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分频器评估板
ABLNO- EVAL
综合能力
ABLNO -EVAL ;
在图中所示分频器评估板( 1 )设计,以方便工程评估显
ATION的ABRACON的超低噪音 - ABLNO系列固定式时钟和压控晶体振荡器。
此外,还有通过RF_IN SMA连接器的规定提供的10MHz之间的任何其他振荡器信号
和200MHz的;如果ABLNO系列没有被表征。
此评估板是理想的进行下面的测试:
相位噪声和均方根抖动÷ 1 , ÷ 2 ÷ 4 ÷和8频率输出
在ABLNO的使用维生素C口作为控制电压频率牵引特性
在工作温度频率稳定度( -40°C至+ 85°C )
Pb
符合RoHS
60.4 X 42.7 X 13.0毫米
| | | | | | | | | | | | | | |
图(1)
设计师谁是有兴趣使用ABLNO作为超低噪音平台的设备,以产生额外的
低噪声的频率会发现这个评估板是特殊的价值。 ABRACON已经实施了超
低噪声÷ 2 ÷ 4 ÷和8电路在该主板上,这也可以在终端客户的解决方案incorportated ;请
联系
tech-spport@abracon.com
有关其他详细信息。
Tpycial相位噪声和÷ 1抖动peformance , ÷ 2 ÷ 4 ÷和8种模式描述在第2.0 。
ABRACON IS
ISO9001:2008
CE RTIFIED
认证
修订日期: 13年6月6日
30332埃斯佩兰萨牧场圣玛格丽塔,加利福尼亚州92688
电话: 949-546-8000
|
传真949-546-8001
| www.abracon.com
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对于销售条款&条件
分频器评估板
ABLNO- EVAL
组件说明
部件
RF_IN
Vc
VDD
RF_OUT
S1
S2
S3
描述
外部振荡器
输入
控制端口
电源电压
评估板
产量
开关# 1
开关# 2
开关# 3
的功能
输入一个10MHz至200MHz的振荡器信号到这个SMA
连接器,用于评估...查看
注意# 5
当表征ABLNO系列VCXO的,办理
控制电压到这个端口来表征频率拉
此端口同时偏置ABLNO振荡器
和分频器方案(+ 3.3V ±5%)
... ..see
注# 4
无论是ABLNO或RF_IN的分频比下降1 ,
2 ,4或8 ,并且其存在于该端口
如果该标签被移动到“上升位置
( UP ) “ ,
RF_IN
信号被选择。如果该标签被移动到“下
位置
(DN) “ ,
ABLNO信号被选择
如果该标签被移动到“上升位置
( UP ) “ ,
RF_IN
信号分频2和存在于RF_OUT
如果该标签被移动到“上升位置
( UP ) “ ,
RF_IN
信号分频由4出现在RF_OUT 。 S2
还应该在“向上位置
( UP ) “...
请参阅真相
表# 1
如果该标签被移动到“上升位置
( UP ) “ ,
RF_IN
信号分频8和存在于RF_OUT 。 S2
& S3也应在“向上位置
( UP ) “...
见真值表# 1
UP
位置
DN
位置
Pb
符合RoHS
60.4 X 42.7 X 13.0毫米
| | | | | | | | | | | | | | |
S4
开关# 4
图(2)
ABRACON IS
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CE RTIFIED
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修订日期: 13年6月6日
30332埃斯佩兰萨牧场圣玛格丽塔,加利福尼亚州92688
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ABLNO- EVAL
真值表
S
组件说明
S1
S2
S3
DN
DN
DN
DN
UP
DN
DN
UP
UP
DN
UP
UP
S1
UP
UP
UP
UP
S2
DN
UP
UP
UP
S3
DN
DN
UP
UP
Pb
符合RoHS
60.4 X 42.7 X 13.0毫米
| | | | | | | | | | | | | | |
S4
DN
DN
DN
UP
S4
DN
DN
DN
UP
表# 1
描述
ABLNO的RF输出= 1 ÷
ABLNO的RF输出= ÷ 2
ABLNO的RF输出= ÷ 4
ABLNO的RF输出= 8 ÷
表#2
描述
RF_IN端口的RF输出= 1 ÷
RF_IN端口的RF输出= ÷ 2
RF_IN端口的RF输出= ÷ 4
RF_IN端口的RF输出= 8 ÷
注1: DN
=递减位置;
UP
=向上的位置
注2:
所有四个开关都带有黄色的保护胶带在上面,使用前请删除
注3:
为了评估ABRACON的ABLNO晶体振荡器,请焊下来概述的部分
用矩形和标记ABLNO 。请按照如图( 3 )所示的方向。
图(3)
注4:
VDD端口偏压两者ABLNO设备,以及除法器电路。由于ABLNO的
VDD范围为+ 3.3V ± 5 % ,推荐的VDD范围,同时评估ABLNO振荡器是
+ 3.135V至+ 3.465V 。但是,由于分频器电路可以在+ 1.8V &被偏置
+ 5.5V ,而评估RF_IN外部信号;更低或更高的偏置电压可被使用,如
只要峰 - 峰距离RF_IN端口信号不超过所述偏置电压(VDD) 。
注5:
RF_IN端口需要一个LVCMOS信号。如果剪切正弦波或正弦波信号低
振幅被使用;可能有必要为正方形,该行动。上面有规定
(S1)
to
添加缓冲剂以实现这一目标。请联系
tech-support@abracon.com
.
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100MHz的ABLNO被用来进行÷ 1 ÷ 2 ÷4和÷8的测量
S
典型相位噪声性能@ 100.00 MHz载波( ÷ 1模式) @ VDD = + 3.3V ( ± 25℃ 3℃ )
S1
DN
S2
DN
S3
DN
S4
DN
描述
ABLNO的RF输出= 1 ÷
典型相位噪声性能@ 50.00 MHz载波( ÷ 2模式) @ VDD = + 3.3V ( ± 25℃ 3℃ )
S1
DN
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认证
S2
UP
S3
DN
S4
DN
描述
ABLNO的RF输出= ÷ 2
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ABLNO- EVAL
Pb
符合RoHS
60.4 X 42.7 X 13.0毫米
| | | | | | | | | | | | | | |
典型相位噪声性能@ 25.00 MHz载波( ÷ 4模式) @ VDD = + 3.3V ( ± 25℃ 3℃ )
S1
DN
S2
UP
S3
UP
S4
DN
描述
ABLNO的RF输出= ÷ 4
典型相位噪声性能@ 12.50 MHz载波( ÷ 8模式) @ VDD = + 3.3V ( ± 25℃ 3℃ )
S1
DN
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UP
S3
UP
S4
UP
描述
ABLNO的RF输出= 8 ÷
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