微处理器晶体
陶瓷表面贴装微型
ABMC2
产品特点：
11.0 X 5.0 X 2.0毫米
应用范围：
2.0毫米高度。
电阻焊接。
低频真正的SMD封装。
高可靠性; AT条形切割的高精度。
扩展的温度可用。
回流能力。
PCMCIA应用。
微处理器。
通信设备，网络，薄设备。
标准规格
频带
3.5兆赫 - 25兆赫 - 为70MHz
频带
3.579545MHz
标准的specifica
“在
ONS
操作模式
基本面， 27MHz的（基本）
操作模式
3.579545MHz
TI
工作温度
-10 ° C至+ 60°C
（见选项）
27.0MHz 41.0MHz （基金， BT或AT ）
储存温度
-55 ° C至+ 125°C
27.01MHz 70MHz的（第3个泛音）
频率容差
@
25°C
± 50 ppm的最大值。
（见选项）
工作温度
-10℃至+ 60℃
（见选项）
频率稳定度以上温度。
± 50 ppm的最大值。至+ 85°C
储存温度
-40°C
（见选项）
等效串联电阻
200
W
3.5兆赫< F
选项）
频率容差
@
25°C
± 50PPM最大。
（见
< 4.0兆赫
（ ESR）的最大
150
W
4.0兆赫< F
选项）
频率稳定度以上温度。
± 100ppm的最大值。
（见
< 6.0兆赫
100最大。对于兆赫< F < 10.0兆赫
等效串联电阻
200
W W
6.0 3.57MHz < F < 4.00MHz
80
W
用于10MHz < F < 14.0兆赫
（ ESR）的
150
W
最大。为4.00MHz < F < 5.00MHz
_
50
W
14兆赫< F < 25兆赫
120
W
最大。为5.00MHz < F < 6.00MHz
并联电容C
0
7 pF的最大值。
100
W
最大。为6.00MHz < F < 7.00MHz
负载电容C
L
16 P F
（见选项）
80
W
最大。为7.00MHz < F < 9.00MHz
驱动电平
100 μW最大。
AT基本
60
W
最大。为9.00MHz < F < 12.00MHz
@
25 ℃的第一年
老化
± 5页m以下。
50
W
最大。为12.00MHz < F < 20.00MHz
绝缘电阻
500
M
W
分钟。在100伏直流± 15V
40
W
最大。为20.00MHz < F < 27.00MHz
AT或BT基础
40
W
最大。为27.00MHz < F < 41.00MHz
第三泛音
100
W
最大。为27.01MHz < F < 70.00MHz
并联电容C
0
7pF的最大值。
负载电容C
L
18pF
（见选项）
驱动电平
100μW最大。
老化
@
每年25℃
± 5ppm的MAX 。
绝缘电阻
500M
W
分钟。在100V直流± 15V
环境和机械规格，请参阅附录C.第2组。
打标，见附录G.磁带和卷轴，见附录H. （ 1000个/卷）
回流温度曲线，见附录E.建议的处理，见附录F.
应用说明，请参阅附录A.
外形尺寸：英寸（毫米）
订购选项
ABMC2 - 频 - CL - ESR - 温度 - 公差
Rxxx
XX.XXXX兆赫
-1为± 10ppm的
在（价值
W
)
-7为± 15ppm的
负载上限。单位为pF
-E为0 ° C至+ 70°C -2 ± 20ppm的
（ 10pF的最小值）
-B为-20 ° C至+ 70°C -3 ± 25ppm的
或-S的系列
-C为-30 ° C至+ 70°C -4为± 30ppm的
-N为-30 ° C至+ 85°C
-D为-40 ° C至+ 85°C
ABRACON IS
ISO 9001 / QS 9000
认证
-
-U
-G
-X
-W
-Y
-H
-Z
稳定性 -
为± 10ppm的
为± 15ppm的
为± 20ppm的
为± 25ppm的
为± 30ppm的
为± 35ppm的
为± 50PPM
模式
-
包装
-T
（胶带
＆放大器;
卷轴）
- F（基本AT >的27MHz ）
- FB （基本BT >的27MHz ）
注：左如果标准空白
所有规范和标记如有更改，恕不另行通知
ABRACON
29之旅阿里索维耶荷， CA 92656 USA
(949) 448-7070
F
AX
: (949) 448-8484
E-
邮件
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