ACR300SG33
动态特性
符号
V
TM
I
RRM
/I
DRM
dv / dt的
的di / dt
参数
最大通态电压
反向峰值和关态电流
断态电压上升率直线
率通态电流上升
条件
在1000A的峰值，T
例
= 25
o
C
在V
RRM
/V
DRM
, T
例
= 125
o
C
到V
D
= 2000V ，门开路，T
j
= 125
o
C
从V
DRM
至125A
门源30V ， 10Ω
门的上升时间= 100ns的，T
j
= 125C
在T
vj
= 125
o
C
在T
vj
= 125
o
C
V
D
= 5V ，T
j
= 25C
I
TM
= 500A ，我
T
= 5A ，T
j
= 25C
V
D
= 3000V
门源= 30V ， 10Ω
门的上升时间= 100ns的
参见图1 。牛逼
j
= 25 - 70C.
T
j
= 25C
T
j
= 70C
分钟。
-
-
3000
-
马克斯。
2.0
60
-
2000
单位
V
mA
V / μs的
A / μs的
V
T（ TO ）
r
T
I
L
I
H
t
d
阈值电压
通态斜率电阻
闭锁电流
保持电流
延迟时间
-
-
-
-
-
-
-
1.19
0.81
600
300
350
-
50
V
m
mA
mA
ns
ns
ns
t
r
上升时间
门极触发特性和额定值
符号
V
GT
I
GT
V
FGM
V
RGM
I
FGM
P
GM
P
G（ AV ）
参数
门极触发电压
门极触发电流
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
峰值功率门
平均功耗门
条件
V
DWM
= 12V ，R
L
= 6, T
例
= 25
o
C
V
DWM
= 12V ，R
L
= 6, T
例
= 25
o
C
-
-
-
-
平均时间10ms以下
前锋
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
5
500
40
10
20
40
10
单位
V
mA
V
V
A
W
W
CHIP后短路电流承载能力
在一个芯片短路的情况下，由于过剩的阳极 - 阴极
电压时，器件将处理高连续RMS故障
目前没有显著的伤害。评价详情如下：
连续电流能力： 300A RMS， AC或DC在任
方向。
条件：
1.设备单面或双面冷却。
2.案例温度在200℃以下进行。
3，一种合适的高温钳中使用。
4.芯片故障部位的电阻假设为3MΩ
±
10%.
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ACR300SG33
包详细信息
如需进一步包装信息，请联系客户服务。单位[mm] ，除非另有说明。
不能扩展。
2孔3.6x2.0深（在两个电极）
阴极片
阴极
58.5最大
o34时NOM
1.5
门
27.0
25.4
o34时NOM
阳极
额定起重量： 310克
锁模力： 12KN
±10%
引线长度： 420毫米
引线端子连接： M4环
包装outine型编号：G
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