ACPM-7868
5 ×5mm的功率放大器模块
线性四频GSM / EDGE
数据表
描述
的ACPM- 7868是线性四频段/多模式功率
对于GMSK和8-PSK调制的放大器模块
计划。有两个放大器链，一个是支持
GSM850 / 900频带，另一个是支持DCS1800 /
PCS1900频段。
的CoolPAM技术，这是安华高科技的力量
放大器技术提供了扩展的通话时间
极低静态电流及提高效率
在中低功率模式。
的ACPM- 7868模块采用了第六代
的CoolPAM技术和设计，以提高功率
高效利用数字功率模式控制。两种模式
控制引脚提供四种功率模式的低频段和
三种功率模式的高频段。
输入和输出端内部匹配到
50
:.
该PA还包含内部的隔直流电容器
器对RF输入和输出端口。功率放大器
采用先进的InGaP HBT技术制造
提供先进设备，最先进的可靠性，温度稳定性
和耐用性。这个模块被容纳在具有成本效益的，
极小而薄的5 ×5毫米封装。
特点
x
四频GSM / EDGE线性功率放大器
x
小尺寸，低轮廓（5 ×5 ×0.9 MM）
x
极低静态电流
x
数字电源模式控制为更高效率
x
4种模式的低频段（ HPM ， MPM ， LPM和ULPM ）
x
3种模式的高频段（ HPM ， LPM和ULPM ）
x
16引脚表面安装封装
x
内部50
:
两个RF输入匹配网络和
产量
x
绿色（无铅并符合RoHS标准）
应用
x
四频GSM和EDGE
订购信息
产品型号
ACPM-7868-TR1
ACPM-7868-BLK
设备数量
1000
100
集装箱
178 mm (7”)
磁带/卷
体积
绝对最大额定值
描述
RF输入功率
*
直流电源电压
开启电压
模式控制电压
储存温度
民
–
0
0
0
-55
典型值
最大
15
5.5
3.3
3.3
+125
单位
DBM
V
V
V
°C
相关的引脚
RFin_LB ， RFin_HB
VBATT ， Vcc的
Ven_LB ， Ven_HL
Vmode0 ， Vmod1
* 50岁以下
:
注意事项：
1.无破损假定只有一个参数被设置为限制在与设置在推荐工作条件的所有其它参数的时间。
2.操作这些条件之外的任何单个参数可能会造成永久性的损害或影响器件的可靠性。
工作条件
描述
直流电源电压
开启电压（法师）
模式控制电压（ Vmode0 ， VMODE1 ）
外壳温度
低
高
低
高
符号
民
3.0
0
1.35
0
1.35
-25
典型值。
3.5
1.8
1.8
最大
4.8
0.5
2.9
0.5
2.9
+90
单位
V
V
V
V
V
°C
每种工作模式控制逻辑表
电源模式
掉电
低频段 - 高功率模式（ HPM ）
低频段 - 中等功耗模式（ MPM ）
低频段 - 低功耗模式（ LPM ）
低频段 - 超低功耗模式（ ULPM ）
高频段 - 高功率模式（ HPM ）
高频段 - 低功耗模式（ LPM ）
高频段 - 超低功耗模式（ ULPM ）
Ven_LB
低
高
高
高
高
低
低
低
Ven_HB
低
低
低
低
低
高
高
高
Vmode0
X
低
低
高
高
低
高
高
Vmode1
X
低
高
低
高
低
低
高
推荐功率电平每个操作模式
电源模式
低频段 - 高功率模式
低频段 - 中功率模式
低频段 - 低功耗模式
低频段 - 超低功耗模式
高频段 - 高功率模式
高频段 - 低功耗模式
高频段 - 超低功耗模式
GMSK
30.5 dBm的<噘≤ PSAT
16 dBm的<噘≤ 30.5 dBm的
POUT = 16 dBm的
POUT = 16 dBm的
17 dBm的<噘≤ PSAT
11 dBm的<噘≤ 17 dBm的
噘嘴≤ 11 dBm的
EDGE
23 dBm的<噘≤ 29 dBm的
10 dBm的<噘≤ 23 dBm的
噘嘴≤ 10 dBm的
–
16dBm的<噘≤ 28 dBm的
POUT = 16 dBm的
–
2
GSM850 / GSM900 PA的性能指标
- 条件：和的Vbatt VCC = 3.5 V ，脉冲宽度= 1154
PS，
占空比= 25 ％ ， Ven_LB =高，其他明智的指定T = 25℃
参数
工作频率范围
静态电流
条件
GSM850
GSM900
高功率模式
中等功率模式
低功耗模式
超低功耗模式
民
824
880
120
70
6
6
34.5
32.5
29
30.5
28.5
23
14
10
14
48
25
33
5
4
25.5
27
23.5
26.5
10
10
典型值
最大
849
915
单位
兆赫
兆赫
mA
mA
mA
mA
DBM
DBM
150
90
8.5
8.5
35
180
110
11
11
最大输出功率
GMSK高功率模式
GMSK高功率模式
（降低功率超过Vcc时，温度过高）
EDGE高功率模式（ RMS功率）
GMSK中等功率模式
GMSK中等功率模式
（在Vcc时，温度过高）
EDGE中等功率模式
（ RMS功率）
GMSK低功耗模式
（在Vcc时，温度过高）
EDGE低功耗模式（ RMS功率）
GMSK超低功耗模式
（在Vcc时，温度过高）
29.5
31
DBM
DBM
DBM
DBM
16
DBM
DBM
16
52
28
36
8
6
32
32
31
31
17
17
0.8
1.3
+2.5
DBM
%
%
%
%
%
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
功率附加效率
GMSK高功率模式下，宝= MAX
EDGE高功率模式下， PO = 29 dBm的
GMSK中功率模式下，宝= 30.5 dBm的
低功耗模式下， PO = 10 dBm的
超低功耗模式， PO = 8 dBm的
收益
高功率模式， PO = 34.5 dBm的
高功率模式， PO = 33.5 dBm的
中功率模式下， PO = 30.5 dBm的
中功率模式下， PO = 28.5 dBm的
低功耗模式下， PO = 10 dBm的
超低功耗模式， PO = 8 dBm的
增益压缩
增益变化 - Tc和的Vbatt
（所有运行模式）
EDGE ACPR
高功率
模式
宝≤ 25 dBm的**
中
电源模式
宝≤ 23 dBm的
低功耗
模式
宝≤ 10 dBm的
± 400千赫dBc的
或dBm *
± 600千赫dBc的
或dBm *
± 3000千赫dBc的
或dBm *
± 6000千赫dBc的
或dBm *
高功率模式下，
宝= 23.5 dBm的 33.5 dBm的
-25 ≤ ≤锝90
:
3.2 V≤ ≤的Vbatt 4.2 V
（固定针为3.5 V ，25°C条件）
-2.5
-57
-40
-64
-55
-68
-50
-74
-59
dBc的/ 30千赫
dBm的/ 30千赫
dBc的/ 30千赫
dBm的/ 30千赫
dBc的/ 100千赫
dBm的/ 100千赫
dBc的/ 100千赫
dBm的/ 100千赫
3
GSM850 / GSM900 PA的性能指标
（续）
参数
EDGE EVM
高功率模式
宝≤ 25 dBm的**
中等功率模式
宝≤ 23 dBm的
低功耗模式
宝≤ 10 dBm的
输出功率噪声
高功率模式
中等功率模式
RX = 869-882兆赫，TX = 837 MHz的
RX = 882-894兆赫，TX = 837 MHz的
RX = 925-935兆赫，TX = 898 MHz的
RX = 935-960兆赫，TX = 898 MHz的
谐波宝< 35 dBm的
稳定性
耐用性
输入阻抗
目前在不匹配
条件
正向隔离
十字隔离
2 FO
3 13 FO
F<1 GHz的; 8 ： 1的VSWR
F>2千兆赫， 8 ：1的VSWR
所有负载相
高功率模式，中等功率模式
低功耗模式，超低功耗模式
驻波比= 5 ：1，所有的相位角，
PA后的损失= 1.5 dB时，引脚= 9 dBm时， VCC = 3.7 V
Ven_LB =低， PIN = -10 dBm的
寄生在HB输出，
低频段信号（基波）
Ven_LB =高
2.7
10:1
2:1
3:1
3.3
-30
-15
2
A
DBM
DBM
DBM
条件
民
典型值
2
最大
3
单位
%
-85
-86
-84
-85
-79
-85
-10
-15
-36
-30
dBm的/ 100千赫
dBm的/ 100千赫
dBm的/ 100千赫
dBm的/ 100千赫
DBM
DBM
DBM
DBM
*注1：如果dBc的规格比dBm的限制更严格，那么dBm的限制应适用代替。
**注2：在高功率模式下的EDGE操作可以延长到29 dBm的结合收发器的预失真方案。
4
DCS1800 / PCS1900 PA的性能指标
- 条件：和的Vbatt VCC = 3.5 V ，脉冲宽度= 1154
PS，
占空比= 25 ％ ， Ven_HB =高，其他明智的指定T = 25℃
参数
工作频率范围
静态电流
条件
DCS1800
PCS1900
高功率模式
低功耗模式
超低功耗模式
民
1710
1850
130
30
12
32.5
30.5
28
17.8
16
11.8
48
28.5
8
4
25.5
26.5
13
10
-2.5
典型值
最大
1785
1910
单位
兆赫
兆赫
mA
mA
mA
DBM
DBM
170
45
15
33
210
60
20
最大输出功率
GMSK高功率模式
GMSK高功率模式
（降低功率超过Vcc时，温度过高）
EDGE高功率模式（ RMS功率）
GMSK低功耗模式
（在Vcc时，温度过高）
EDGE低功耗模式（ RMS功率）
GMSK超低功耗模式
（在Vcc时，温度过高）
28.5
19.8
DBM
DBM
DBM
13.8
53
30
10
6
31
32
22
20
+2.5
DBM
%
%
%
%
dB
dB
dB
dB
dB
功率附加效率
GMSK高功率模式下，宝= P最高
EDGE高功率模式下，宝= 28.5 dBm的
低功耗模式下， PO = 16 dBm的
超低功耗模式， PO = 8 dBm的
收益
高功率模式， PO = 32 dBm的
高功率模式， PO = 28.5 dBm的
低功耗模式下， PO = 16 dBm的
超低功耗模式， PO = 8 dBm的
增益变化 - Tc和的Vbatt
（所有运行模式）
EDGE ACPR
高功率
模式
宝≤ 24 dBm的**
低功耗
模式
宝= 16 dBm的
± 400千赫dBc的
或dBm *
± 600千赫dBc的
或dBm *
± 1800千赫dBc的
或dBm *
± 3000千赫dBc的
或dBm *
± 6000千赫dBc的
或dBm *
EDGE EVM
高功率
模式
宝≤ 24 dBm的**
低功耗
模式
宝= 16 dBm的
-25 ≤ ≤锝90
:
3.2 V≤ ≤的Vbatt 4.2 V
（固定针为3.5 V ，25°C条件）
-57
-40
-64
-60
-65
-55
-68
-55
-76
-55
2
3
dBc的/ 30千赫
dBm的/ 30千赫
dBc的/ 30千赫
dBm的/ 30千赫
dBc的/ 100千赫
dBm的/ 100千赫
dBc的/ 100千赫
dBm的/ 100千赫
dBc的/ 100千赫
dBm的/ 100千赫
%
5
QQ：2880707522 复制
