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AAT8107
20V P沟道功率MOSFET
概述
该AAT8107低门槛20V ， P沟道MOSFET导
FET是AnalogicTech的TrenchDMOS成员
产品系列。使用的超高密度propri-
etary TrenchDMOS技术， AAT8107是
设计用作在电池电源为电源的负载开关
ERED应用和保护电池组。
特点
TrenchDMOS
V
DS （ MAX）
= -20V
I
D（最大）
1
= -6.5A @ 25°C
低R
DS （ ON）
:
= 35mΩ @ V
GS
= -4.5V
- 的60mΩ @ V
GS
= -2.5V
应用
电池组
电池供电的便携式设备
SOP- 8L封装
顶视图
D
8
D
7
D
6
D
5
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
1
S
2
S
3
S
4
G
描述
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ T
J
=150°C
1
漏电流脉冲
2
连续源电流（源极 - 漏极二极管）
1
最大功率耗散
1
工作结存储温度范围
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
价值
-20
±12
±6.5
±5.2
±32
-1.7
2.5
1.6
-55到150
单位
V
A
W
°C
热特性
符号
R
θJA
R
θJA2
R
θJF
描述
典型的结到环境的稳态
1
最大结到环境t<10秒
1
典型的结到脚
1
价值
80
50
27
单位
° C / W
安装在1" X 1" PCB采用优化的布局1.根据结点到环境的同时散热。在10秒的脉冲
1" X 1" PCB接近测试安装在一个大型的多层印刷电路板在大多数应用中的设备。
θJF
+ R
-FA
= R
θJA
其中，
脚热参考被定义为设备的引线的正常焊接安装表面。
θJF
由设计;不过，
R
= CA
被PCB设计决定。实际最大连续电流由该应用程序的设计限制。
2.脉冲测试：脉冲宽度= 300μS 。
8107.2005.05.1.1
1
AAT8107
20V P沟道功率MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ℃，除非另有说明。
符号说明
DC特性
BV
DSS
漏源击穿
电压
R
DS （ ON）
I
D（上）
V
GS （ TH）
I
GSS
漏源导通电阻
1
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -6.5A
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -5.0A
V
GS
= -4.5V, V
DS
= 5V （脉冲）
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
V
GS
= ±12V, V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
= -20V
V
GS
= 0V, V
DS
= -16V ，T
J
= 70°C
V
DS
= -5V ，我
D
= -6.5A
V
DS
= -15V ，R
D
= 2.3, V
GS
= -4.5V
V
DS
= -15V ，R
D
= 2.3, V
GS
= -4.5V
V
DS
= -15V ，R
D
= 2.3, V
GS
= -4.5V
V
DS
= -15V ，R
D
= 2.3, V
GS
= -4.5V ，R
G
= 6
V
DS
= -15V ，R
D
= 2.3, V
GS
= -4.5V ，R
G
= 6
V
DS
= -15V ，R
D
= 2.3, V
GS
= -4.5V ，R
G
= 6
V
DS
= -15V ，R
D
= 2.3, V
GS
= -4.5V ，R
G
= 6
V
GS
= 0, I
S
= -6.5A
民
-20
典型值
最大
单位
V
27
46
-32
-0.6
35
60
m
A
V
nA
A
S
通态漏电流
1
栅极阈值电压
门体漏电流
漏源极漏
I
DSS
当前
g
fs
正向跨导
1
动态特性
2
Q
G
总栅极电荷
Q
GS
栅极 - 源电荷
Q
GD
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
导通延迟
t
R
开启上升时间
t
D（关闭）
关断延时
t
F
关断下降时间
源极 - 漏极二极管的特性
V
SD
源极 - 漏极转发
电压
1
I
S
连续二极管电流
3
±100
-1
-5
12
13.6
2.3
5.5
10
35
38
50
-1.5
-1.7
nC
ns
V
A
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300μS 。
2.设计保证。不受生产测试。
安装在1" X 1"与PCB布局优化3.基于结点到环境的同时散热。在10秒的脉冲
1" X 1" PCB接近测试安装在一个大型的多层印刷电路板在大多数应用中的设备。
θJF
+ R
-FA
= R
θJA
其中，
脚热参考被定义为设备的引线的正常焊接安装表面。
θJF
由设计;不过，
R
= CA
被PCB设计决定。实际最大连续电流由该应用程序的设计限制。
2
8107.2005.05.1.1
AAT8107
20V P沟道功率MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ℃，除非另有说明。
输出特性
32
传输特性
32
5V
4.5V
24
4V
3.5V
V
D
= V
G
24
25°C
-55°C
125°C
3V
I
DS
(A)
I
D
(A)
2V
8
16
16
2.5V
8
1.5V
0
0
1
2
3
4
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(V)
V
GS
(V)
导通电阻与漏电流
60
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
10
12
120
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 6.5A
V
GS
= 2.5V
R
DS （ ON）
(m)
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
R
DS （ ON）
(m)
V
GS
= 4.5V
I
D
(A)
V
GS
(V)
导通电阻与结温
1.4
0.5
阈值电压
I
D
= 250A
归一化
DS （ ON）
V
GS （ TH）
方差（ V）
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
V
GS
= 4.5V
I
D
= 6.5A
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-0.1
-0.2
-0.3
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
(°C)
T
J
(°C)
8107.2005.05.1.1
3
AAT8107
20V P沟道功率MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ℃，除非另有说明。
栅极电荷
5
4
3
源极 - 漏极二极管正向电压
100
V
D
= 15V
I
D
= 6.5A
10
T
J
= 150°C
V
GS
(V)
I
S
(A)
2
1
0
0
3
6
9
12
15
T
J
= 25°C
1
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
Q
G
，费（ NC）
V
SD
(V)
电容
2000
50
40
单脉冲功率，结到环境
电容（pF）
1600
功率（W）的
1200
C
国际空间站
30
20
800
C
OSS
400
10
C
RSS
0
0
5
10
15
20
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
(V)
时间（s）
瞬态热响应，结到环境
1
0.5
0.2
0.1
归一化有效
瞬态热
阻抗
0.1
0.05
0.02
0.01
1E-04
单脉冲
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
时间（s）
4
8107.2005.05.1.1
AAT8107
20V P沟道功率MOSFET
订购信息
包
SOP-8
记号
8107
型号（卷带式）
1
AAT8107IAS-T1
包装信息
SOP-8
3.90
±
0.10
4.90
±
0.10
6.00
±
0.20
0.375
±
0.125
1.55
±
0.20
45°
0.175
±
0.075
4°
±
4°
0.235
±
0.045
0.825
±
0.445
0.42
±
0.09
×
8
1.27 BSC
以毫米为单位所有尺寸。
1.样本股票普遍认为在列出的所有部件号
大胆。
8107.2005.05.1.1
5
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    AAT8107
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