 3.3V ） ，
I
OUT
= 0毫安，输入= GND ± 0.2V或V
CC
± 0.2V
V
PP
= V
PPH
1
（在5V ） ，字写在进步（ X32 ）
V
PP
= V
PPH
2
（在12V ） ，字写在进步（ X32 ）
V
PP
= V
PPH
1
（在5V ） ，块擦除进展
V
PP
= V
PPH
2
（在12V ） ，块擦除进展
CE = V
IH
，块擦除挂起
V
PP
＆ LT ; V
PPH
2
3
典型
民
-1
-10
最大
+1
+10
440
32
120
120
100
120
100
32
60
I
CCES
I
PPS
SCD1661B REV A 97年1月16日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
直流特性 - CMOS兼容
(T
A
= -55 ° C至+ 125°C ，V
CC
= + 4.5V至+ 5.5V （ 5V操作） ，或+ 3.0V至+ 3.6V （ 3.3V操作） ，除另有规定外）
+3.3V V
CC
(1)
参数
V
PP
深度掉电电流
V
PP
读电流
V
PP
写入电流
符号
I
PPD
I
PPR
I
PPW
1
I
PPW
2
V
PP
擦除电流
I
PPE
1
I
PPE
2
V
PP
擦除挂起电流
RP引导块解锁电流
输出低电压
输出高电压
I
PPES
I
RP
V
OL
V
OH
1
V
OH
2
V
PP
锁定电压
V
PP
（编程/擦除操作）
V
PP
（编程/擦除操作）
V
CC
擦/写锁电压
RP解锁电压
V
PPLK
V
PPH
1
V
PPH
2
V
LKO
V
HH
RP = GND ±0.2V
V
PP
＆ GT ; V
PPH
2
V
PP
= V
PPH
1
（在5V ） ，字写在进步（ X32 ）
V
PP
= V
PPH
2
（在12V ） ，字写在进步（ X32 ）
V
PP
= V
PPH
1
（在5V ） ，块擦除进展
V
PP
= V
PPH
2
（在12V ） ，块擦除进展
V
PP
= V
PPH
,
块擦除挂起进展
RP = V
HH
, V
PP
= 12V
V
CC
= V
CC
分钟，我
OL
= 5.8毫安（ 5V ） ，2个硕士（ 3.3V ）
V
CC
= V
CC
分钟，我
OH
= -2.5毫安
V
CC
= V
CC
分钟，我
OH
= -100 A
完整的写保护
V
PP
= 5V时
V
PP
= 12V时
锁定状态
引导块写入/擦除，V
PP
= 12V
0.85 x
V
CC
V
CC
-
0.4V
0.0
4.5
11.4
0
11.4
1.5
5.5
12.6
2.0
12.6
条件
典型
民
最大
40
800
120
100
120
100
800
2
0.45
+5.0V V
CC
标准
民
最大
40
800
120
100
100
80
800
2
0.45
0.85 x
V
CC
V
CC
-
0.4V
0.0
4.5
11.4
0
11.4
1.5
5.5
12.6
2.0
12.6
A
A
mA
mA
mA
mA
A
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
单位
注意事项：
在V 1.性能
CC
= + 4.5V至+ 5.5V的保证。在V性能
CC
= + 3.3V是典型的（未测试） 。
AC特征 - 写/擦除/编程操作 - 我们控制
(T
A
= -55 ° C至+ 125°C ，V
CC
= + 4.5V至+ 5.5V （ 5V操作） ，或+ 3.0V至+ 3.6V （ 3.3V操作） ，除另有规定外）
符号
参数
JEDEC
标准
t
AVAV
t
PHWL
t
ELWL
t
PHHWH
t
VPWH
t
AVWH
t
DVWH
t
WLWH
t
WHDX
t
WHAX
t
WHEH
t
WHWL
t
WHQV
1
t
WHQV
2
t
WHQV
3
t
WHQV
4
+3.3V V
CC
典型
120nS
最小最大
120
1.5
0
200
200
90
70
90
0
0
0
30
6
0.3
0.3
0.6
0
0
(2)
+ 4.5V至+ 5.5V的V
CC
80nS
最小最大
80
.45
0
100
100
60
60
60
0
0
0
20
6
0.3
0.3
0.6
0
0
100nS
最小最大
100
.45
0
100
100
60
60
60
0
0
0
20
6
0.3
0.3
0.6
0
0
100
100
120nS
最小最大
120
.45
0
100
100
60
60
60
0
0
0
20
6
0.3
0.3
0.6
0
0
100
nS
S
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
S
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
nS
nS
nS
单位
写周期时间
RP高价回收到我们要低
CE安装到我们要低
引导块解锁安装到我们要高
(1)
V
PP
安装程序我们要高
(1)
地址设置到我们要高
数据建立到我们要高
WE脉冲宽度
数据保持时间从WE高
我们从高地址保持时间
我们从高CE保持时间
WE脉冲宽度高
的字写操作的持续时间
(1)
(x32)
擦除操作（启动）的持续时间
(1)
擦除操作的持续时间（参数）
(1)
擦除操作的持续时间（主）
(1)
V
PP
从有效SRD举行
(1)
RP V
HH
从有效SRD举行
(1)
引导块锁定延迟
(1)
t
QVVL
t
QVPH
t
PHBR
200
注意事项：
1.由设计保证，未经测试。
在V 2.性能
CC
= + 4.5V至+ 5.5V的保证。在V性能
CC
= + 3.3V是典型的（未测试） 。
艾法斯电路技术
4
SCD1661B REV A 97年1月16日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
AC特征 - 写/擦除/编程操作，CE控制
(T
A
= -55 ° C至+ 125°C ，V
CC
= + 4.5V至+ 5.5V （ 5V操作） ，或+ 3.0V至+ 3.6V （ 3.3V操作） ，除另有规定外）
符号
参数
JEDEC
标准
t
AVAV
+3.3V
V
CC
(2)
典型
120nS
最小最大
120
1.5
0
200
200
90
70
90
0
0
0
20
6
0.3
0.3
0.6
0
0
200
80nS
+ 4.5V至+ 5.5V的V
CC
单位
100nS
最小最大
100
.45
0
100
100
60
60
60
0
0
0
20
6
0.3
0.3
0.6
0
0
100
100
120nS
最小最大
120
.45
0
100
100
60
60
60
0
0
0
20
6
0.3
0.3
0.6
0
0
100
nS
S
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
S
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
nS
nS
nS
最小最大
80
.45
0
100
100
60
60
60
0
0
0
20
6
0.3
0.3
0.6
0
0
写周期时间
RP高价回收到CE低
我们安装到CE走出低
引导块解锁安装程序CE变为高电平
V
PP
安装程序CE变为高电平
(1)
地址设置到CE变为高电平
数据建立到CE变为高电平
CE脉冲宽度
数据保持时间从CE高
从CE高地址保持时间
我们认为，从时间CE高
CE脉冲宽高
的字写操作的持续时间
(1)
(1)
t
PHEL
t
WLEL
t
PHHEH
t
VPEH
t
AVEH
t
DVEH
t
ELEH
t
EHDX
t
EHAX
t
EHWH
t
EHEL
(x32)
(1)
t
EHQV
1
t
EHQV
2
t
EHQV
3
t
EHQV
4
t
QVVL
t
QVPH
t
PHBR
擦除操作（启动）的持续时间
(1)
擦除操作的持续时间（参数）
擦除操作的持续时间（主）
V
PP
从有效SRD举行
(1)
RP V
HH
从有效SRD举行
(1)
引导块锁定延迟
(1)
(1)
注意事项：
1.采样，而不是100 ％测试。
在V 2.性能
CC
= + 4.5V至+ 5.5V的保证。在V性能
CC
= + 3.3V是典型的（未测试） 。
交流特性 - 只读操作
(T
A
= -55 ° C至+ 125°C ，V
CC
= + 4.5V至+ 5.5V （ 5V操作） ，或+ 3.0V至+ 3.6V （ 3.3V操作） ，除另有规定外）
符号
参数
JEDEC
标准
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
PHQV
t
GLQV
t
ELQX
t
EHQZ
t
GLQX
t
GHQZ
t
OH
+3.3V
V
CC
(2)
典型
120nS
最小最大
120
120
120
1.5
65
0
55
0
45
0
0
0
30
0
30
80nS
最小最大
80
80
80
+ 4.5V至+ 5.5V的V
CC
单位
100nS
最小最大
100
100
100
.45
40
0
30
0
30
0
0
0
30
0
30
120nS
最小最大
120
120
120
.45
40
nS
nS
nS
S
nS
nS
nS
nS
nS
nS
读周期时间
地址输出延迟
CE到输出延迟
RP到输出延迟
OE为输出延迟
行政长官在低Z输出
(1)
CE到输出中高Z
(1)
OE在低Z输出
(1)
OE为高Z输出
(1)
从地址，CE输出保持，或OE变化，
以先到为准科幻RST
(1)
.45
40
注意事项：
1.设计保证，但未经测试。
在V 2.性能
CC
= + 4.5V至+ 5.5V的保证。在V性能
CC
= + 3.3V是典型的（未测试） 。
艾法斯电路技术
5
SCD1661B REV A 97年1月16日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
QQ：2880707522 复制
