30V N沟道功率MOSFET
概述
该AAT9055 30 V的N沟道功率MOSFET是一种
诺的TrenchDMOS 成员的精良
UCT的家庭。使用超高密度的专有
TrenchDMOS技术,这款产品demon-
strates高功率处理和小尺寸。
AAT9055
特点
PWMSwitch
V
DS ( MAX)
= 30V
I
D(最大)
1
= 12一@ T
C
= 25°C
I
APP (MAX)中
= 6A典型的计算机应用
低R
DS ( ON)
:
56 mΩ的@V
GS
= 10V
90 mΩ的@V
GS
= 4.5V
应用
DC- DC转换器
高电流负载开关
LDO输出
DPAK封装
漏极连接选项卡
初步信息
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
价值
30
±20
±12
±10
±16
12
22
14
-55到150
描述
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ T
J
=150°C
1
单位
V
T
C
= 25°C
T
C
= 70°C
漏电流脉冲
3
连续源电流(源极 - 漏极二极管)
1
T
C
= 25°C
最大功率耗散
1
T
C
= 70°C
工作结存储温度范围
A
W
°C
热特性
符号
R
θJA
R
典型值
R
θJC
描述
最大结点到环境
典型结到环境的PC板
最大结到外壳
2
价值
100
28
5.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
9055.2003.04.0.61
1
30V N沟道功率MOSFET
订购信息
包
TO- 252 ( DPAK )
记号
9055
型号(卷带式)
AAT9055INY-T1
AAT9055
注:样本股一般是举行中列出的所有部件号
大胆。
包装信息
TO- 252 ( DPAK )
6.54
±
0.19
5.205
±
0.255
9.855
±
0.555
5.775
±
0.445
1.46
±
0.57
7.5°
±
7.5°
2.285
±
0.105
0.83
±
0.19
2.67 REF
2.29 BSC
1.145
0.72
±
0.17
0.58
±
0.13
0.13
1.59
±
0.19
以毫米为单位的所有测量。
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