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30V N沟道功率MOSFET
概述
该AAT9055 30 V的N沟道功率MOSFET是一种
诺的TrenchDMOS 成员的精良
UCT的家庭。使用超高密度的专有
TrenchDMOS技术,这款产品demon-
strates高功率处理和小尺寸。
AAT9055
特点
PWMSwitch
V
DS ( MAX)
= 30V
I
D(最大)
1
= 12一@ T
C
= 25°C
I
APP (MAX)中
= 6A典型的计算机应用
低R
DS ( ON)
:
56 mΩ的@V
GS
= 10V
90 mΩ的@V
GS
= 4.5V
应用
DC- DC转换器
高电流负载开关
LDO输出
DPAK封装
漏极连接选项卡
初步信息
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
价值
30
±20
±12
±10
±16
12
22
14
-55到150
描述
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ T
J
=150°C
1
单位
V
T
C
= 25°C
T
C
= 70°C
漏电流脉冲
3
连续源电流(源极 - 漏极二极管)
1
T
C
= 25°C
最大功率耗散
1
T
C
= 70°C
工作结存储温度范围
A
W
°C
热特性
符号
R
θJA
R
典型值
R
θJC
描述
最大结点到环境
典型结到环境的PC板
最大结到外壳
2
价值
100
28
5.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
9055.2003.04.0.61
1
30V N沟道功率MOSFET
电气特性
符号
描述
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250A
V
GS
= 10V ,我
D
=12A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=10A
V
GS
=10V, V
DS
= 5V (脉冲)
V
GS
=V
DS
, I
D
=250A
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
GS
=0V,V
DS
=30V
V
GS
=0V,V
DS
= 30V ,T
J
=70°C
V
DS
= 5V ,我
D
=4A
V
DS
= 15V ,R
D
=2.5, V
GS
=5V
V
DS
= 15V ,R
D
=2.5, V
GS
=10V
V
DS
= 15V ,R
D
=2.5, V
GS
=10V
V
DS
= 15V ,R
D
=2.5, V
GS
=10V
V
DD
= 15V ,R
D
=2.5, V
GS
=10V,
V
DD
= 15V ,R
D
=2.5, V
GS
=10V,
V
DD
= 15V ,R
D
=2.5, V
GS
=10V,
V
DD
= 15V ,R
D
=2.5, V
GS
=10V,
3
AAT9055
30
典型值
最大
单位
V
DC特性
BV
DSS
漏源击穿电压
R
DS ( ON)
I
D(上)
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
漏源导通电阻
通态漏电流
3
栅极阈值电压
门体漏电流
漏源极漏电流
3
44
68
16
1.0
56
90
m
A
V
nA
A
S
±100
1
25
6
4.2
7.7
1.35
1.2
2.5
2.6
12
5.7
1.2
1.5
12
g
fs
正向跨导
3
动态特性
4
Q
G
总栅极电荷
Q
GT
总栅极电荷
Q
GS
栅极 - 源电荷
Q
GD
栅极 - 漏极电荷
t
D(上)
导通延迟
t
R
开启上升时间
t
D(关闭)
关断延时
t
F
关断下降时间
源极 - 漏极二极管的特性
V
SD
源极 - 漏极的正向电压
I
S
连续二极管电流
1
注意事项:
nC
R
G
=6
R
G
=6
R
G
=6
R
G
=6
ns
V
GS
=0, I
S
=12A
V
A
1.基于散热从结点到外壳。
θJC
+ R
= CA
= R
θJA
其中所述壳体热参考被定义为焊料
漏片的安装表面。
θJC
由设计,但保证
= CA
被PCB设计决定。套餐电流
限于8A DC和16A脉冲。
2.安装在典型的计算机主板。
3.脉冲测量300微秒。
4.通过设计保证。不受生产测试。
2
9055.2003.04.0.61
30V N沟道功率MOSFET
典型特征
输出特性
16
AAT9055
传输特性
16
10V
12
5V
6V
4.5V
12
V
D
=V
G
-55°C
25°C
125°C
I
DS
(A)
8
I
D
(A)
4V
3.5V
3V
8
4
4
0
0
3
4
0
1
2
0
1
2
3
4
5
V
DS
(V)
V
GS
(V)
导通电阻与漏电流
120
100
100
80
导通电阻与栅极至源极电压
R
DS ( ON)
(m)
R
DS ( ON)
(m)
80
I
D
= 10A
60
V
GS
= 4.5V
60
40
20
0
0
4
8
12
16
2V
40
20
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
= 10V
I
D
(A)
V
GS
(V)
栅极电荷
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
0.1
0.4
源极 - 漏极二极管正向电压
100
V
D
=15V
R
D
=2.5
10
T
J
= 150°C
V
GS
(V)
I
S
(A)
1
T
J
= 25°C
0.6
0.8
1
1.2
1.4
Q
G
,费( NC)
V
SD
(V)
9055.2003.04.0.61
3
30V N沟道功率MOSFET
订购信息
TO- 252 ( DPAK )
记号
9055
型号(卷带式)
AAT9055INY-T1
AAT9055
注:样本股一般是举行中列出的所有部件号
大胆。
包装信息
TO- 252 ( DPAK )
6.54
±
0.19
5.205
±
0.255
9.855
±
0.555
5.775
±
0.445
1.46
±
0.57
7.5°
±
7.5°
2.285
±
0.105
0.83
±
0.19
2.67 REF
2.29 BSC
1.145
0.72
±
0.17
0.58
±
0.13
0.13
1.59
±
0.19
以毫米为单位的所有测量。
研诺逻辑不承担使用比电路完全体现在诺产品以外的任何电路的责任。任何电路专利许可,版权,口罩工作
权利或其他知识产权的暗示。
研诺逻辑保留更改他们的产品或规格或终止的任何产品或服务,恕不另行通知,并提醒顾客获取最新的权利
版本的相关信息来验证,在下订单之前,该信息被依赖是当前和完整。所有产品的销售都遵循销售条款和条件
在订单确认时所提供的,包括与保修,专利侵权,并赔偿责任限制。
其半导体产品的诺保证产品性能在销售时按照AnalogicTech的标准保修时间的规范。测试和
其它质量控制技术被用来诺认为有必要支持这项保证的程度。每个器件的所有参数的具体测试不一定
进行。
研诺逻辑科技有限公司
830 E.阿尔克大道,桑尼维尔,CA 94085
电话( 408 ) 737-4600
传真:( 408 ) 737-4611
4
9055.2003.04.0.61
0.50
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AAT9055
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:075584505750
联系人:刘生
地址:龙岗区横岗街道华侨新村社区荣德时代广场A2301
AAT9055
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18260
TO-252
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电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2(本公司为一般纳税人,可开增票)
AAT9055
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电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
AAT9055
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真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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