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ACE2304

技术

描述

该ACE2304是生产的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管

采用高密度， DMOS沟道技术。

这种高密度的工艺特别适合于减小导通电阻。

这些装置特别适用于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本

计算机的电源管理和电池供电的电路，以及低线的功率损耗，需要在一个

非常小外形表面贴装封装。

N沟道增强型MOSFET

特点

30V / 3.2A ，R

DS （ ON）

=65m@V

GS

=10V

30V / 2.0A ，R

DS （ ON）

=90m@VGS=4.5V

超高密度电池设计极低R

DS （ ON）

呈导通电阻和最大直流电流能力

应用

在笔记型电源管理

便携式设备

电池供电系统

DC / DC转换器

负荷开关

DSC

液晶显示器逆变器

绝对最大额定值

符号最大单位

V

DSS

30

V

V

GSS

±20

V

T

A

=25℃

3.2

连续漏电流（T

J

=150℃)

A

I

D

T

A

=70℃

2.6

漏电流脉冲

I

DM

10

A

连续源电流（二极管传导）

I

S

1.25

A

T

A

=25℃

1.25

功耗

W

P

D

T

A

=70℃

0.8

O

工作结温

T

J

150

C

O

存储温度范围

T

英镑

-55/150 C

热阻，结到环境

R

θJA

100

O

C / W

参数

漏源电压

栅源电压

1.2版本

1

ACE2304

技术

包装类型

SOT-23-3

3

N沟道增强型MOSFET

引脚符号说明

1

G

门

2

S

来源

3

D

漏

1

2

订购信息

选购指南

ACE2304

XX

+

铅 - 免费

BM ： SOT- 23-3

电气特性

T

A

=25

℃

除非另有说明

参数

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

栅极漏电流

零栅压漏

当前

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

符号

条件

STATIC

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

I

D（上）

R

DS （ ON）

政府飞行服务队

V

SD

V

GS

= 0V时，我

D

= 250微安

V

D

=V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

=0V,V

GS

=±20V

V

DS

=30V, V

GS

=1.0V

V

DS

=30V, V

GS

= 0V牛逼

J

=55℃

VDS ≧ 4.5V ，V

GS

=10V

VDS ≧ 4.5V ，V

GS

=4.5V

V

GS

= 10V ，我

D

=3.2A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=2.0A

V

DS

=4.5V,I

D

=2.5A

I

S

= 1.25A ，V

GS

=0V

30

1.0

3.0

±100

1

10

6

4

0.050

0.065

4.6

0.82

1.2

1.2版本

0.065

0.090

V

nA

uA

A

S

V

2

ACE2304

技术

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启时间

打开-O FF时间

Q

g

Q

gs

Q

gd

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

V

DD

=15R

L

=15, I

D

= 1.0A ，V

根

=10,

R

G

=6

V

DS

=15V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

V

DS

=15V, V

GS

= 10V ，我

D

=2.5

N沟道增强型MOSFET

动态

4.5

0.8

1.0

240

110

17

8

12

17

8

20

30

35

20

nS

pF

10

nC

典型性能特性

输出特性

传输特性

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

V

GS

-Gate至源极电压（ V）

导通电阻与漏电流

电容

I

D

- 漏电流（A ）

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

1.2版本

3

ACE2304

技术

栅极电荷

N沟道增强型MOSFET

导通电阻与结温

Q

g

- 总栅极电荷（ NC）

T

J

-Junction温度（℃ ）

源极 - 漏极二极管正向电压

导通电阻与栅极至源极电压

V

SD

- 源极到漏极电压（V ）

V

GS

-Gate至源极电压（ V）

阈值电压

单脉冲功率

T

J

- 温度（ ℃ ）

时间（秒）

1.2版本

4

ACE2304

技术

N沟道增强型MOSFET

归瞬态热阻抗，结到环境

方波脉冲持续时间（秒）

1.2版本

5

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ACE2304

ACE

1905+

35750

SOT23-3

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