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安捷伦ABA - 54563
3.4 GHz的宽带硅
RFIC放大器
数据表
特点
单+ 5V电源
- 高线性度
VSWR < 1.4整个操作系统
频率
小型SOT363 （ SC70 ）封装
描述
安捷伦ABA - 54563是一种economi-
校准的，易于使用的内部50欧姆
匹配的硅单片放大器
可提供出色的增益和
宽带响应从DC到
3.4 GHz的。包装在一个ultraminia-
TURE工业标准SOT- 363
包装，它需要一半的电路板
采用SOT- 143封装的空间。
在2 GHz时， ABA - 54563提供
23 dB的输出小信号增益
16.1 dB和27.8 dBm的P1dB的
输出三阶截点。
它是适合用作缓冲
放大器的宽带应用
系统蒸发散。它们被设计用于低
在移动应用的成本增益模块
系统蒸发散， DBS调谐器， LNB等
无线通信系统。
在IF频率下， ABA - 54563
提供了良好的线性性能
35 dBm的典型OIP3为
200兆赫。
ABA - 54563是使用制造
安捷伦的HP25硅双极
过程中，其采用双
扩散单多晶硅生产工艺
以自对准的亚微米发射极
几何形状。该方法能够
同时高F
T
高NPN
击穿（ 25 GHz的F
T
在6V BVCEO ） 。
该方法利用工业标
准装置氧化物隔离技
吉斯和亚微米铝
多层互连实现
卓越的性能，高unifor-
mity和久经考验的可靠性。
表面贴装封装
SOT-363/SC70
无条件稳定
无铅
在+ 5V / 79 mA典型表现
2 GHz的
22 dB增益
27.8 dBm的OIP3
16.1 dBm的P
1dB
引脚连接和
包装标志
GND 1
产量
&的Vcc
4.4分贝噪声系数
200兆赫
22 dB增益
35 dBm的OIP3
18 dBm的P
1dB
3.6分贝噪声系数
4Cx
GND 2
输入
GND 3
VCC
注意：
俯视图。包装标识规定的方向
和鉴定。 “x”是字符识别
日期代码。
简化的原理图
VCC
RF
产量
&的Vcc
RF
输入
地2
地面3
地面1
ABA - 54563绝对最大额定值
[1]
符号
V
cc
P
in
P
DISS
θ
J-
T
j
T
英镑
参数
设备的电压， RF输出到地面（T = 25℃）
CW RF输入功率
总功耗
[3]
热阻
[2]
结温
储存温度
单位
V
DBM
mW
° C / W
°C
°C
绝对最大值。
6
20
560
110
150
-65到150
注意事项：
超过任何1.操作此设备的
这些限制可能会造成永久性的损害。
使用150 ℃下测定。2.热电阻
液晶测量方法。
3.壳温度在25 ℃。在降额
9.1mW / ℃，锝> 87.5 ℃。
产品的一致性分布图在5.0V和2 GHz的。
[1]
100
80
120
100
80
60
80
60
40
20
20
20
0
15.3
0
3.6
频率
60
频率
40
40
0
21.8
频率
22.2
22.6
23
23.4
23.8
15.6
15.9
16.2
16.5
16.8
4
4.4
NF（ dB）的
4.8
5.2
S21 （ dB）的
P1dB的（ DBM）
图1. S21分布。
图2. P1dB的分布。
图3.噪声系数分布。
80
60
频率
C
块
1 nF的
RF输出
40
4Cx
RFC
33 nH的
VCC
20
RF输入
0
26.5
27
27.5
28
28.5
29
C
块
1 nF的
C
绕行
100 pF的
C
绕行
1000 pF的
OIP3 （ dBm的）
图4. OIP3分布。
图5.测试电路在用于核2 GHz的生产试验板，
增益和OIP3测量。电路损耗已解嵌
从实际测量。
注意：
1.测对500个样本的生产测试电路基地。
2
电气规格
T
c
= + 25 ° C，Z
o
= 50
,
P
in
= -30 dBm时， V
cc
= 5V ，频率= 2 GHz的，除非另有说明。
符号
Gp
ΔGp
NF
P1dB
50
OIP3
VSWR
in
VSWR
OUT
ICC
参数和测试条件
功率增益（ | S
21
| )
功率增益平坦度，
噪声系数
2
单位
dB
分钟。
21
典型值。
23
23
0.5
3.0
3.6
4.4
18.0
16.1
35.0
27.8
1.20
1.11
1.20
1.14
马克斯。
25
标准偏差。
0.2
F = 200 MHz的
F = 2.0 GHz的
F = 0.1 2.0 GHz的
F = 0.1 3.4 GHz的
F = 200 MHz的
F = 2.0 GHz的
F = 200 MHz的
F = 2.0 GHz的
F = 200 MHz的
F = 2.0 GHz的
dB
dB
DBM
DBM
4.8
0.08
0.18
0.32
0.02
0.02
在1分贝增益压缩输出功率
输出三阶截点
输入VSWR
输出VSWR
器件的电流
F = 200 MHz的
F = 2.0 GHz的
F = 200 MHz的
F = 2.0 GHz的
mA
79
90
0.2
注意事项：
于50Ω测试板进行的测量显示在图1中多余的电路损耗已解嵌入从实际测量值。标准偏差
基于典型的数据至少有500份样本量从2晶圆批次。分配给该产品未来的晶片可具有标称值的任何地方
内的上下规格界限。
3
ABA - 54563的典型表现
T
c
= + 25 ° C，Z
o
= 50, V
cc
= 5V ，除非另有说明。
26
24
22
增益（dB ）
增益（dB ）
20
18
16
14
12
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率（GHz ）
5.5V
5.0V
4.5V
26
24
22
20
18
16
14
12
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率（GHz ）
85°C
25°C
-40°C
8
7
6
NF（ dB）的
5
4
3
2
1
0
0
0.5
5.5V
5.0V
4.5V
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率（GHz ）
图6.增益与频率和电压。
图7.增益与频率和温度。
图8.噪声系数与频率的关系和
电压。
20
8
7
6
P1dB的（ DBM）
NF（ dB）的
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率（GHz ）
85°C
25°C
-40°C
20
15
P1dB的（ DBM）
5.5V
5.0V
4.5V
15
10
10
5
5
85°C
25°C
-40°C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率（GHz ）
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率（GHz ）
图9.噪声系数与频率的关系和
温度。
对于1分贝增益图10.输出功率
压缩与频率和电压。
对于1分贝增益图11.输出功率
压缩与频率和温度。
4
ABA - 54563的典型表现，
持续
T
c
= + 25 ° C，Z
o
= 50, V
cc
= 5V ，除非另有说明。
40
35
30
OIP3 （ dBm的）
40
35
30
OIP3 （ dBm的）
25
20
15
10
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率（GHz ）
5.5V
5.0V
4.5V
25
20
15
10
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率（GHz ）
85°C
25°C
-40°C
图12.输出IP3与频率和
电压。
1.6
1.5
14
1.3
1.2
1.1
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率（GHz ）
在VSWR
VSWR OUT
图13.输出IP3与频率和
温度。
100
85°C
25°C
-40°C
80
ICC （MA ）
VSWR
60
40
20
0
0
1
2
3
工作电压（V ）
4
5
6
图14.输入和输出VSWR主场迎战
频率。
图15.电源电流与电压和
温度。
5
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