ACS32MS
数据表
1998年11月
网络文件编号
4545
抗辐射四2输入或门
该抗辐射ACS32MS是四2输入或
门。对于每一个栅极，上A或B输入高电平
结果，在Y输出一个高电平。在一个低位水平
在A和B输入的结果的Y输出为低电平。所有
输入缓冲，并输出被设计用于
平衡传输延迟和转换时间。
该ACS32MS被制造在CMOS蓝宝石上硅
（ SOS ）的过程中，它提供了一个免疫单事件
闩锁和高度可靠的性能的能力
任何辐射环境。这些器件提供了显着的
功率的降低和更快的性能相比时
ALSTTL类型。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。该
订货时下列SMD号码必须使用。
详细的电气连接特定阳离子的ACS32MS是
载于SMD 5962-98624 。 “热链接”提供
在我们的主页与下载说明。
www.intersil.com/data/sm/index.asp
特点
符合MIL -PRF- 38535 QML要求QUALI网络版
1.25微米抗辐射CMOS SOS
辐射环境
- 闭锁免费在任何条件
- 总剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3×10
5
RAD （SI ）
- SEU免疫。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <1 ×10
-10
错误/位/天
- SEU LET阈值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >100MeV / （毫克/平方厘米
2
)
输入逻辑电平。 。 。 。 V
IL
= (0.3)(V
CC
), V
IH
= (0.7)(V
CC
)
输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±8mA
（分钟）
静态电源电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100μA （最大值）
传播延迟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为12ns （最大值）
应用
高速控制电路
传感器监控
低功耗设计
订购信息
订购数量
5962F9862401VCC
ACS32D/SAMPLE-03
5962F9862401VXC
ACS32K/SAMPLE-03
5962F9862401V9A
内部MKT 。 NUMBER
ACS32DMSR-03
ACS32D/SAMPLE-03
ACS32KMSR-03
ACS32K/SAMPLE-03
ACS32HMSR-03
TEMP 。 RANGE （
o
C)
-55至125
25
-55至125
25
25
包
14 Ld的SBDIP
14 Ld的SBDIP
14 Ld的扁平
14 Ld的扁平
DIE
代号
CDIP2-T14
CDIP2-T14
CDFP4-F14
CDFP4-F14
不适用
引脚配置
ACS32MS
（ SBDIP ）
顶视图
A1 1
B1 2
Y1 3
A2 4
B2 5
Y2 6
7 GND
14 V
CC
13 B4
12 A4
11 Y4
10 B3
9 A3
8 Y3
ACS32MS
（ FLATPACK ）
顶视图
A1
B1
Y1
A2
B2
Y2
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
B4
A4
Y4
B3
A3
Y3
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
ACS32MS
模具特点
DIE尺寸：
尺寸： 2390μm X 2390μm （ 94密耳X 94密耳）
厚度： 525μm
±
25微米（ 20.6密耳
±
1密耳）
焊盘： 110μm X 110μm （ 4.3× 4.3密耳）
金属化：
AL
金属1厚度： 0.7微米
±
0.1m
金属2厚度： 1.0微米
±
0.1m
衬底电位：
无偏绝缘子
钝化
类型：磷硅玻璃（ PSG ）
厚度： 1.30μm
±
0.15m
特别说明：
邦德V
CC
第一次
附加信息：
最坏情况下的电流密度： <2.0 ×10
5
A /厘米
2
晶体管数量： 116
金属掩模布局
ACS32MS
B1
(2)
A1
(1)
V
CC
(14)
B4
(13)
Y1 (3)
(12) A4
A2 (4)
(11) Y4
NC
NC
B2 (5)
(10) B3
(6)
Y2
(7)
GND
(8)
Y3
(9)
A3
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