ACPM-5008-TR1
UMTS Band8 （ 880-915MHz ）采用3x3mm功率放大器模块
数据表
描述
的ACPM- 5008 - TR1是一个完全匹配的10引脚表面
安装模块开发，支持多应用
系统蒸发散包括UMTS Band8 。的ACPM- 5008 -TR1满足
严格的线性要求达到28.5dBm输出
电源UMTS Rel.99 。在3mmx3mm的外形
包是自包含的，纳入50欧姆输入和
输出匹配网络。该PA还包含内部
隔直流电容器用于RF输入和输出端口。
的ACPM- 5008 - TR1设有5个
th
代的CoolPAM的
（ CoolPAM5 ）电路技术，支持3次方
模式 - 有源旁路，中功率和高功率模式。
该的CoolPAM是舞台旁路技术提高
PAE （功率附加效率FFI ）在低功率和中功率
范围内。有源旁路功能被添加到CoolPAM5到
进一步增强的PAE在低输出范围和它使
在PA具有非常低的静态电流。它
大大节省了平均耗电量和
相应地扩展了手机和延长了通话时间
电池寿命。
定向耦合器被集成到模块和
两者的耦合和隔离端口可用克斯特
应受，支持菊花链。集成耦合器
具有良好的方向性耦合器，从而最小化
耦合输出功率变化或输出功率
变化引起的来自天线的负载不匹配。
耦合器的方向性，或输出功率变化成
不匹配的负载，是在TRP和SAR per-关键
在实际网络场操作的手机作为formance
以及一致性测试系统的特定连接的阳离子。
的ACPM- 5008集成了片上Vref与模块上
偏置开关作为的CoolPAM - 5的主要特点之一，
这样的外部恒压源是不需要的，
省去了外部LDO稳压器和开关
从移动设备的电路板。这也使得功率放大器
全数字控制的法师引脚变为简单
在PA上和O FF从数字控制逻辑输入
特点
薄型封装（ 0.9毫米典型值）
卓越的线性度
与VBP和VMODE 3模式功率控制
- 旁路/中功率模式/大功率模式
高鹗FFI效率的最大输出功率
10引脚表面贴装封装
内置50欧姆的匹配网络，这两个RF输入
和输出
集成耦合器
- 耦合器和隔离的菊花链端口
无铅，符合RoHS标准，绿色
应用
UMTS（WCDMA ，HSDPA， HSUPA， HSPA + ）
LTE
订购信息
产品型号
ACPM-5008-TR1
ACPM-5008-BLK
设备数量
1000
100
集装箱
178mm (7”)
磁带/卷
体积
说明（续）
基带芯片。所有的数字控制输入引脚
如法师， VMODE和VBP完全相容CMOS
IBLE和最低可以在1.35V逻辑。趋势/涌流
通过数字控制引脚消耗可以忽略不计。
电源放大器器是一种先进的制造
的InGaP HBT （异质结双极晶体管） MMIC
（微波单片集成电路）技术
提供先进设备，最先进的可靠性，温度稳定性
和耐用性。
绝对最大额定值
无损伤假设只有一个参数被设置为限制在与设置等于或低于标称值的所有其它参数的时候。
这些条件之外的任何单个参数设定为等于或低于额定剩余的参数的操作
值可能会造成永久性的损坏。
描述
RF输入功率（Pin ）
直流电源电压（ VCC1 ，电源Vcc2 ）
开启电压（法师）
模式控制电压（ VMODE ）
旁路控制（ VBP ）
存储温度（ TSTG ）
0
0
0
0
-55
分钟。
典型值。
0
3.4
2.6
2.6
2.6
25
马克斯。
10
5.0
3.3
3.3
3.3
+125
单位
DBM
V
V
V
V
°C
推荐运行条件
描述
直流电源电压（ VCC1 ，电源Vcc2 ）
开启电压（法师）
低
高
模式控制电压（ VMODE ）
低
高
旁路控制电压（ VBP ）
低
高
工作频率（ FO ）
环境温度（ Ta）的
0
1.35
880
-20
25
0
2.6
0.5
3.1
915
85
V
V
兆赫
°C
0
1.35
0
2.6
0.5
3.1
V
V
0
1.35
0
2.6
0.5
3.1
V
V
分钟。
3.2
典型值。
3.4
马克斯。
4.2
单位
V
操作逻辑表
电源模式
高功率模式
中等功率模式
旁路模式
关机模式
VEN
高
高
高
低
VMODE
低
高
高
低
VBP
X
低
高
低
噘嘴（版本99 ）
= 28.5 dBm的
= 17 dBm的
7.5 dBm的
–
噘嘴（ HSDPA ，
MPR HSUPA为0dB ）
= 27.5 dBm的
= 16 dBm的
6.5 dBm的
–
2
电气特性的WCDMA模式
- 条件： VCC = 3.4V ，法师= 2.6V ，TA = 25℃ ，寻/ ZOUT = 50欧姆
- 信号配置： 3GPP （ DPCCH + 1DPDCH ）上行链路，除非另有说明。
特征
工作频率范围
最大输出功率
（高功率模式）
收益
条件
Rel99
HSDPA ， HSUPA MPR = 0分贝
高功率模式，噘= 28.5dBm
中等功率模式，噘= 17dBm的
旁路模式，噘= 7dBm
高功率模式，噘= 28.5dBm
中等功率模式，噘= 17dBm的
旁路模式，噘= 7dBm
高功率模式，噘= 28.5dBm
中等功率模式，噘= 17dBm的
旁路模式， Pout13.5dBm
旁路模式，噘= 7dBm
旁路模式，噘= 3.5dBm
高功率模式
中等功率模式
旁路模式
高功率模式
中等功率模式
旁路模式
中等功率模式
旁路模式
绕行
VEN = 0V ， VMODE = 0V ， VBP = 0V
噘嘴≤ （最大功率 - MPR ）
分钟。
880
28.5
27.5
24.5
14
8
36.5
16.1
6.8
典型值。
–
马克斯。
915
单位
兆赫
DBM
DBM
dB
dB
dB
%
%
%
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
A
A
A
A
A
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBm / Hz计
dBm / Hz计
dBm / Hz计
dB
dB
dB
dB
dB
功率附加效率
总电源电流
静态电流
90
10
1
当前启用
模式控制电流
旁路控制电流
总电流在掉电模式
UMTS邻
5 MHz偏移
通道
10兆赫 FF集
泄漏比
14.8MHz偏移
（ACLR）
LTE的ACLR
28
18
11
40
20.7
12.3
520
70
50
11
8.5
123
19
3.1
5
5
5
5
5
5
-42
-57
-66
570
90
20
155
30
5
5
-36
-46
-58
-33
-36
-39
谐波
第二
抑制
第三
输入VSWR
稳定（无杂散输出）
RX频带噪声功率（ VCC = 4.2V）
GPS频段噪声功率（ VCC = 4.2V）
ISM频段噪声功率（ VCC = 4.2V）
RX频带增益（ 925-960MHz ）
GPS频段增益（ 1574-1577MHz ）
GLONASS频段增益（ 1597-1607MHz ）
ISM频段增益（ 2400-2483.5MHz ）
媒体波段增益（ 716-728MHz ）
续下页...
LTE到LTE ， E- UTRA
ACLR
噘嘴≤ （最大功率 - MPR ）
UTRA
ACLR1
噘嘴≤ （最大功率 - MPR ）
UTRA
ACLR2
噘嘴≤ （最大功率 - MPR ）
高功率模式，噘= 28.5dBm
-43
-66
驻波比5 ： 1 ，所有阶段
高功率模式，噘= 28.5dBm
高功率模式，噘= 28.5dBm
高功率模式，噘= 28.5dBm
其中G是增益的Tx频段
其中G是增益的Tx频段
其中G是增益的Tx频段
其中G是增益的Tx频段
其中G是增益的Tx频段
-35
-42
2.5:1
-60
-136.5
-150
-158
G-1
G-28
G-30
G-65
G-1.5
3
电气特性的WCDMA模式（续）
相位不连续
低功耗modemid功耗模式，
在噘= 7dBm
中等功率modehigh功耗模式，
在噘= 17dBm的
Pout<28.5dBm ， Pin<10dBm ，
所有相
高功率模式
RF输出到CPL口
ISO口CPL端口，法师=低
20
30
10:1
度
度
VSWR
耐用性
耦合系数
菊花链插入损耗
20
0.25
dB
dB
HSDPA信号CON组fi guration使用：
3GPP TS 34.121-1
附录C （规范性附录E） ：测量通道
对于HSDPA测试C.10.1 UL参考测量信道
表C.10.1.4 ：
发射机特性测试， HS- DPCCH值
分测试2 （CM = 1.0， MPR = 0.0）
HSUPA信号CON组fi guration使用：
3GPP TS 34.121-1
附录C （规范性附录） ：测量通道
对于E -DCH测试C.11.1 UL参考测量信道
表C.11.1.3 ：
对于发射机特性测试， HS-DPCCH和E-DCH分测试1的值（CM = 1.0， MPR = 0.0）
在3.2V操作0.5dB的回退是允许的最大输出功率。
脚印
所有尺寸均为毫米
0.10
1.50
0.125
销1
引脚说明
针＃
1
2
3
名字
Vcc1
RFIN
VBP
VMODE
VEN
CPL
GND
ISO
RFOUT
Vcc2
描述
直流电源电压
RF输入
旁路控制
模式控制
PA启用
联轴器耦合器的端口
地
耦合器的隔离端口
RF OUT
直流电源电压
0.60
4
5
6
7
0.35
0.35
0.3
X射线顶视图
0.10
8
9
10
0.25
4
QQ：2881677436 复制
