ACT- PS512K8高速
4兆位塑料单片SRAM
塑料路径功能
低功耗单芯片CMOS 512K ×8 SRAM
s
工作温度范围
q
整个军用（ -55 ° C至+ 125°C ）
q
工业级（-40° C至+ 85°C ）
s
老化和温度循环可用
s
10 ， 12 ， 15 ， 17 ， 20 & 25ns的访问时间
s
+ 5V电源
s
工业标准管脚引出线
q
中心电源/接地引脚
s
TTL兼容的I / O
s
3.3V器件的I / O接口技术
s
JEDEC标准的36引脚塑料封装SOJ
q
36铅， 0.93" X 0.405" X 0.148小外形J引线（ SOJ ）
艾法斯代码＃ "L2"
s
全静态操作
q
无时钟或刷新要求
s
电路科技
www.aeroflex.com
A E
RO
F
LE
X
LA
C
ISO
9001
E
RT
I
F
I
E
D
框图 - SOJ （ L2 ）
CE
WE
OE
A
0
– A
18
V
ss
V
cc
512Kx8
8
概述
在ACT - PS512K8是
塑料高速， 4兆位
(4,194,304
位）
CMOS
单片SRAM组织结构
524,288字由8位。
专为高速，高
密度大，可靠性高等，质量
内存和快速缓存系统
应用程序。
塑料整体是
输入
和
产量
TTL
兼容。在执行写
当写使能（WE ）
和芯片使能（ CE ）输入是
低。读完成
当我们高， CE和
输出使能（OE ）都
低。访问时间等级
为10ns为12ns ， 15ns的，为17ns ， 20ns的
和25ns的是标准。
B
S
I
NC
.
I / O
0-7
引脚说明
I / O
0-7
A
0–18
WE
CE
OE
V
CC
V
SS
NC
数据I / O
地址输入
写使能
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
eroflex电路技术 - 先进的多芯片模块 SCD3764 REV A 98年6月2日
绝对最大额定值
符号
T
C
T
英镑
P
D
V
G
V
CC
参数
情况下的工作温度
储存温度
最大封装功耗
最大信号电压对地
电源电压
-0.5
-0.5
最低
-55
-65
最大
+125
+150
1.0
V
CC
+ 0.5
+7.0
单位
°C
°C
W
V
V
推荐工作条件
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
T
C
T
C
地
输入高电压
输入低电压
工作温度（军事）
工作温度（工业级）
参数
电源电压
最低
+4.5
0
+2.2
-0.5
-55
-40
最大
+5.5
0
V
CC
+ 0.5
+0.8
+125
+85
单位
V
V
V
V
°C
°C
真值表
模式
待机
输出禁用
读
写
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
数据I / O
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
供应
当前
I
SB
I
CC
I
CC
I
CC
电容
(V
IN
＆放大器; V
OUT
= 0V ， F = 1MHz的，T
C
= 25 ° C，除非另有说明，保证，但未经测试
)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容（A
0-18
我们& OE ）
输出电容（ I / O
0-7
& CE）
最大
6
8
单位
pF
pF
DC特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C和-40 ° C至+ 85°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
待机电流
输出低电压
输出高电压
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
SB
条件
V
CC
=最大，V
IN
= V
SS
到V
CC
CE = V
IH
， OE = V
IH
, V
OUT
= V
SS
到V
CC
CE = V
IL
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时， VCC = 5.5V
CE = V
IH
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时， VCC = 5.5V
2.4
民
-10
-10
最大
+10
+10
130
20
0.4
单位
A
A
mA
mA
V
V
V
OL
I
OL
= 8毫安， VCC = 4.5V
V
OH
I
OH
= -4毫安， VCC = 4.5V
注： DC测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= VCC - 0.3V 。
艾法斯电路技术
2
SCD3764 REV A 98年6月2日纽约Plainview的（ 516 ） 694-6700
AC特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C和-40 ° C至+ 85°C ）
读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
输出使能到输出低Z（ 1 ）
芯片取消选择到输出高Z（ 1 ）
注1：由设计保证，但未经测试
符号
–010
–012
–015
–017
–020
–025
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
10
10
10
3
5
3
0
5
5
3
0
6
6
3
6
3
0
7
7
12
12
12
3
7
3
0
7
7
15
15
15
3
8
3
0
8
8
17
17
17
4
10
3
0
10
10
20
20
20
5
12
25
25
25
单位
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
输出禁止到输出高Z（ 1 ）T
OHZ
写周期
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动（ 1 ）
写入输出高Z（ 1 ）
从时间写数据保持
注1：由设计保证，但未经测试
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW
t
WHZ
t
DH
–010
–012
–015
–017
–020
–025
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
10
7
7
5
7
0
0
3
5
0
0
12
8
8
6
8
0
0
3
6
0
15
10
10
8
10
0
0
3
7
0
17
12
12
8
12
0
0
3
8
0
20
13
13
9
13
0
0
4
8
0
25
15
15
10
15
0
0
5
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
数据保持电气特性（仅特殊订货）
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C和-40 ° C至+ 85°C ）
所有速度
典型值
0.5
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
符号
V
DR
I
CCDR1
测试条件
CE
≥
V
CC
– 0.2V
V
CC
= 3V
民
2
最大
5.5
2.0
单位
V
mA
艾法斯电路技术
3
SCD3764 REV A 98年6月2日纽约Plainview的（ 516 ） 694-6700
时序图 - SRAM
读周期时序图
读周期1 （ SCE = OE = V
IL
， SWE = V
IH
)
t
RC
A
0-18
t
AA
t
OH
D
I / O
以前的数据有效
数据有效
SCE
t
AS
SWE
t
OW
S
EE
N
OTE
写周期时序图
写周期（ SWE控制， OE = V
IH
)
t
WC
A
0-18
t
AW
t
CW
t
AH
t
WP
t
WHZ
t
DW
数据有效
t
DH
D
I / O
读周期2 （ SWE = V
IH
)
t
RC
A
0-18
t
AA
SCE
t
ACE
t
CLZ
S
EE
N
OTE
写周期（ SCE控制， OE = V
IH
)
t
WC
A
0-18
t
AW
t
CHZ
S
EE
N
OTE
t
AH
t
CW
t
AS
SCE
OE
t
WP
t
OE
t
OLZ
S
EE
N
OTE
t
OHZ
S
EE
N
OTE
SWE
t
DW
t
DH
D
I / O
高Z
数据有效
D
I / O
数据有效
未定义
不在乎
注：由设计保证，但未经测试。
AC测试电路
电流源
I
OL
AC测试条件
参数
典型
0 – 3.0
5
1.5
单位
V
ns
V
为了测试设备
C
L
= 50 pF的
V
Z
1.5 V（双极性电源供电）
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出时序参考电平
I
OH
电流源
注意事项：
1) V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。 2 ）I
OL
我
OH
可编程从0到16毫安。 3 ）阻抗测试仪
Z
O
= 75
. 4)
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
. 5) I
OL
我
OH
被调整，以模拟典型的电阻
负载电路。 6 ） ATE测试仪包括夹具电容。
艾法斯电路技术
4
SCD3764 REV A 98年6月2日纽约Plainview的（ 516 ） 694-6700
引脚数&功能
36引脚 - SOJ
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
功能
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
V
CC
V
SS
I / O
2
I / O
3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
针＃
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
功能
NC
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
4
I / O
5
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
OE
A
15
A
16
A
17
A
18
NC
封装外形"L2" - SOJ包装， 36信息
23.62 (.930)
23.37 (.920)
36
19
11.30 (.445)
11.05 (.435)
9.65 (.380)
9.14 (.360)
10.29 (.405)
10.03 (.395)
1
18
0.69 MIN
(.027)
3.76 （ 0.148 ） MAX
.43 +.10
-.05
典型值
(.017 +.004)
-.002)
0.004最大
0.95
(.037)
1.27 （典型值）
(.050)
以英寸所有尺寸
尺寸millmeters毫米
尺寸以英寸（ .XXX ）
艾法斯电路技术
5
SCD3764 REV A 98年6月2日纽约Plainview的（ 516 ） 694-6700
QQ：2880707522 复制
