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AAT8515
20V P沟道功率MOSFET
概述
该AAT8515是一个低阈值P沟道MOSFET
专供电池，手机和PDA马歇尔
凯茨。采用AnalogicTech的超高密度的MOSFET导
FET工艺，节省空间，小外形， J形引脚
包，性能优于通常
在一个TSOP - 6的足迹发现已经挤进
一个SC70JW - 8封装的占位面积。
特点
漏源极电压（最大） ： -20V
连续漏电流
1
（最大） ：
-5.4A @ 25°C
低导通电阻：
= 35mΩ @ V
GS
= -4.5V
- 的60mΩ @ V
GS
= -2.5V
应用
电池组
电池供电的便携式设备
蜂窝和无绳电话
SC70JW - 8封装
顶视图
D
8
D
7
D
6
D
5
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
T
J
T
英镑
1
S
2
S
3
S
4
G
描述
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ T
J
= 150°C
1
漏电流脉冲
2
连续源电流（源极 - 漏极二极管）
1
工作结温范围
存储温度范围
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
价值
-20
±12
±5.4
±4.3
±32
-1.5
-55到150
-55到150
单位
V
A
°C
°C
热特性
1
符号
R
θJA
R
θJA2
R
θJF
P
D
描述
结至环境稳态
结至环境t<5秒
结到脚
最大功率耗散
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
典型值
100
61
33
最大
120
73.5
40
1.7
1.0
单位
° C / W
° C / W
° C / W
W
安装在1" X 1" PCB采用优化的布局1.根据结点到环境的同时散热。在5秒钟的脉搏
1" X 1" PCB接近测试安装在一个大型的多层印刷电路板在大多数应用中的设备。
θJF
+ R
-FA
= R
θJA
其中，
脚热参考被定义为设备的引线的正常焊接安装表面。
θJF
由设计;不过，
R
= CA
被PCB设计决定。实际最大连续电流由该应用程序的设计限制。
2.脉冲测试：脉冲宽度= 300μS 。
8515.2005.04.1.0
1
AAT8515
20V P沟道功率MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ℃，除非另有说明。
符号说明
DC特性
BV
DSS
漏源击穿
电压
R
DS （ ON）
漏源导通电阻
1
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
民
-20
TYP MAX
单位
V
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -5.4A
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -4.1A
1
I
D（上）
通态漏电流
V
GS
= -4.5V, V
DS
= -5V （脉冲的）
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
I
GSS
门体漏电流
V
GS
= ±12V, V
DS
= 0V
V = 0V, V
DS
= -20V
I
DSS
漏源极漏电流
GS
V
GS
= 0V, V
DS
= -16V ，T
J
= 70°C
2
g
fs
正向跨导
1
V
DS
= -5V ，我
D
= -5.4A
2
动态特性
Q
G
总栅极电荷
V
DS
= -15V ，R
D
= 2.3, V
GS
= -4.5V
Q
GS
栅极 - 源电荷
V
DS
= -15V ，R
D
= 2.3, V
GS
= -4.5V
Q
GD
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= -15V ，R
D
= 2.3, V
GS
= -4.5V
t
D（上）
导通延迟
V
DS
= -15V ，R
D
= 2.3, V
GS
= -4.5V ，R
G
= 6
t
R
开启上升时间
V
DS
= -15V ，R
D
= 2.3, V
GS
= -4.5V ，R
G
= 6
t
D（关闭）
关断延时
V
DS
= -15V ，R
D
= 2.3, V
GS
= -4.5V ，R
G
= 6
t
F
关断下降时间
V
DS
= -15V ，R
D
= 2.3, V
GS
= -4.5V ，R
G
= 6
源极 - 漏极二极管的特性
V
SD
源极 - 漏极转发
V
GS
= 0, I
S
= -5.4A
1
电压
I
S
连续二极管电流
3
27
46
-32
-0.6
35
60
m
A
V
nA
A
S
±100
-1
-5
12
13.6
2.3
5.5
10
37
36
52
-1.4
-1.5
nC
ns
V
A
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300μS 。
2.设计保证。不受生产测试。
安装在1" X 1"与PCB布局优化3.基于结点到环境的同时散热。在5秒钟的脉搏
1" X 1" PCB接近测试安装在一个大型的多层印刷电路板在大多数应用中的设备。
θJF
+ R
-FA
= R
θJA
其中，
脚热参考被定义为设备的引线的正常焊接安装表面。
θJF
由设计;不过，
R
= CA
被PCB设计决定。实际最大连续电流由该应用程序的设计限制。
2
8515.2005.04.1.0
AAT8515
20V P沟道功率MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ℃，除非另有说明。
输出特性
32
传输特性
32
5V
4.5V
24
4V
3.5V
V
D
=V
G
24
25°C
-55°C
125°C
3V
I
DS
(A)
I
D
(A)
2V
8
16
16
2.5V
8
1.5V
0
0
1
2
3
4
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(V)
V
GS
(V)
导通电阻与漏电流
60
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
10
12
120
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 6.5A
V
GS
= 2.5 V
R
DS （ ON）
(m)
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
R
DS （ ON）
(m)
V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
V
GS
(V)
导通电阻与结温
1.4
1.3
0.5
阈值电压
I
D
= 250A
归一化
DS （ ON）
V
GS （ TH）
方差（ V）
V
GS
= 4.5V
I
D
= 6.5A
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-0.1
-0.2
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-0.3
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
(°C)
T
J
(°C)
8515.2005.04.1.0
3
AAT8515
20V P沟道功率MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ℃，除非另有说明。
栅极电荷
5
4
3
源极 - 漏极二极管正向电压
100
V
D
=15V
I
D
=6.5A
10
T
J
= 150°C
V
GS
(V)
I
S
(A)
2
1
0
0
3
6
9
12
15
T
J
= 25°C
1
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
Q
G
，费（ NC）
V
SD
(V)
电容
2000
电容（pF）
1600
1200
C
国际空间站
800
C
OSS
400
C
RSS
0
0
5
10
15
20
V
DS
(V)
4
8515.2005.04.1.0
AAT8515
20V P沟道功率MOSFET
订购信息
包
SC70JW-8
记号
1
GTXYY
型号（卷带式）
2
AAT8515IJS-T1
包装信息
SC70JW-8
0.50 BSC 0.50 BSC 0.50 BSC
1.75
±
0.10
0.225
±
0.075
2.00
±
0.20
2.20
±
0.20
0.048REF
0.15
±
0.05
0.85
±
0.15
1.10最大
0.100
7°
±
3°
0.45
±
0.10
2.10
±
0.30
4°
±
4°
以毫米为单位所有尺寸。
1. XYY =装配和日期代码。
2.样本股普遍认为在上市部分的数字
大胆。
8515.2005.04.1.0
0.05
±
0.05
5
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AD1986ABSTZ
供货商
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厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    AAT8515
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AAT8515
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AAT8515
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电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
AAT8515
ANALOGIC
25+
4500
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
AAT8515
ANALOGIC
21+
9200
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