飞利浦半导体
产品speci fi cation
18位总线接口D型锁存器(三态)
74ALVCH16843
特点
1.2V至3.6V的宽电源电压范围
符合JEDEC标准没有。 8-1A 。
CMOS低功耗
直接接口与TTL电平
电流驱动
±
在3.0 V 24毫安
MULTIBYTE
TM
流通标准引脚输出架构
低电感多个V
CC
和GND引脚的最小噪声
和地反弹
引脚配置
1CLR
1OE
1Q
0
GND
1Q
1
1Q
2
V
CC
1Q
3
1Q
4
1Q
5
GND
1Q
6
1Q
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
1LE
1PRE
1D
0
GND
1D
1
1D
2
V
CC
1D
3
1D
4
1D
5
GND
1D
6
1D
7
1D
8
2D
0
2D
1
2D
2
GND
2D
3
2D
4
2D
5
V
CC
2D
6
2D
7
GND
2D
8
2PRE
2LE
所有的数据输入有总线保持
输出驱动能力50Ω传输线@ 85°C
描述
该74ALVCH16843有两个9位D型锁存器设有独立
D型输入,每个锁存器和总线三态输出导向
应用程序。每个寄存器的两个部分被控制
独立的锁存使能(NLE ) ,明确( NCLR )
预设( NPRE )和输出使能( NOE )控制门。
当NOE为低时,在该寄存器中的数据出现在输出端。
当NOE为高电平时,输出处于高阻抗关
状态。该NOE输入操作不会影响到状态
触发器。
该74ALVCH16843具有提供有源总线保持电路
在一个有效的逻辑电平持有未使用的或浮动的数据输入。这
功能,无需外部上拉或下拉
电阻器。
1Q
8
2Q
0
2Q
1
2Q
2
GND
2Q
3
2Q
4
2Q
5
V
CC
2Q
6
2Q
7
GND
2Q
8
2OE
2CLR
SH00143
快速参考数据
GND = 0V ;吨
AMB
= 25°C ;吨
r
= t
f
≤
2.5ns
参数
符号
传播延迟
NDN到NQN
t
PHL
/t
PLH
传播延迟
非编到NQN
C
I
输入电容
条件
V
CC
= 2.5V ,C
L
= 30pF的
V
CC
= 3.3V ,C
L
= 50pF的
V
CC
= 2.5V ,C
L
= 30pF的
V
CC
= 3.3V ,C
L
= 50pF的
透明模式
输出启用
输出禁用
时钟模式
输出启用
输出禁用
典型
2.2
2.1
2.3
2.0
5.0
17
3
19
9
单位
ns
ns
pF
C
PD
每个缓冲区的功率耗散电容
dissi通报BULLETIN CA acitance器
V
I
= GND到V
CC1
pF
F
注意事项:
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗(P
D
in
W):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
S
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
)其中:f
i
=以MHz输入频率;
L
=以pF输出负载电容;
f
o
=以MHz输出频率; V
CC
在V =电源电压;
S
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
) =产出的总和。
订购信息
套餐
56引脚塑封薄型小外形封装( TSSOP ) II型
1998年8月4日
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
2
北外
AMERICA
74ALVCH16843 DGG
北美
ACH16843 DGG
制图
数
SOT364-1
853–2108 019833
飞利浦半导体
产品speci fi cation
18位总线接口D型锁存器(三态)
74ALVCH16843
推荐工作条件
符号
参数
直流电源电压2.5V范围(最大速度
性能@ 30 pF的输出负载)
直流电源电压3.3V范围(最大速度
性能@ 50 pF的输出负载)
直流输入电压范围
DC输出电压范围
工作自由空气的温度范围内
输入上升和下降时间
V
CC
= 2.3 3.0V
V
CC
= 3.0 3.6V
条件
民
2.3
3.0
0
0
–40
0
0
最大
2.7
V
3.6
V
CC
V
CC
+85
20
10
V
V
°C
NS / V
单位
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
t
r
, t
f
绝对最大额定值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 )
电压参考GND(地= 0V )
符号
V
CC
I
IK
V
I
I
OK
V
O
I
O
I
GND
, I
CC
T
英镑
P
合计
参数
直流电源电压
DC输入二极管电流
在直流电压UT
输入
DC输出二极管电流
直流输出电压
DC输出源或灌电流
DC V
CC
或GND电流
存储温度范围
每个封装功耗
- 塑料中收缩( SSOP )
- 塑料薄膜中收缩( TSSOP )
适用温度范围: -40 + 125
°C
高于+ 55 °C减免线性11.3毫瓦/ K
高于+ 55 °C减免线性8毫瓦/ K
V
I
t0
对于控制引脚
2
对于数据输入
2
V
O
uV
CC
或V
O
t
0
注2
V
O
= 0至V
CC
条件
等级
-0.5到+4.6
–50
-0.5到+4.6
-0.5到V
CC
+0.5
"50
-0.5到V
CC
+0.5
"50
"100
-65到+150
850
600
V
mA
V
mA
mA
°C
mW
单位
V
mA
注意:
1.强调超越那些可能会对设备造成永久性损坏。这些压力额定值只和功能操作
器件在这些或超出下标明的任何其他条件, “推荐工作条件”是不是暗示。接触
绝对最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
2.如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
1998年8月4日
5