微处理器晶体
49 CASE接地（ - G） ，表面贴装
ABSM 3系
产品特点：
13.0 X 4.3 X 6.2毫米
优良的多用途表面贴装晶体。
两个不同的引脚连接。
四片土地的模式与普通的塑料成型设计相兼容。
情况下地面上的AG系列。
应用范围：
调制解调器，通信，高密度设备
低EMI应用，噪声veductions 。
标准规格
频带
3.5兆赫 - 25 MHz的60MHz的
频带
3.579MHz -
STA
模式
ARD规格
ND
操作模式
根本， AT
手术
3.579MHz - 28MHz的（基本）
工作温度
-10 ° C至+ 60MHz的
选项）
28.01MHz -60℃
（见
（第3个泛音）
储存温度
-55 ° C至+ 125°C
（基波频率高达50MHz ）
频率容差
@
25°C
± 50 ppmto + 60°C
（见选项）
工作温度
-10 ℃以下。
（见选项）
频率稳定度以上温度。
± 50 ppm的最大值。
（见
+85°C
储存温度
-
40°Cto
选项）
等效串联电阻
200 ± 50PPM最大。
（见
< 4.0兆赫
W
3.5兆赫< F
选项）
频率容差
@
25°C
（ ESR）的最大
150
W
4.0兆赫< F < 6.0兆赫
频率稳定度以上温度。
± 100ppm的最大值。
（见选项）
100
W
6.0兆赫< F < 10.0兆赫
等效串联电阻
180 80最大。为3.579MHz < 14.04.000MHz
W W
用于10MHz < F < F <兆赫
（ ESR ）基本
150 50最大。为4.000MHz _ F <兆赫
W W
14兆赫< F < 25 5.000MHz
100 7 pF的最大值。 5.000MHz < F < 7.000MHz
W
最大。为
并联电容C
0
负载电容C
L
50 16最大。为
选项）
W
P F
（见
7.000MHz < F < 15.00MHz
驱动电平
40 100 μW最大。
W
最大。为15.00MHz < F < 50.00MHz
老化
@
25 ℃的第一年
± 5页M选择输出28.0MHz < F < 60.00MHz
第三泛音
100
W
最大。最大。
绝缘ResistanceC
500
M
W
分钟。 7pF的最大值。 ± 15V
在100伏
旁路电容
0
负载电容C
L
18pF
（见选项）
驱动电平
为1mW最大， 100μW相关
老化
@
每年25℃
± 5ppm的MAX 。
绝缘电阻
500MW分钟。在100V直流± 15V
环境和机械规格见附录C，第1组。
打标，见附录G.磁带和卷轴，见附录H. （ 1000个/卷） 。
回流温度曲线，见附录E.建议的处理，见附录F.
应用说明，请参阅附录A.
引脚连接
尺寸：
英寸（毫米）
零件编号的H（最大值）
ABSM3A
ABSM32A
ABSM33A
ABSM3B
ABSM32B
ABSM33B
ABSM3AG
ABSM32AG
0.20 (5.1)
0.18 (4.5)
0.15 (3.8)
0.20 (5.1)
0.18 (4.5)
0.15 (3.8)
0.20 (5.1)
0.18 (4.5)
订购选项
ABSM3XXX - 频 - CL - ESR
空白
2, 3
空白
或G
XX.XXXX兆赫
负载cap.in pF或者
为-S系列
ABRACON IS
ISO 9001 / QS 9000
认证
-
温度
-1
-7
-2
-3
-4
-
公差
-
-U
-G
-X
-W
-Y
-H
-Z
稳定性
为± 10ppm的
为± 15ppm的
为± 20ppm的
为± 25ppm的
为± 30ppm的
为± 35ppm的
为± 50PPM
-
模式
-
包装
-T
（胶带
＆放大器;
卷轴）
Rxxx
在（价值
W
)
-E为0 ° C至+ 70°C
-B为-20 ° C至+ 70°C
-C为-30 ° C至+ 70°C
-N为-30 ° C至+ 85°C
-D为-40 ° C至+ 85°C
A或B
为± 10ppm的
为± 15ppm的
为± 20ppm的
为± 25ppm的
为± 30ppm的
-F （基本AT > 28MHz的）
- FB （基本BT > 28MHz的） *
*
+ 100ppm的@ -10℃ + 60 ℃。
o
o
注：左如果标准空白
所有规范和标记如有更改，恕不另行通知
ABRACON
29之旅阿里索维耶荷， CA 92656 USA
(949) 448-7070
F
AX
: (949) 448-8484
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