安捷伦ACPM- 7813
CDMA / AMPS
功率放大器模块
数据表
特点
工作频率：
824 - 849兆赫
28.5 dBm的线性输出功率
@ 3.4 V
高效率： 40 ％的PAE
动态偏置控制低
midpower的Idd
当前使用单个偏置控制
电压。对于更低的静态
目前，动态偏置控制
电路可用于通过改变
在VCNTL引脚上的电压
与1.2V至2.5V 。
在表面贴装设计射频
封装， ACPM- 7813是成本
和大小有竞争力的。
的ACPM - 7813是另一个关键
安捷伦的组件
CDMAdvantage
射频芯片组。
非常低的静态电流
单控制电压
内置50欧姆的匹配网络
两个射频输入/输出
3.2 - 4.2V线性操作
CDMA2000 1xRTT的能力
需要只有3 SMT零件
4.0× 4.0× 1.1毫米SMT封装
描述
的ACPM - 7813是一款全
匹配的CDMA功率放大器
模块。各地安捷伦设计
科技公司的新的增强功能
模式pHEMT工艺中，
ACPM- 7813提供收费
在一个非常小的表现形式
因素。完全匹配到50欧姆
上的输入和输出。
该放大器具有优异的ACPR
效率和性能
最大噘和低静态
应用
CDMA手机
数据卡
Vdd1
VBIAS
Vdd2
- 掌上电脑
偏置电路
动力
输入
MATCH
芯片
级间
MATCH
被动
产量
MATCH
输入
产量
VCNTL
单一控制偏置设置低IDQ
和40 ％的PAE在Pout的= 28.5 dBm的
最大额定值
[1]
参数
VDD电源电压
功耗
[2]
偏置电流
控制电压（ VCNTL ）
放大器的输入射频功率
结温
储存温度（外壳温度）
-40°C
分钟。
马克斯。
6.0 V
2.5 W
1.5 A
3.0 V
10 dBm的
+150°C
+100°C
的Vdd的推荐工作范围= 3.2
4.2 V ，TA = -30至+ 85°C
热阻
[2]
θ
jc
= 22.3 ° C / W
注意事项：
1.操作此设备超过任何这些限制可能会造成永久性的损害。
2.温度上限= 25°C
包装标志和尺寸
GND
（引脚10 ）
VBIAS （引脚1 ）
VCNTL
GND
RFIN
GND
Vdd1
AGILENT
ACPM-7813
YYWWDD
XXXX
GND
RFOUT
GND
Vdd2
4.0毫米（ SQ）
顶视图
1.1 mm
SIDE VIEW
底部视图
注意：
YYWWDD ：年 - 每周工作时间 - 一天
XXXX ：很多代码
0.400±0.076
0.850±0.076
2.000±0.076
0.850±0.076
0.850±0.076
4.000±0.076
0.850±0.076
3.800±0.076
1.996±0.076
3.400±0.076
4.000±0.076
1.100±0.076
所有单位均为毫米
2
电气特性信息
所有的测试都在VDD1 = VDD2 = V偏压= 3.4V做过50Ω系统， 25 ° C，除非另有说明。
参数
蜂窝CDMA
频带
增益（固定按住Cntl电压）
P
OUT
= 28.5 dBm的
P
OUT
= 16 dBm的
功率附加效率
P
OUT
= 28.5 dBm的
P
OUT
= 16 dBm的
总电源电流
单位
民
典型值
最大
评论
兆赫
824
849
dB
26
24.5
28
26.5
30
28.5
VCNTL = 2.5V
VCNTL = 1.8V
%
%
mA
mA
mA
dBc的/ 30千赫
dBc的/ 30千赫
mA
mA
mA
mA
37
7.5
40
8.5
520
135
31
563
156
VCNTL = 2.5V
VCNTL = 1.8V
P
OUT
= 28.5 dBm时， VCNTL = 2.5V
P
OUT
= 16 dBm时， VCNTL = 1.8V
P
OUT
= -5 dBm时， VCNTL = 1.2V
P
OUT
≤
28.5 dBm的
P
OUT
≤
28.5 dBm的
95
62
2.7
P
OUT
≤
28.5 dBm时， VCNTL = 2.5V
VCNTL = 1.8V
VCNTL = 1.2V
VCNTL = 2.5V
ACPR @
±
0.885 MHz偏移
ACPR @
±
1.98 MHz偏移
静态电流
-45
-56
-48
-59
82
54
25
2.0
2.0:1
2.5:1
当前VCNTL
输入电压驻波比（P
OUT
= 28.5 dBm的）
输入电压驻波比（P
OUT
= 16 dBm的）
噪声系数
噪声功率@ 45兆赫在869偏移 - 894兆赫
稳定性（假） ：负载电压驻波比5 ： 1
谐波抑制： 2FO
dB
dBm / Hz计
dBc的
dBc的
-50
-30
4.5
-141
-138
所有阶段
-40
安培
频带
增益P
OUT
= 31.0 dBm的
功率附加效率
P
OUT
= 31.0 dBm的
%
47
51
VCNTL = 2.5V
兆赫
dB
824
26
28
849
30
VCNTL = 2.5V
3
典型性能，
在50Ω系统， VDD1 = VDD2 = V偏压= 3.4V ， VCNTL = 2.5 V ， T = 25 ° C和频率= 836 MHz的，除非测量的数据
另有说明。
30
29
28
增益（ dBm的）
增益（dB ）
40
40
35
20
30
PAE （％）
27
26
25
24
23
22
0
5
10
15
的Pout （ dB）的
20
25
30
Vcntl=2.5V
Vcntl=1.6V
Vcntl=1.2V
0
25
20
15
10
-20
-40
5
-60
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
VCNTL （ V）
0
0
5
10
15
的Pout （ dBm的）
20
25
30
图1.增益与噘。
500
200
图2.增益与VCNTL 。
图3. PAE与噘。
-40
-45
400
150
IDD （MA ）
IDD （MA ）
-50
ACPR （ DBC）
300
-55
-60
-65
100
200
100
50
Vcntl=2.5V
Vcntl=1.6V
Vcntl=1.2V
0
5
10
的Pout （ dB）的
15
20
-70
-75
0
5
10
15
Vcntl=1.2V
Vcntl=1.6V
Vcntl=2.5V
20
25
30
0
0
5
10
15
的Pout （ dBm的）
20
25
30
0
的Pout （ dBm的）
图4.独立同与输出功率。
图5.独立同与噘。
图6. ACPR （ 885 kHz偏置）与噘。
-50
谐波抑制（ DBC）
-30
2nd
3rd
-40
30
-55
-60
ACPR2 （ DBC）
29
增益（dB ）
-65
-70
-75
-80
-85
-90
0
5
10
15
的Pout （ dBm的）
20
25
30
-50
28
-60
27
-70
26
-80
10
15
20
的Pout （ dBm的）
25
30
25
10
15
20
25
30
35
的Pout （ dBm的）
图7. ACPR （ 1.98 MHz偏移）与噘。
60
50
40
PAE （％）
图8.第二/第三谐波与噘。
图9. AMPS增益与噘。
30
20
10
0
10
15
20
25
30
35
的Pout （ dBm的）
图10. AMPS PAE与噘。
4
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