AAT8343
20V P沟道功率MOSFET
概述
该AAT8343是一个低门槛的P沟道MOSFET导
场效应管设计的电池，手机和PDA
市场。采用AnalogicTech的超高密度
专有TrenchDMOS 技术，该产品
表明高功率处理和小尺寸。
特点
漏源极电压（最大） ： -20V
连续漏电流
1
（最大） ：
-4.5A @ 25°C
低导通电阻：
- 的60mΩ @ V
GS
= -4.5V
= 110mΩ @ V
GS
= -2.5V
应用
电池组
电池供电的便携式设备
蜂窝和无绳电话
TSOP -6封装
顶视图
D
6
D
5
S
4
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
T
J
T
英镑
1
D
2
D
3
G
描述
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ T
J
= 150°C
1
漏电流脉冲
2
连续源电流（源极 - 漏极二极管）
1
工作结温范围
存储温度范围
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
价值
-20
±12
±4.5
±3.6
±16
-1.3
-55到150
-55到150
单位
V
A
°C
°C
热特性
1
符号
R
θJA
R
θJA2
R
θJF
P
D
描述
结至环境稳态
结至环境t<5秒
结到脚
最大功率耗散
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
典型值
95
51
25
最大
115
62
30
2.0
1.3
单位
° C / W
° C / W
° C / W
W
安装在1" X 1" PCB采用优化的布局1.根据结点到环境的同时散热。在5秒钟的脉搏
1" X 1" PCB接近测试安装在一个大型的多层印刷电路板在大多数应用中的设备。
θJF
+ R
-FA
= R
θJA
其中，
脚热参考被定义为设备的引线的正常焊接安装表面。
θJF
由设计;不过，
R
= CA
被PCB设计决定。实际最大连续电流由该应用程序的设计限制。
2.脉冲测试：脉冲宽度= 300μS 。
8343.2005.04.1.0
1
AAT8343
20V P沟道功率MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ℃，除非另有说明。
符号说明
DC特性
BV
DSS
漏源击穿
电压
R
DS （ ON）
漏源导通电阻
1
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
民
-20
典型值
最大
单位
V
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -4.5A
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -3.3A
1
I
D（上）
通态漏电流
V
GS
= -4.5V, V
DS
= -5V （脉冲的）
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
I
GSS
门体漏电流
V
GS
= ±12V, V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
= -20V
I
DSS
漏源极漏电流
V
GS
= 0V, V
DS
= -16V ，T
J
= 70°C
2
g
fs
正向跨导
1
V
DS
= -5V ，我
D
= -4.5A
2
动态特性
Q
G
总栅极电荷
V
DS
= -10V ，R
D
= 2.2, V
GS
= -4.5V
Q
GS
栅极 - 源电荷
V
DS
= -10V ，R
D
= 2.2, V
GS
= -4.5V
Q
GD
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= -10V ，R
D
= 2.2, V
GS
= -4.5V
t
D（上）
导通延迟
V
DS
= -10V ，R
D
= 2.2, V
GS
= -4.5V ，R
G
= 6
t
R
开启上升时间
V
DS
= -10V ，R
D
= 2.2, V
GS
= -4.5V ，R
G
= 6
t
D（关闭）
关断延时
V
DS
= -10V ，R
D
= 2.2, V
GS
= -4.5V ，R
G
= 6
t
F
关断下降时间
V
DS
= -10V ，R
D
= 2.2, V
GS
= -4.5V ，R
G
= 6
源极 - 漏极二极管的特性
V
SD
源极 - 漏极转发
V
GS
= 0, I
S
= -4.5A
1
电压
I
S
连续二极管电流
3
49
85
-16
-0.6
60
110
m
A
V
nA
A
S
±100
-1
-5
7
8.5
1.8
2.9
12
32
64
40
-1.3
-1.3
nC
ns
V
A
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300μS 。
2.设计保证。不受生产测试。
安装在1" X 1"与PCB布局优化3.基于结点到环境的同时散热。在5秒钟的脉搏
1" X 1" PCB接近测试安装在一个大型的多层印刷电路板在大多数应用中的设备。
θJF
+ R
-FA
= R
θJA
其中，
脚热参考被定义为设备的引线的正常焊接安装表面。
θJF
由设计;不过，
R
= CA
被PCB设计决定。实际最大连续电流由该应用程序的设计限制。
2
8343.2005.04.1.0
20V P沟道功率MOSFET
概述
该AAT8343是一个低门槛的P沟道MOSFET导
场效应管设计的电池，手机和PDA
市场。采用AnalogicTech的超高密度
专有TrenchDMOS 技术，该产品
表明高功率处理和小尺寸。
AAT8343
特点
漏源极电压（最大） ： -20V
连续漏电流
1
（最大） ：
-4.5A @ 25°C
低导通电阻：
- 的60mΩ @ V
GS
= -4.5V
= 110mΩ @ V
GS
= -2.5V
应用
电池组
电池供电的便携式设备
蜂窝和无绳电话
TSOP -6封装
顶视图
D
6
D
5
S
4
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
T
J
T
英镑
1
D
2
D
3
G
描述
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ T
J
= 150°C
1
漏电流脉冲
2
连续源电流（源极 - 漏极二极管）
1
工作结温范围
存储温度范围
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
价值
-20
±12
±4.5
±3.6
±16
-1.3
-55到150
-55到150
单位
V
A
°C
°C
热特性
1
符号
R
θJA
R
θJA2
R
θJF
P
D
描述
结至环境稳态
结至环境t<5秒
结到脚
最大功率耗散
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
典型值
95
51
25
最大
115
62
30
2.0
1.3
单位
° C / W
° C / W
° C / W
W
安装在1" X 1" PCB采用优化的布局1.根据结点到环境的同时散热。在5秒钟的脉搏
1" X 1" PCB接近测试安装在一个大型的多层印刷电路板在大多数应用中的设备。
θJF
+ R
-FA
= R
θJA
其中，
脚热参考被定义为设备的引线的正常焊接安装表面。
θJF
由设计;不过，
R
= CA
被PCB设计决定。实际最大连续电流由该应用程序的设计限制。
2.脉冲测试：脉冲宽度= 300μS 。
8343.2006.11.1.1
1
20V P沟道功率MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ℃，除非另有说明。
符号说明
DC特性
BV
DSS
漏源击穿
电压
R
DS （ ON）
漏源导通电阻
1
AAT8343
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
民
-20
典型值
最大
单位
V
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -4.5A
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -3.3A
1
I
D（上）
通态漏电流
V
GS
= -4.5V, V
DS
= -5V （脉冲的）
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
I
GSS
门体漏电流
V
GS
= ±12V, V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
= -20V
I
DSS
漏源极漏电流
V
GS
= 0V, V
DS
= -16V ，T
J
= 70°C
2
g
fs
正向跨导
1
V
DS
= -5V ，我
D
= -4.5A
2
动态特性
Q
G
总栅极电荷
V
DS
= -10V ，R
D
= 2.2Ω, V
GS
= -4.5V
Q
GS
栅极 - 源电荷
V
DS
= -10V ，R
D
= 2.2Ω, V
GS
= -4.5V
Q
GD
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= -10V ，R
D
= 2.2Ω, V
GS
= -4.5V
t
D（上）
导通延迟
V
DS
= -10V ，R
D
= 2.2Ω, V
GS
= -4.5V ，R
G
= 6Ω
t
R
开启上升时间
V
DS
= -10V ，R
D
= 2.2Ω, V
GS
= -4.5V ，R
G
= 6Ω
t
D（关闭）
关断延时
V
DS
= -10V ，R
D
= 2.2Ω, V
GS
= -4.5V ，R
G
= 6Ω
t
F
关断下降时间
V
DS
= -10V ，R
D
= 2.2Ω, V
GS
= -4.5V ，R
G
= 6Ω
源极 - 漏极二极管的特性
V
SD
源极 - 漏极转发
V
GS
= 0, I
S
= -4.5A
1
电压
I
S
连续二极管电流
3
49
85
-16
-0.6
60
110
mΩ
A
V
nA
A
S
±100
-1
-5
7
8.5
1.8
2.9
12
32
64
40
-1.3
-1.3
nC
ns
V
A
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300μS 。
2.设计保证。不受生产测试。
安装在1" X 1"与PCB布局优化3.基于结点到环境的同时散热。在5秒钟的脉搏
1" X 1" PCB接近测试安装在一个大型的多层印刷电路板在大多数应用中的设备。
θJF
+ R
-FA
= R
θJA
其中，
脚热参考被定义为设备的引线的正常焊接安装表面。
θJF
由设计;不过，
R
= CA
被PCB设计决定。实际最大连续电流由该应用程序的设计限制。
2
8343.2006.11.1.1
20V P沟道功率MOSFET
订购信息
包
TSOP-6
AAT8343
记号
1
KEXYY
型号（卷带式）
2
AAT8343IDU-T1
研诺逻辑的所有产品均采用无铅封装提供。术语“无铅”是指
这是符合欧洲RoHS标准的半导体产品，包括
的要求，即铅的重量不超过均质材料的0.1％ 。欲了解更多
的信息，请访问我们的网站http://www.analogictech.com/pbfree 。
包装信息
TSOP-6
1.90 BSC
0.95 BSC
1.625
±
0.125
0.40
±
0.10
顶视图
2.80
±
0.20
7 ° NOM
2.95
±
0.15
0.09 REF
0.85
±
0.15
1.00
±
0.10
0.09 REF
0.14
±
0.06
4°
±
4°
压力表飞机
0.05
±
0.05
0.60 REF
0.45
±
0.15
0.25 BSC
SIDE VIEW
以毫米为单位所有尺寸。
端视图
1. XYY =装配和日期代码。
2.样本股普遍认为在上市部分的数字
大胆。
8343.2006.11.1.1
5
QQ：2880707522 复制
