ABA - 53563绝对最大额定值
[1]
符号
V
cc
P
in
P
DISS
T
j
T
英镑
参数
设备的电压， RF输出到地面（T = 25℃）
CW RF输入功率（ VCC = 5V ）
总功耗
[3]
结温
储存温度
单位
V
DBM
W
°C
°C
绝对最大值。
+7
+20
0.47
150
-65到150
热阻
[2]
（ VCC = 5V ）
θ
jc
= 117 ° C / W
注意事项：
超过任何1.操作此设备的
这些限制可能会造成永久性的损害。
使用150 ℃下测定。2.热电阻
液晶测量技术。
3.委员会（包肚）的温度，TB ，是
25
°C.
减额
8.5
毫瓦/
°C
结核病> 94.8
°C.
电气规格
T
c
= + 25 ° C，Z
o
= 50
,
P
in
= -30 dBm时， V
cc
= 5V ，频率= 2 GHz的，除非另有说明。
符号
Gp
[1]
ΔGp
NF
[1]
P1dB
[1]
OIP3
[1]
VSWR
in[1]
VSWR
out[1]
ICC
[1]
td
[1]
参数和测试条件
功率增益（ | S
21
| )
功率增益平坦度，
噪声系数
在1分贝增益压缩输出功率
输出三阶截点
输入VSWR
输出VSWR
器件的电流
群时延
F = 0.1 2.5 GHz的
F = 0.1 3.5 GHz的
2
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
分钟。
20
典型值。
21.5
0.6
2.7
3.5
12.7
22.9
1.1
1.2
马克斯。
标准偏差。
0.2
4
0.11
0.14
0.14
mA
ps
46
160
57
0.6
注意事项：
于50Ω测试板上采取1.测量如图1所示。过量的电路损耗已解嵌入从实际测量值。标准
偏差和至少基于500份来自6晶圆批次样品大小的典型数据。分配给该产品未来的晶片可具有标称值
内的上下规格界限的任意位置。
C
块
RF输出
3Hx
RFC
VCC
RF输入
C
块
C
绕行
图1. ABA - 53563产品测试电路。
2
ABA - 53563绝对最大额定值
[1]
符号
V
cc
P
in
θ
jc
P
DISS
T
j
T
英镑
参数
器件的电压，射频输出接地
CW RF输入功率（ VCC = 5V ）
热阻
[2]
总功耗
[3]
结温
储存温度
单位
V
DBM
° C / W
W
°C
°C
绝对最大
+8
+20
117
0.6
150
-65到150
注意事项：
超过任何1.操作此设备的
这些限制可能会造成永久性的损害。
使用150 ℃下测定。2.热电阻
液晶测量技术。
3.委员会（包肚）的温度，TB ，是
25 ℃。减免7.5毫瓦/°C的结核病> 70.5 ℃。
电气规格
T
c
= + 25 ° C，Z
o
= 50
,
P
in
= -30 dBm时， V
cc
= 5V ，频率= 2 GHz的，除非另有说明。
符号
Gp
[1]
ΔGp
NF
[1]
P1dB
[1]
OIP3
[1]
VSWR
in[1]
VSWR
out[1]
ICC
[1]
td
[1]
参数和测试条件
功率增益（ | S
21
|)
功率增益平坦度，
噪声系数
在1分贝增益压缩输出功率
输出三阶截点
输入VSWR
输出VSWR
器件的电流
群时延
F = 0.1 2.5 GHz的
F = 0.1 3.5 GHz的
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
分钟。
20
典型值。
21.5
0.5
2.5
3.5
12.7
22.9
1.1
1.2
马克斯。
标准偏差。
0.2
4
0.11
0.14
0.14
mA
ps
46
160
0.6
注意事项：
于50Ω测试板上采取1.测量如图1所示。过量的电路损耗已解嵌入从实际测量值。标准
偏差和至少基于500份来自6晶圆批次样品大小的典型数据。分配给该产品未来的晶片可具有标称值
内的上下规格界限的任意位置。
C
块
RF输出
3H
RFC
VCC
RF输入
C
块
C
绕行
图1. ABA - 53563产品测试电路。
2
ABA-53563
3.5 GHz的宽带硅RFIC放大器
数据表
描述
Avago的ABA - 53563是一款经济，易于使用，
内部50欧姆匹配的硅单片
放大器，提供出色的增益平坦宽带
响应从DC至3.5 GHz的。封装在一个超
微型工业标准SOT- 363封装，
需要SOT- 143封装的一半的电路板空间。
在2 GHz时， ABA - 53563提供了一个小信号增益
21.5分贝， 12.7 dBm到22.9 dBm的输出P1dB为
输出三阶截点。它适合于
用作缓冲放大器的宽带应用。
它们设计用于蜂窝低成本增益模块
应用程序， DBS调谐器， LNB等无线
通信系统。
ABA - 53563采用了Avago的HP25芯片制造
双极型工艺，其采用双扩散
单多晶硅工艺具有自对准的亚微米
发射器的几何形状。该方法能够
同时高F
T
和高击穿NPN
（ 25 GHz的F
T
在6V BVCEO ） 。该方法利用行业
试着标准装置氧化隔离技术，
亚微米铝多层互连
实现卓越的性能，高均匀性，以及
久经考验的可靠性。
表面贴装封装形式： SOT - 363 / SC70
特点
工作频率： DC 3.5GHz的
21.5分贝增益
VSWR < 2.0在整个工作频率
12.7 dBm的输出P1dB为
3.5分贝的噪音图
无条件稳定
单5V电源（ID = 46毫安）
提供无铅选项
应用
放大器蜂窝，无绳，专用移动无线电， PCS ，
ISM ，无线局域网，星展银行， TVRO和电视调谐器的应用
注意事项：
请遵守注意事项
静电处理
敏感的设备。
ESD机模型（ A类）
ESD人体模型（ 1A级）
参见安捷伦应用笔记A004R ：
静电放电危害及防治。
简化的原理图
VCC
RF
产量
&的Vcc
引脚连接和封装标识
GND 1
GND 2
输入
产量
&的Vcc
注意：
俯视图。包装标识规定的方向
和鉴定。 “x”是字符识别
日期代码。
3Hx
RF
输入
GND 3
地2
VCC
地面3
地面1
ABA - 53563绝对最大额定值
[1]
符号
V
cc
P
in
P
DISS
T
j
T
英镑
参数
设备的电压， RF输出到地面（T = 25℃）
CW RF输入功率（ VCC = 5V ）
总功耗
[3]
结温
储存温度
单位
V
DBM
W
°C
°C
绝对最大值。
+7
+20
0.47
150
-65到150
热阻
[2]
（ VCC = 5V ）
θ
jc
= 117 ° C / W
注意事项：
超过任何1.操作此设备的
这些限制可能会造成永久性的损害。
使用150 ℃下测定。2.热电阻
液晶测量技术。
3.委员会（包肚）的温度，TB ，是
25 ℃。减免5毫瓦/°C的结核病> 94.8 ℃。
电气规格
T
c
= + 25 ° C，Z
o
= 50
,
P
in
= -30 dBm时， V
cc
= 5V ，频率= 2 GHz的，除非另有说明。
符号
Gp
[1]
ΔGp
NF
[1]
P1dB
[1]
OIP3
[1]
VSWR
in[1]
VSWR
out[1]
ICC
[1]
td
[1]
参数和测试条件
功率增益（ | S
21
| )
功率增益平坦度，
噪声系数
在1分贝增益压缩输出功率
输出三阶截点
输入VSWR
输出VSWR
器件的电流
群时延
F = 0.1 2.5 GHz的
F = 0.1 3.5 GHz的
2
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
分钟。
20
典型值。
21.5
0.6
2.7
3.5
12.7
22.9
1.1
1.2
马克斯。
标准偏差。
0.2
4
0.11
0.14
0.14
mA
ps
46
160
57
0.6
注意事项：
于50Ω测试板上采取1.测量如图1所示。过量的电路损耗已解嵌入从实际测量值。标准
偏差和至少基于500份来自6晶圆批次样品大小的典型数据。分配给该产品未来的晶片可具有标称值
内的上下规格界限的任意位置。
C
块
RF输出
3Hx
RFC
VCC
RF输入
C
块
C
绕行
图1. ABA - 53563产品测试电路。
2
QQ：2881677436 复制
