20V P沟道功率MOSFET
电气特性
符号
描述
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-5A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-4A
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -5V （脉冲）
V
GS
=V
DS
, I
D
=-250A
V
GS
=±12V, V
DS
=0V
V
GS
=0V, V
DS
=-20V
V
GS
=0V, V
DS
= -16V ，T
J
=70°C
3
V
DS
= -5V ，我
D
=-5A
V
DS
=-10V,
V
DS
=-10V,
V
DS
=-10V,
V
DS
=-10V,
V
DS
=-10V,
V
DS
=-10V,
V
DS
=-10V,
2
AAT7357
民
-20
典型值
最大
单位
V
DC特性
BV
DSS
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
I
D（上）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
漏源导通电阻
通态漏电流
2
栅极阈值电压
门体漏电流
漏源极漏电流
2
30
49
-12
-0.6
39
63
m
A
V
nA
A
S
±100
-1
-5
12
14
3.5
5.6
待定
待定
待定
待定
-1.2
-1.3
g
fs
正向跨导
2
动态特性
3
Q
G
总栅极电荷
Q
GS
栅极 - 源电荷
Q
GD
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
导通延迟
t
R
开启上升时间
t
D（关闭）
关断延时
t
F
关断下降时间
源极 - 漏极二极管的特性
V
SD
源极 - 漏极的正向电压
I
S
连续二极管电流
1
R
D
=2.0,
R
D
=2.0,
R
D
=2.0,
R
D
=2.0,
R
D
=2.0,
R
D
=2.0,
R
D
=2.0,
V
GS
=-4.5V
V
GS
=-4.5V
V
GS
=-4.5V
V
GS
=-4.5V,
V
GS
=-4.5V,
V
GS
=-4.5V,
V
GS
=-4.5V,
nC
R
G
=6
R
G
=6
R
G
=6
R
G
=6
ns
V
GS
=0, I
S
=-5A
V
A
注意事项：
安装在1" X 1" PCB采用优化的布局1.根据结点到环境的同时散热。 5秒脉冲上
1" X 1" PCB接近测试安装在一个大型的多层印刷电路板在大多数应用中的设备。
θJF
+ R
-FA
= R
θJA
其中，
脚热参考被定义为设备的引线的正常焊接安装表面。
θJF
然而，通过设计保证，
R
= CA
被PCB设计决定。实际最大连续电流由该应用程序的设计限制。
2.脉冲测试：脉冲宽度= 300微秒
3.通过设计保证。不受生产测试。
2
7357.2003.08.0.6
20V P沟道功率MOSFET
典型特征
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
100
AAT7357
单脉冲功率，结到环境
40
35
30
功率（W）的
1.2
10
25
20
15
10
5
I
S
(A)
1
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
0.1
0
0 .2
0.4
0 .6
0.8
1
0
1.00E-03 1.00E-02 1.00E-01 1.00E+01 1.00E+01 1.00E+02 1.00E+03
V
SD
(V)
时间（s）
瞬态热响应，结到环境
归一化有效
瞬态热阻抗
10
1
.5
0.1
.2
.1
.02
.01
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
时间（s）
4
7357.2003.08.0.6
20V P沟道功率MOSFET
订购信息
包
TSOPJW-8
记号
型号（卷带式）
AAT7357ITS-T1
AAT7357
包装信息
TSOPJW-8
0.325
±
0.075
2.40
±
0.10
0.65 BSC 0.65 BSC 0.65 BSC
2.85
±
0.20
7°
3.025
±
0.075
0.9625
±
0.0375
1.0175
±
0.0925
0.04 REF
0.055
±
0.045
0.010
0.15
±
0.05
0.45
±
0.15
2.75
±
0.25
以毫米为单位所有尺寸。
7357.2003.08.0.6
5
20V P沟道功率MOSFET
概述
该AAT7357是一个低阈值的双P通道
MOSFET的设计的电池，手机，和
PDA市场。采用AnalogicTech的超高
密度MOSFET工艺，节省空间，
小外形， J形引脚封装，性能superi-
或通常采用TSSOP - 8封装发现
已经挤进了足迹
TSOPJW - 8封装。
AAT7357
特点
漏源极电压（最大） ： -20V
连续预防漏电流
1
（ MAX）= -5A @ 25°C
低导通电阻：
= 39mΩ @ V
GS
= -4.5V
= 63mΩ @ V
GS
= -2.5V
双TSOPJW - 8封装
D1
8
应用
电池组
电池供电的便携式设备
蜂窝和无绳电话
顶视图
D1
7
D2
6
D2
5
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
1
S1
2
G1
3
S2
4
G2
描述
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ T
J
= 150°C
1
漏电流脉冲
2
连续源电流（源极 - 漏极二极管）
1
最大功率耗散
1
工作结温范围
存储温度范围
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
价值
-20
±12
±5
±4
±12
-1.3
1.6
1.0
-55到150
-55到150
单位
V
A
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
W
°C
°C
热特性
1
符号
R
θJA
R
θJA2
R
θJF
描述
结到环境的稳态，一个FET上
结至环境t<5秒
结到脚
典型值
115
64
60
最大
140
78
72
单位
° C / W
° C / W
° C / W
安装在1" X 1" PCB采用优化的布局1.根据结点到环境的同时散热。在5秒钟的脉搏
1" X 1" PCB接近测试安装在一个大型的多层印刷电路板在大多数应用中的设备。
θJF
+ R
-FA
= R
θJA
其中，
脚热参考被定义为设备的引线的正常焊接安装表面。
θJF
由设计;不过，
R
= CA
被PCB设计决定。实际最大连续电流由该应用程序的设计限制。
2.脉冲测试：脉冲宽度= 300μS 。
7357.2005.04.1.0
1
20V P沟道功率MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ℃，除非另有说明。
符号说明
条件
最小典型最大单位
V
30
49
39
63
m
A
V
nA
A
S
AAT7357
DC特性
BV
DSS
漏源击穿电压V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
-20
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -5A
R
DS （ ON）
漏源导通电阻
1
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -4A
I
D（上）
通态漏电流
1
V
GS
= -4.5V, V
DS
= -5V （脉冲的）
-12
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
-0.6
I
GSS
门体漏电流
V
GS
= ±12V, V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
= -20V
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
GS
= 0V, V
DS
= -16V ，T
J
= 70°C
2
g
fs
正向跨导
1
V
DS
= -5V ，我
D
= -5A
2
动态特性
Q
G
总栅极电荷
V
DS
= -10V ，R
D
= 2.0, V
GS
= -4.5V
Q
GS
栅极 - 源电荷
V
DS
= -10V ，R
D
= 2.0, V
GS
= -4.5V
Q
GD
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= -10V ，R
D
= 2.0, V
GS
= -4.5V
t
D（上）
导通延迟
V
DS
= -10V ，R
D
= 2.0, V
GS
= -4.5V ，R
G
= 6
t
R
开启上升时间
V
DS
= -10V ，R
D
= 2.0, V
GS
= -4.5V ，R
G
= 6
t
D（关闭）
关断延时
V
DS
= -10V ，R
D
= 2.0, V
GS
= -4.5V ，R
G
= 6
t
F
关断下降时间
V
DS
= -10V ，R
D
= 2.0, V
GS
= -4.5V ，R
G
= 6
源极 - 漏极二极管的特性
V
SD
源极 - 漏极的正向电压
1
V
GS
= 0, I
S
= -5A
3
I
S
连续二极管电流
±100
-1
-5
12
14
3.5
5.6
12
20
33
40
-1.2
-1.3
nC
ns
V
A
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300μS 。
2.设计保证。不受生产测试。
安装在1" X 1"与PCB布局优化3.基于结点到环境的同时散热。在5秒钟的脉搏
1" X 1" PCB接近测试安装在一个大型的多层印刷电路板在大多数应用中的设备。
θJF
+ R
-FA
= R
θJA
其中，
脚热参考被定义为设备的引线的正常焊接安装表面。
θJF
由设计;不过，
R
= CA
被PCB设计决定。实际最大连续电流由该应用程序的设计限制。
2
7357.2005.04.1.0
20V P沟道功率MOSFET
典型特征
AAT7357
T
J
= 25 ℃，除非另有说明。
源极 - 漏极二极管正向电压
100
单脉冲功率，结到环境
40
35
30
功率（W）的
1.2
10
25
20
15
10
5
I
S
(A)
1
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
0.1
0
0
0 .2
0.4
0 .6
0.8
1
1.00E-03 1.00E-02 1.00E-01 1.00E+01 1.00E+01 1.00E+02 1.00E+03
V
SD
(V)
时间（s）
瞬态热响应，结到环境
归一化有效
瞬态热阻抗
10
1
.5
0.1
.2
.1
.02
.01
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
时间（s）
4
7357.2005.04.1.0
20V P沟道功率MOSFET
订购信息
包
TSOPJW-8
AAT7357
记号
1
NBXYY
型号（卷带式）
2
AAT7357ITS-T1
包装信息
TSOPJW-8
0.325
±
0.075
2.40
±
0.10
0.65 BSC 0.65 BSC 0.65 BSC
2.85
±
0.20
7°
0.15
±
0.05
3.025
±
0.075
0.9625
±
0.0375
1.0175
±
0.0925
0.04 REF
0.055
±
0.045
0.010
0.45
±
0.15
2.75
±
0.25
以毫米为单位所有尺寸。
1. XYY =装配和日期代码。
2.样本股普遍认为在上市部分的数字
大胆。
7357.2005.04.1.0
5
20V P沟道功率MOSFET
电气特性
符号
描述
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-5A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-4A
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -5V （脉冲）
V
GS
=V
DS
, I
D
=-250A
V
GS
=±12V, V
DS
=0V
V
GS
=0V, V
DS
=-20V
V
GS
=0V, V
DS
= -16V ，T
J
=70°C
3
V
DS
= -5V ，我
D
=-5A
V
DS
=-10V,
V
DS
=-10V,
V
DS
=-10V,
V
DS
=-10V,
V
DS
=-10V,
V
DS
=-10V,
V
DS
=-10V,
2
AAT7357
民
-20
典型值
最大
单位
V
DC特性
BV
DSS
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
I
D（上）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
漏源导通电阻
通态漏电流
2
栅极阈值电压
门体漏电流
漏源极漏电流
2
30
49
-12
-0.6
39
63
m
A
V
nA
A
S
±100
-1
-5
12
14
3.5
5.6
待定
待定
待定
待定
-1.2
-1.3
g
fs
正向跨导
2
动态特性
3
Q
G
总栅极电荷
Q
GS
栅极 - 源电荷
Q
GD
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
导通延迟
t
R
开启上升时间
t
D（关闭）
关断延时
t
F
关断下降时间
源极 - 漏极二极管的特性
V
SD
源极 - 漏极的正向电压
I
S
连续二极管电流
1
R
D
=2.0,
R
D
=2.0,
R
D
=2.0,
R
D
=2.0,
R
D
=2.0,
R
D
=2.0,
R
D
=2.0,
V
GS
=-4.5V
V
GS
=-4.5V
V
GS
=-4.5V
V
GS
=-4.5V,
V
GS
=-4.5V,
V
GS
=-4.5V,
V
GS
=-4.5V,
nC
R
G
=6
R
G
=6
R
G
=6
R
G
=6
ns
V
GS
=0, I
S
=-5A
V
A
注意事项：
安装在1" X 1" PCB采用优化的布局1.根据结点到环境的同时散热。 5秒脉冲上
1" X 1" PCB接近测试安装在一个大型的多层印刷电路板在大多数应用中的设备。
θJF
+ R
-FA
= R
θJA
其中，
脚热参考被定义为设备的引线的正常焊接安装表面。
θJF
然而，通过设计保证，
R
= CA
被PCB设计决定。实际最大连续电流由该应用程序的设计限制。
2.脉冲测试：脉冲宽度= 300微秒
3.通过设计保证。不受生产测试。
2
7357.2003.08.0.6
20V P沟道功率MOSFET
典型特征
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
100
AAT7357
单脉冲功率，结到环境
40
35
30
功率（W）的
1.2
10
25
20
15
10
5
I
S
(A)
1
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
0.1
0
0 .2
0.4
0 .6
0.8
1
0
1.00E-03 1.00E-02 1.00E-01 1.00E+01 1.00E+01 1.00E+02 1.00E+03
V
SD
(V)
时间（s）
瞬态热响应，结到环境
归一化有效
瞬态热阻抗
10
1
.5
0.1
.2
.1
.02
.01
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
时间（s）
4
7357.2003.08.0.6
20V P沟道功率MOSFET
订购信息
包
TSOPJW-8
记号
型号（卷带式）
AAT7357ITS-T1
AAT7357
包装信息
TSOPJW-8
0.325
±
0.075
2.40
±
0.10
0.65 BSC 0.65 BSC 0.65 BSC
2.85
±
0.20
7°
3.025
±
0.075
0.9625
±
0.0375
1.0175
±
0.0925
0.04 REF
0.055
±
0.045
0.010
0.15
±
0.05
0.45
±
0.15
2.75
±
0.25
以毫米为单位所有尺寸。
7357.2003.08.0.6
5
20V P沟道功率MOSFET
概述
该AAT7357是一个低阈值的双P通道
MOSFET的设计的电池，手机，和
PDA市场。采用AnalogicTech的超高
密度MOSFET工艺，节省空间，
小外形， J形引脚封装，性能superi-
或通常采用TSSOP - 8封装发现
已经挤进了足迹
TSOPJW - 8封装。
AAT7357
特点
漏源极电压（最大） ： -20V
连续预防漏电流
1
（ MAX）= -5A @ 25°C
低导通电阻：
= 39mΩ @ V
GS
= -4.5V
= 63mΩ @ V
GS
= -2.5V
双TSOPJW - 8封装
D1
8
应用
电池组
电池供电的便携式设备
蜂窝和无绳电话
顶视图
D1
7
D2
6
D2
5
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
1
S1
2
G1
3
S2
4
G2
描述
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ T
J
= 150°C
1
漏电流脉冲
2
连续源电流（源极 - 漏极二极管）
1
最大功率耗散
1
工作结温范围
存储温度范围
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
价值
-20
±12
±5
±4
±12
-1.3
1.6
1.0
-55到150
-55到150
单位
V
A
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
W
°C
°C
热特性
1
符号
R
θJA
R
θJA2
R
θJF
描述
结到环境的稳态，一个FET上
结至环境t<5秒
结到脚
典型值
115
64
60
最大
140
78
72
单位
° C / W
° C / W
° C / W
安装在1" X 1" PCB采用优化的布局1.根据结点到环境的同时散热。在5秒钟的脉搏
1" X 1" PCB接近测试安装在一个大型的多层印刷电路板在大多数应用中的设备。
θJF
+ R
-FA
= R
θJA
其中，
脚热参考被定义为设备的引线的正常焊接安装表面。
θJF
由设计;不过，
R
= CA
被PCB设计决定。实际最大连续电流由该应用程序的设计限制。
2.脉冲测试：脉冲宽度= 300μS 。
7357.2005.04.1.0
1
20V P沟道功率MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ℃，除非另有说明。
符号说明
条件
最小典型最大单位
V
30
49
39
63
m
A
V
nA
A
S
AAT7357
DC特性
BV
DSS
漏源击穿电压V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
-20
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -5A
R
DS （ ON）
漏源导通电阻
1
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -4A
I
D（上）
通态漏电流
1
V
GS
= -4.5V, V
DS
= -5V （脉冲的）
-12
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
-0.6
I
GSS
门体漏电流
V
GS
= ±12V, V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
= -20V
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
GS
= 0V, V
DS
= -16V ，T
J
= 70°C
2
g
fs
正向跨导
1
V
DS
= -5V ，我
D
= -5A
2
动态特性
Q
G
总栅极电荷
V
DS
= -10V ，R
D
= 2.0, V
GS
= -4.5V
Q
GS
栅极 - 源电荷
V
DS
= -10V ，R
D
= 2.0, V
GS
= -4.5V
Q
GD
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= -10V ，R
D
= 2.0, V
GS
= -4.5V
t
D（上）
导通延迟
V
DS
= -10V ，R
D
= 2.0, V
GS
= -4.5V ，R
G
= 6
t
R
开启上升时间
V
DS
= -10V ，R
D
= 2.0, V
GS
= -4.5V ，R
G
= 6
t
D（关闭）
关断延时
V
DS
= -10V ，R
D
= 2.0, V
GS
= -4.5V ，R
G
= 6
t
F
关断下降时间
V
DS
= -10V ，R
D
= 2.0, V
GS
= -4.5V ，R
G
= 6
源极 - 漏极二极管的特性
V
SD
源极 - 漏极的正向电压
1
V
GS
= 0, I
S
= -5A
3
I
S
连续二极管电流
±100
-1
-5
12
14
3.5
5.6
12
20
33
40
-1.2
-1.3
nC
ns
V
A
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300μS 。
2.设计保证。不受生产测试。
安装在1" X 1"与PCB布局优化3.基于结点到环境的同时散热。在5秒钟的脉搏
1" X 1" PCB接近测试安装在一个大型的多层印刷电路板在大多数应用中的设备。
θJF
+ R
-FA
= R
θJA
其中，
脚热参考被定义为设备的引线的正常焊接安装表面。
θJF
由设计;不过，
R
= CA
被PCB设计决定。实际最大连续电流由该应用程序的设计限制。
2
7357.2005.04.1.0
20V P沟道功率MOSFET
典型特征
AAT7357
T
J
= 25 ℃，除非另有说明。
源极 - 漏极二极管正向电压
100
单脉冲功率，结到环境
40
35
30
功率（W）的
1.2
10
25
20
15
10
5
I
S
(A)
1
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
0.1
0
0
0 .2
0.4
0 .6
0.8
1
1.00E-03 1.00E-02 1.00E-01 1.00E+01 1.00E+01 1.00E+02 1.00E+03
V
SD
(V)
时间（s）
瞬态热响应，结到环境
归一化有效
瞬态热阻抗
10
1
.5
0.1
.2
.1
.02
.01
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
时间（s）
4
7357.2005.04.1.0
20V P沟道功率MOSFET
订购信息
包
TSOPJW-8
AAT7357
记号
1
NBXYY
型号（卷带式）
2
AAT7357ITS-T1
包装信息
TSOPJW-8
0.325
±
0.075
2.40
±
0.10
0.65 BSC 0.65 BSC 0.65 BSC
2.85
±
0.20
7°
0.15
±
0.05
3.025
±
0.075
0.9625
±
0.0375
1.0175
±
0.0925
0.04 REF
0.055
±
0.045
0.010
0.45
±
0.15
2.75
±
0.25
以毫米为单位所有尺寸。
1. XYY =装配和日期代码。
2.样本股普遍认为在上市部分的数字
大胆。
7357.2005.04.1.0
5
QQ：2880707522 复制
