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AAT3236
300毫安CMOS高性能LDO
概述
该AAT3236是一种微功耗低压差（ LDO ）
线性稳压器，旨在提供一个连续的
300毫安输出负载电流，并且能够han-的
危及周围短时峰值电流高达500mA 。
一个非常小的足迹SOT23-5封装，它是
非常适合于便携式应用的低
噪声，高电源纹波抑制比（ PSRR ） ，
延长电池寿命和小尺寸是至关重要的。
该AAT3236具有快速瞬态响应和
低输出自噪声敏感的RF供电税务局局长
cuitry 。其他功能还包括低静态电流
租金，一般为100μA ，而低压差的典
ically 300mV的满输出负载电流。该装置
有内部输出短路保护和热敏
发作停止，以防止在极端的伤害
条件。
该AAT3236还具有低功耗关断
模式，以延长电池寿命。旁路引脚是亲
单元提供了改善连接 - PSRR性能
安泰从设备参考的外部电容
输出到地面。
该AAT3236可在无铅，采用节省空间的
九facto-荷兰国际集团SOT23-5或SC70JW -8封装
RY-编程电压： 2.5V ， 2.7V ， 2.8V ， 2.85V ，
3.0V ， 3.1V ， 3.3V ， 3.5V ， 3.6V或。
特点
PowerLinear
500mA峰值输出电流
低压差 - 通常为300mV ，在300毫安
保证300毫安输出
高准确度： ± 1.5 ％
100μA静态电流
高电源纹波抑制
- 70分贝在1kHz
- 50分贝在10kHz
极低的自噪声： 45μVRMS
降噪旁路电容
短路保护
过温保护
关断模式，以延长电池寿命
低温COEF网络cient
九工厂编程输出电压
SOT23 5引脚SC70JW或8引脚封装
应用
手机
笔记本电脑
个人便携式电子产品
便携式通信设备
典型用途
V
IN
IN
V
OUT
AAT3236
OUT
BYP
开/关
EN
GND
1μF
10nF
2.2μF
GND
GND
3236.2007.03.1.4
1
AAT3236
300毫安CMOS高性能LDO
引脚说明
针＃
SOT23-5
SC70JW-8
符号
IN
GND
EN
功能
输入电压引脚;应与1μF或更大脱钩
电容。
接地引脚。
使能引脚。当拉低时， PMOS通晶体管导通
断和所有内部电路进入低功率模式下，消耗
小于1μA 。该引脚不应悬空。
旁路电容连接;提高AC纹波抑制，
一个10nF电容连接到GND 。这也将提供一个软
启动功能。
输出引脚;应脱钩与2.2μF电容。
1
2
3
5, 6
8
7
4
1
BYP
5
2, 3, 4
OUT
引脚配置
SOT23-5
（ TOP VIEW ）
SC70JW-8
（ TOP VIEW ）
IN
GND
EN
1
5
OUT
2
3
4
BYP
BYP
OUT
OUT
OUT
1
2
3
4
8
7
6
5
GND
EN
IN
IN
2
3236.2007.03.1.4
AAT3236
300毫安CMOS高性能LDO
绝对最大额定值
1
T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
符号
V
IN
V
ENIN （MAX）中
I
OUT
T
J
描述
输入电压
最大EN为输入电压
直流输出电流
工作结温范围
价值
6
0.3
P
D
/(V
IN
- V
O
)
-40至150
单位
V
V
mA
°C
热信息
2
符号
Θ
JA
P
D
描述
最大热阻（ SOT23-5 ， SC70JW - 8 ）
最大功率耗散（ SOT23-5 ， SC70JW - 8 ）
价值
190
526
单位
° C / W
mW
推荐工作条件
符号
V
IN
T
描述
输入电压
环境温度范围
等级
(V
OUT
+ 0.3 ） 5.5
-40至+85
单位
V
°C
1.强调超过上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。在条件功能操作
系统蒸发散比规定的工作条件等是不是暗示。只有一个绝对最大额定值应在任一时刻被应用。
2.安装在演示板上。
3236.2007.03.1.4
3
AAT3236
300毫安CMOS高性能LDO
电气特性
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1V ，我
OUT
= 1mA时，
OUT
= 2.2μF ，C
IN
= 1μF ，C
BYP
= 10nF电容，T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，除非另外
智者说。对于典型值，T
A
= 25°C.
符号
V
OUT
I
OUT
V
DO
I
SC
I
Q
I
SD
ΔV
OUT
/
V
OUT
*ΔV
IN
描述
输出电压容差
输出电流
输入输出电压差
1
短路电流
地电流
关断电流
线路调整
条件
I
OUT
= 1mA至300毫安
民
T
A
= 25°C
-1.5
T
A
= -40到85°C -2.5
300
典型值
最大
1.5
2.5
单位
%
mA
mV
mA
A
A
%/V
mV
mV
V
V
A
dB
V
OUT
＆ GT ; 1.2V
I
OUT
= 300毫安
V
OUT
＆ LT ; 0.4V
V
IN
= 5V ，空载， EN = V
IN
V
IN
= 5V ， EN = 0V
V
IN
= V
OUT
+ 1 5.5V
300
600
100
500
150
1
0.07
ΔV
OUT
（行）的动态线路调整
ΔV
OUT
（ LOAD ）
V
EN （L）的
V
EN （H）的
I
EN
PSRR
动态负载调节
启用阈值低
启用阈值高
泄漏电流使能引脚
电源抑制比
过温关断
门槛
过温关断
迟滞
输出噪声
输出电压温度
系数
V
IN
= V
OUT
+ 1V至V
OUT
+ 2V,
I
OUT
= 150毫安，T
R
/T
F
= 2s
I
OUT
= 1mA至150毫安，T
R
<5s
1.5
V
EN
= 5V
1kHz
I
OUT
= 10毫安，C
BYP
= 10nF的10kHz的
1MHz
1
30
0.6
1
70
50
47
150
10
45
22
T
SD
T
HYS
e
N
T
C
°C
°C
V
RMS
PPM /°C的
1. V
DO
被定义为V
IN
- V
OUT
当V
OUT
98％的名义。
4
3236.2007.03.1.4
AAT3236
300毫安CMOS高性能LDO
典型特征
漏失电压与温度的关系
400
3.1
降特性
漏失电压（MV ）
300
250
200
150
100
50
0
-40
-20
0
20
40
60
80
I
L
= 300毫安
输出电压（V）
350
3.0
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 50毫安
2.9
I
OUT
= 100毫安
I
OUT
= 150毫安
I
L
= 150毫安
I
L
= 100毫安
I
L
= 50毫安
2.8
I
OUT
= 300毫安
2.7
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
100
120
温度（℃）
输入电压（ V）
地电流与温度的关系
105
120
地电流与输入电压
V
OUT
= 3.0V
I
OUT
= 0
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 300毫安
接地电流（ μA ）
接地电流（ μA ）
100
95
90
85
80
-50
0
50
100
150
100
80
60
40
20
0
2
3
4
5
温度（℃）
输入电压（ V）
漏失电压与输出电流
350
3.014
输出电压与温度的关系
漏失电压（MV ）
85 C
25 C
-40 C
250
200
150
100
50
0
0
50
100
150
200
250
输出电压（V）
300
3.013
3.012
3.011
3.01
3.009
3.008
3.007
300
-50
0
50
100
150
输出电流（mA ）
温度（℃）
3236.2007.03.1.4
5
AAT3236
300毫安CMOS高性能LDO
概述
该AAT3236是一种微功耗低压差（ LDO ）
线性稳压器，旨在提供一个连续的
300毫安输出负载电流，并且能够han-的
危及周围短时峰值电流高达500mA 。
一个非常小的足迹SOT23-5封装，它是
非常适合于便携式应用的低
噪声，高电源纹波抑制比（ PSRR ） ，
延长电池寿命和小尺寸是至关重要的。
该AAT3236具有快速瞬态响应和
低输出自噪声敏感的RF供电税务局局长
cuitry 。其他功能还包括低静态电流
租金，一般为100μA ，而低压差的典
ically 300mV的满输出负载电流。该装置
有内部输出短路保护和热敏
发作停止，以防止在极端的伤害
条件。
该AAT3236还具有低功耗关断
模式，以延长电池寿命。旁路引脚是亲
单元提供了改善连接 - PSRR性能
安泰从设备参考的外部电容
输出到地面。
该AAT3236可在无铅，采用节省空间的
九facto-荷兰国际集团SOT23-5或SC70JW -8封装
RY-编程电压： 2.5V ， 2.7V ， 2.8V ， 2.85V ，
3.0V ， 3.1V ， 3.3V ， 3.5V ， 3.6V或。
特点
PowerLinear
500mA峰值输出电流
低压差 - 通常为300mV ，在300毫安
保证300毫安输出
高准确度： ± 1.5 ％
100μA静态电流
高电源纹波抑制
- 70分贝在1kHz
- 50分贝在10kHz
极低的自噪声： 45μVRMS
降噪旁路电容
短路保护
过温保护
关断模式，以延长电池寿命
低温COEF网络cient
九工厂编程输出电压
SOT23 5引脚SC70JW或8引脚封装
应用
手机
笔记本电脑
个人便携式电子产品
便携式通信设备
典型用途
V
IN
IN
V
OUT
AAT3236
OUT
BYP
开/关
EN
GND
1μF
10nF
2.2μF
GND
GND
3236.2007.03.1.4
1
AAT3236
300毫安CMOS高性能LDO
引脚说明
针＃
SOT23-5
SC70JW-8
符号
IN
GND
EN
功能
输入电压引脚;应与1μF或更大脱钩
电容。
接地引脚。
使能引脚。当拉低时， PMOS通晶体管导通
断和所有内部电路进入低功率模式下，消耗
小于1μA 。该引脚不应悬空。
旁路电容连接;提高AC纹波抑制，
一个10nF电容连接到GND 。这也将提供一个软
启动功能。
输出引脚;应脱钩与2.2μF电容。
1
2
3
5, 6
8
7
4
1
BYP
5
2, 3, 4
OUT
引脚配置
SOT23-5
（ TOP VIEW ）
SC70JW-8
（ TOP VIEW ）
IN
GND
EN
1
5
OUT
2
3
4
BYP
BYP
OUT
OUT
OUT
1
2
3
4
8
7
6
5
GND
EN
IN
IN
2
3236.2007.03.1.4
AAT3236
300毫安CMOS高性能LDO
绝对最大额定值
1
T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
符号
V
IN
V
ENIN （MAX）中
I
OUT
T
J
描述
输入电压
最大EN为输入电压
直流输出电流
工作结温范围
价值
6
0.3
P
D
/(V
IN
- V
O
)
-40至150
单位
V
V
mA
°C
热信息
2
符号
Θ
JA
P
D
描述
最大热阻（ SOT23-5 ， SC70JW - 8 ）
最大功率耗散（ SOT23-5 ， SC70JW - 8 ）
价值
190
526
单位
° C / W
mW
推荐工作条件
符号
V
IN
T
描述
输入电压
环境温度范围
等级
(V
OUT
+ 0.3 ） 5.5
-40至+85
单位
V
°C
1.强调超过上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。在条件功能操作
系统蒸发散比规定的工作条件等是不是暗示。只有一个绝对最大额定值应在任一时刻被应用。
2.安装在演示板上。
3236.2007.03.1.4
3
AAT3236
300毫安CMOS高性能LDO
电气特性
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1V ，我
OUT
= 1mA时，
OUT
= 2.2μF ，C
IN
= 1μF ，C
BYP
= 10nF电容，T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，除非另外
智者说。对于典型值，T
A
= 25°C.
符号
V
OUT
I
OUT
V
DO
I
SC
I
Q
I
SD
ΔV
OUT
/
V
OUT
*ΔV
IN
描述
输出电压容差
输出电流
输入输出电压差
1
短路电流
地电流
关断电流
线路调整
条件
I
OUT
= 1mA至300毫安
民
T
A
= 25°C
-1.5
T
A
= -40到85°C -2.5
300
典型值
最大
1.5
2.5
单位
%
mA
mV
mA
A
A
%/V
mV
mV
V
V
A
dB
V
OUT
＆ GT ; 1.2V
I
OUT
= 300毫安
V
OUT
＆ LT ; 0.4V
V
IN
= 5V ，空载， EN = V
IN
V
IN
= 5V ， EN = 0V
V
IN
= V
OUT
+ 1 5.5V
300
600
100
500
150
1
0.07
ΔV
OUT
（行）的动态线路调整
ΔV
OUT
（ LOAD ）
V
EN （L）的
V
EN （H）的
I
EN
PSRR
动态负载调节
启用阈值低
启用阈值高
泄漏电流使能引脚
电源抑制比
过温关断
门槛
过温关断
迟滞
输出噪声
输出电压温度
系数
V
IN
= V
OUT
+ 1V至V
OUT
+ 2V,
I
OUT
= 150毫安，T
R
/T
F
= 2s
I
OUT
= 1mA至150毫安，T
R
<5s
1.5
V
EN
= 5V
1kHz
I
OUT
= 10毫安，C
BYP
= 10nF的10kHz的
1MHz
1
30
0.6
1
70
50
47
150
10
45
22
T
SD
T
HYS
e
N
T
C
°C
°C
V
RMS
PPM /°C的
1. V
DO
被定义为V
IN
- V
OUT
当V
OUT
98％的名义。
4
3236.2007.03.1.4
AAT3236
300毫安CMOS高性能LDO
典型特征
漏失电压与温度的关系
400
3.1
降特性
漏失电压（MV ）
300
250
200
150
100
50
0
-40
-20
0
20
40
60
80
I
L
= 300毫安
输出电压（V）
350
3.0
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 50毫安
2.9
I
OUT
= 100毫安
I
OUT
= 150毫安
I
L
= 150毫安
I
L
= 100毫安
I
L
= 50毫安
2.8
I
OUT
= 300毫安
2.7
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
100
120
温度（℃）
输入电压（ V）
地电流与温度的关系
105
120
地电流与输入电压
V
OUT
= 3.0V
I
OUT
= 0
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 300毫安
接地电流（ μA ）
接地电流（ μA ）
100
95
90
85
80
-50
0
50
100
150
100
80
60
40
20
0
2
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温度（℃）
输入电压（ V）
漏失电压与输出电流
350
3.014
输出电压与温度的关系
漏失电压（MV ）
85 C
25 C
-40 C
250
200
150
100
50
0
0
50
100
150
200
250
输出电压（V）
300
3.013
3.012
3.011
3.01
3.009
3.008
3.007
300
-50
0
50
100
150
输出电流（mA ）
温度（℃）
3236.2007.03.1.4
5
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AN6298NS
AT28C010-12JU
AM93425ADC
AE12A48-6
AM29LV017D-70FI
AME8501CEETDE20
AS91L1006U40L100CF
AD8061ARTZ-R2
AM29F200BB-55EK
AMMC-5024-W10
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AAT3236IJS-3.1-T1
    -
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地址：广东深圳福田区华强北上步工业区405栋6楼607
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