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ACR300SG33
ACR300SG33
快速开启不对称晶闸管
取代2000年4月版， DS5081-2.2
2000 DS5081-2.4月
应用
s
电容放电
s
脉冲功率应用
特点
s
该ACR300SG33是一种高电压不对称
晶闸管具有非常快速的开启
的特点。
主要参数
V
DRM
3300V
I
T（ AV ）
660A
I
TSM
6500A
DVDT 3000V /
s
di / dt的2000A /
s
t
on
700ns
电压额定值
类型编号
重复峰值
断态电压
V
DRM
V
3300
重复峰值
反向电压
V
RRM
V
20
ACR300SG33
较低的电压等级。
外形类型代码： G.
图。 1见包详细信息以获取更多信息
电流额定值
符号
双侧冷却
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
T
意思是通态电流
有效值
连续的（直接）通态电流
半波阻性负载，T
例
= 80
o
C
T
例
= 80
o
C
T
例
= 80
o
C
660
1040
890
A
A
A
参数
条件
马克斯。
单位
单面冷却（阳极侧）
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
T
意思是通态电流
有效值
连续的（直接）通态电流
半波阻性负载，T
例
= 80
o
C
T
例
= 80
o
C
T
例
= 80
o
C
470
745
570
A
A
A
1/6
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ACR300SG33
浪涌额定值
符号
I
TSM
I
2
t
参数
浪涌（非重复）通态电流
I
2
吨融合
条件
10ms的半正弦;牛逼
例
= 125
o
C
V
R
= 0
马克斯。
6
180
单位
kA
kA
2
s
热学和机械数据
符号
参数
条件
双侧冷却
R
日（J -C ）
热阻 - 结到管壳
单面冷却
阴极DC
锁模力7.0kN
与安装复合
导通状态（导通）
T
vj
虚拟结温
反向（阻塞）
T
英镑
-
存储温度范围
锁模力
-
-55
6.0
125
125
8.0
o
分钟。
dc
阳极DC
-
-
-
-
-
-
马克斯。
0.042
0.070
0.092
0.018
0.036
150
单位
o
C / W
o
C / W
C / W
C / W
C / W
o
o
双面
单面
o
R
个（ C-H）
热电阻 - 案件散热器
o
C
C
C
o
kN
V
D
0.9× 1600V
0.37 X 1600V
t
t
d
t
r
I
G
I
摹PK
10% I
摹PK
t
图1导通时间测量
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ACR300SG33
动态特性
符号
V
TM
I
RRM
/I
DRM
dv / dt的
的di / dt
参数
最大通态电压
反向峰值和关态电流
断态电压上升率直线
率通态电流上升
条件
在1000A的峰值，T
例
= 25
o
C
在V
RRM
/V
DRM
, T
例
= 125
o
C
到V
D
= 2000V ，门开路，T
j
= 125
o
C
从V
DRM
至125A
门源30V ， 10Ω
门的上升时间= 100ns的，T
j
= 125C
在T
vj
= 125
o
C
在T
vj
= 125
o
C
V
D
= 5V ，T
j
= 25C
I
TM
= 500A ，我
T
= 5A ，T
j
= 25C
V
D
= 3000V
门源= 30V ， 10Ω
门的上升时间= 100ns的
参见图1 。牛逼
j
= 25 - 70C.
T
j
= 25C
T
j
= 70C
分钟。
-
-
3000
-
马克斯。
2.0
60
-
2000
单位
V
mA
V / μs的
A / μs的
V
T（ TO ）
r
T
I
L
I
H
t
d
阈值电压
通态斜率电阻
闭锁电流
保持电流
延迟时间
-
-
-
-
-
-
-
1.19
0.81
600
300
350
-
50
V
m
mA
mA
ns
ns
ns
t
r
上升时间
门极触发特性和额定值
符号
V
GT
I
GT
V
FGM
V
RGM
I
FGM
P
GM
P
G（ AV ）
参数
门极触发电压
门极触发电流
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
峰值功率门
平均功耗门
条件
V
DWM
= 12V ，R
L
= 6, T
例
= 25
o
C
V
DWM
= 12V ，R
L
= 6, T
例
= 25
o
C
-
-
-
-
平均时间10ms以下
前锋
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
5
500
40
10
20
40
10
单位
V
mA
V
V
A
W
W
CHIP后短路电流承载能力
在一个芯片短路的情况下，由于过剩的阳极 - 阴极
电压时，器件将处理高连续RMS故障
目前没有显著的伤害。评价详情如下：
连续电流能力： 300A RMS， AC或DC在任
方向。
条件：
1.设备单面或双面冷却。
2.案例温度在200℃以下进行。
3，一种合适的高温钳中使用。
4.芯片故障部位的电阻假设为3MΩ
±
10%.
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ACR300SG33
曲线
3500
T
j
= 125C
3000
热阻抗 - 结到管壳，R
日（J -C ）
- C /千瓦
80
阳极侧冷却
60
瞬时电流，I
T
- (A)
2500
2000
40
1500
1000
20
双侧冷却
500
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
瞬时电压，V
T
- (V)
3.5
4
0
0.001
0.01
1
0.1
时间 - （多个）
10
100
图2通态特性
图3瞬态热阻抗 - 结到管壳
1000
900
双侧冷却
800
平均电流，I
T（ AV ）
- (A)
700
600
500
阳极侧冷却
400
300
200
100
0
25
50
75
100
125
外壳温度，T
c
- (C)
150
图4平均额定电流与温度
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ACR300SG33
包详细信息
欲了解更多信息包，请联系您当地的客户服务中心。单位[mm] ，除非另有说明。
不能扩展。
2孔3.6x2.0深（在两个电极）
阴极片
阴极
58.5最大
o34时NOM
1.5
门
27.0
25.4
o34时NOM
阳极
额定起重量： 310克
锁模力： 12KN
±10%
引线长度： 420毫米
引线端子连接： M4环
包装outine型编号：G
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ACR300SG33
快速开启不对称晶闸管
2006年DS5081-2.5 JUNE （ LN24670 ）
特点
双面冷却
快速导通特性
主要参数
V
DRM
I
T（ AV ）
I
TSM
的dV / dt *
的di / dt
3300V
493A
6500A
3000V/s
2000A/s
应用
快速的电容放电
脉冲功率应用
快撬棍应用
t
on
400ns
电压额定值
第一部分和
订购
数
重复峰值
断态电压
V
DRM
V
3300
T
vj
= -40°至125°
C
C,
I
DRM
= 50mA时
V
DRM
, t
p
= 10ms时，
V
帝斯曼
=V
DRM
+ 100V
重复峰值
反向电压
V
RRM
V
20
T
vj
= -40°至125°
C
C,
I
RRM
= 50mA时
V
RRM
t
p
= 10ms时，
V
RSM
= V
RRM
+ 100V
ACR300SG33
大纲类型编号：G
（见包的详细信息以获取更多信息）
较低的电压等级。
图。 1封装外形
订购信息
订购时，选择所需的部件号
在电压等级选择表所示。
例如：
ACR300SG33
注：请使用完整的部件号订购时
并引述任何今后的对应这个号码
关于您的订单。
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ACR300SG33
半导体
电流额定值
T
例
= 80℃ ，除非另有说明
C
符号
双侧冷却
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
T
参数
测试条件
马克斯。
单位
意思是通态电流
有效值
连续的（直接）通态电流
半波阻性负载
-
-
493
774
630
A
A
A
单面冷却（阳极侧）
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
T
意思是通态电流
有效值
连续的（直接）通态电流
半波阻性负载
-
-
343
539
420
A
A
A
浪涌额定值
符号
I
TSM
It
2
参数
浪涌（非重复）通态电流
我吨融合
2
测试条件
10ms的半正弦波，T
例
= 125°
C
V
R
= 0
马克斯。
6.5
211
单位
kA
千安s
2
热学和力学额定值
符号
R
日（J -C ）
参数
热阻 - 结到管壳
测试条件
双侧冷却
单面冷却
DC
阳极DC
阴极DC
R
个（ C-H）
热电阻 - 案件散热器
锁模力7.0 ± 1KN
（带安装化合物）
T
vj
虚拟结温
导通状态（导通）
反向（阻塞）
T
英镑
F
m
存储温度范围
锁模力
双面
单面
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-55
6
马克斯。
0.042
0.070
0.092
0.018
.036
135
125
125
8
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C
°
C
°
C
kN
2/7
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ACR300SG33
半导体
动态特性
符号
V
TM
I
RRM
/I
DRM
dv / dt的
参数
最大通态电压
反向峰值和关态电流
马克斯。断态电压上升率直线
测试条件
在1000A的峰值，T
例
= 25° C
在V
RRM
/V
DRM
, T
例
= 125°
C
到V
D
= 2000V ，T
j
= 125 °门打开
C,
从V
DRM
至125A
门源30V ， 10 ，
门的上升时间t
r
≤
为100ns ，T
j
= 125°
C
分钟。
-
-
3000
马克斯。
2.0
60
单位
V
mA
V / μs的
的di / dt
率通态电流上升
2000
A / μs的
V
T（ TO ）
r
T
t
gd
阈值电压
通态斜率电阻
延迟时间
T
vj
= 125°
C
T
vj
= 125°
C
V
D
= 3000V ，门源30V ， 10Ω
门的上升时间t
r
= 100ns的，T
j
= 25°
C
如在图2中定义
T
j
= 25°
C
T
j
= 25° V
D
= 5V
C,
T
j
= 25° R
克-K
=
∞,
I
TM
= 500A ，我
T
= 5A
C,
-
-
-
1.19
0.81
350
V
m
ns
t
r
I
L
I
H
上升时间
闭锁电流
保持电流
50
-
-
600
300
ns
mA
mA
门极触发特性和额定值
符号
V
GT
I
GT
V
FGM
V
RGM
I
FGM
P
GM
P
G（ AV ）
参数
门极触发电压
门极触发电流
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
峰值功率门
平均功耗门
测试条件
V
DWM
= 12V ，R
L
= 6
V
DWM
= 12V ，R
L
= 6
T
例
= 25°
C
T
例
= 125°
C
马克斯。
5
500
40
10
20
40
单位
V
mA
V
V
A
W
W
平均时间10ms以下
10
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ACR300SG33
半导体
载流能力在器件短路
曲线
图2导通时间测量
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ACR300SG33
半导体
图3通态特性
图4瞬态热阻抗结到管壳
140
最大外壳温度（ ℃）
120
100
80
60
40
20
0
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
双面
单面
平均正向电流（ A）
图5平均额定电流与温度
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AH292A-WLA
AT27HC1024-70KC
AD724JRZ
ADS8324EB/250
ADA4420-6
ARE13A24
AAT1146IJS-1.2-T1
ATF750LVC-15SC
AS339AM-E1
ADS8505IBDB
AL108-338
A49LF040A
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    ACR300SG33
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
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电话：0512-82613006
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ACR300SG33
DYNEX
19+
355
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
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全新进口 现货库存 欢迎咨询洽谈
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电话：400-15695632345
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联系人：李
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