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AAT3236
300毫安CMOS高性能LDO
概述
该AAT3236是一款微低压差
线性稳压器,旨在提供一个连续的
300毫安输出负载电流,并且能够han-的
危及周围短时峰值电流高达500mA 。
一个非常小的足迹SOT23-5封装是
非常适合于便携式应用的低
噪声,高电源纹波抑制,延长
电池寿命和小尺寸是至关重要的。该AAT3236
具有快速瞬态响应和低产出的自我
噪音对供电敏感的射频电路。等为特色的
Tures的包括低静态电流,典型
100μA ,而低压差电压,通常为300mV时
全输出负载电流。该器件具有内部输出
把短路保护和热关机
防止在极端条件下的损坏。
该AAT3236还具有低功耗关断
模式,以延长电池寿命。旁路引脚是亲
单元提供了改善连接 - PSRR性能
安泰从AAT3236的为参考的外部电容
EnCE的输出接地。
该AAT3236是在节省空间可用
SOT23-5或SC70JW - 8封装厂7亲
2.5V的编程电压, 2.7V , 2.8V , 2.85V , 3.0V ,
3.3V , 3.5V或。
特点
PowerLinear
500mA峰值输出电流
低压差 - 通常为300mV ,在300毫安
保证300毫安输出
高精确度± 1.5 %
100μA静态电流
高电源纹波抑制
70分贝在1kHz
50分贝在10kHz
极低的自噪声45μVRMS / rtHz的
降噪旁路电容
短路保护
过温保护
关断模式,以延长电池寿命
低温COEF网络cient
7工厂编程输出电压
SOT - 23 5引脚SC70JW或8引脚封装
初步信息
应用
手机
笔记本电脑
便携式通信设备
个人便携式电子产品
典型用途
V
IN
IN
V
OUT
AAT3236
OUT
BYP
开/关
EN
GND
1F
10nF
2.2F
GND
GND
3236.2001.11.0.9
1
AAT3236
300毫安CMOS高性能LDO
引脚说明
针#
SOT23-5
SC70JW-8
符号
IN
GND
EN
功能
输入电压引脚 - 应该用1μF或更大脱钩
电容。
接地引脚
使能引脚 - 引脚内部拉高。当拉低
在PMOS导通晶体管关闭,所有内部电路
进入低功耗模式,功耗低于1μA 。
旁路电容连接 - 提高交流纹波抑制,
一个10nF电容连接到GND 。这也将提供一个软
启动功能。
输出引脚 - 去耦用2.2μF电容。
1
2
3
5, 6
8
7
4
1
BYP
5
2, 3, 4
OUT
引脚配置
SOT-23-5
( TOP VIEW )
SC70JW-8
( TOP VIEW )
IN
GND
EN
1 5
2
3 4
OUT
BYP
BYP
OUT
OUT
OUT
1
2
8
7
3
4
6
5
GND
EN
IN
IN
1
2
2
3236.2001.11.0.9
AAT3236
300毫安CMOS高性能LDO
绝对最大额定值
符号
V
IN
I
OUT
T
J
T
领导
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
价值
6
P
D
/(V
IN
-V
O
)
-40至150
300
描述
输入电压
直流输出电流
工作结温范围
最大焊接温度(在线索, 10秒)
单位
V
mA
°C
°C
注:如果运行条件超过上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。在CON-功能操作
ditions超过规定的经营条件的其他未暗示。只有一个绝对最大额定值应在任一时刻被应用。
热信息
符号
Θ
JA
P
D
描述
最大热阻
1
( SOT23-5 , SC70JW - 8 )
最大功率耗散
1
( SOT23-5 , SC70JW - 8 )
等级
190
526
单位
° C / W
mW
注1 :安装在演示板上。
推荐工作条件
符号
V
IN
T
描述
输入电压
环境温度范围
等级
(V
OUT
+0.3 ) 5.5
-40至+85
单位
V
°C
(V
IN
=V
OUT ( NOM )
+ 1V ,我
OUT
= 1mA时,
OUT
= 2.2μF ,C
IN
= 1μF ,C
BYP
= 10nF的,
T
A
= -40 85℃,除非另有说明。对于典型值T
A
=25°C)
符号
V
OUT
I
OUT
V
DO
I
SC
I
Q
I
SD
V
OUT
/
V
OUT
*V
IN
V
OUT
( LINE)
V
OUT
( LOAD )
V
EN (L)的
V
EN (H)的
I
EN
PSRR
T
SD
T
HYS
e
N
T
C
电气特性
描述
输出电压容差
输出电流
输入输出电压差
2
短路电流
地电流
关断电流
线路调整
动态线路调整
动态负载调节
启用阈值低
启用阈值高
泄漏电流使能引脚
电源抑制比
条件
I
OUT
= 1mA至300毫安
V
OUT
& GT ; 1.2V
I
OUT
= 300毫安
V
OUT
& LT ; 0.4V
V
IN
= 5V ,空载, EN = V
IN
V
IN
= 5V , EN = 0V
V
IN
= V
OUT
+ 1 5.5V
V
IN
=V
OUT
+ 1V至V
OUT
+2V,
I
OUT
= 150毫安,T
R
/T
F
=2s
I
OUT
= 1mA至150毫安,T
R
<5s
T
A
=25°C
T
A
= -40 85 ℃下
最小典型最大
-1.5
-2.5
300
300
600
100
1.5
2.5
500
150
1
0.07
单位
%
%
mA
mV
mA
A
A
%/V
mV
mV
V
V
A
dB
°C
°C
V
RMS
/ rtHz的
PPM /°C的
1
30
0.6
1.5
1
V
EN
=5V
I
OUT
= 10毫安,C
BYP
= 10nF的
1千赫
10kHz
1MHz
70
50
47
150
10
45
22
过温关断阈值
过温关断迟滞
输出噪声
输出电压温度。 COEFF 。
噪声功率带宽=为300Hz至50kHz
注2 : V
DO
被定义为V
IN
- V
OUT
当V
OUT
98%的名义。
3236.2001.11.0.9
3
AAT3236
300毫安CMOS高性能LDO
典型特征
漏失电压与温度的关系
400
3.1
降特性
漏失电压(MV )
350
300
250
I
L
=300mA
3.0
I
OUT
=10mA
I
OUT
=0mA
I
OUT
=50mA
150
100
50
0
-40
-20
0
20
40
60
80
I
L
=150mA
I
L
=100mA
I
L
=50mA
VOUT
200
2.9
I
OUT
=100mA
I
OUT
=150mA
2.8
I
OUT
=300mA
2.7
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
100
120
温度(℃)
VIN
地电流与温度的关系
105
100
120
100
地电流与输入电压
V
OUT
=3.0V
I
OUT
=0
I
OUT
=50mA
I
OUT
=150mA
I
OUT
=300mA
IGND ( μA )
95
90
85
80
-50
0
50
100
150
I
GND
(A)
80
60
40
20
0
2
3
4
5
温度(℃)
V
IN
压差 - 我
OUT
350
3.014
输出电压与温度的关系
漏失电压(MV )
300
250
200
150
100
50
0
0
50
100
150
输出电压
85 C
25 C
-40 C
3.013
3.012
3.011
3.01
3.009
3.008
3.007
200
250
300
-50
0
50
100
150
输出电流(mA )
温度(℃)
4
3236.2001.11.0.9
AAT3236
300毫安CMOS高性能LDO
开/关瞬态响应
没有C
BYP
电容
开/关瞬态响应
C
BYP
=10nF
EN ( 2V / DIV )
150mA
10mA
EN ( 2V / DIV )
V
OUT
(1V/div)
V
OUT
(1v/div)
10mA
150mA
300mA
300mA
5ms/div
100s/div
线路瞬态响应
3.20
3.15
3.10
6
5
4
3
2
1
0
3.10
3.05
3.00
负载瞬态响应
1200
1000
800
600
400
200
0
3.05
3.00
2.95
2.90
2.95
2.90
2.85
2.80
5s/div
100
微秒/格
短路电流
1.2
1
90
80
电源抑制比
与频率的关系
PSRR (分贝)
0.8
70
60
ISC ( A)
0.6
0.4
0.2
4.7F
10F
2.2F
50
40
1.0F
30
10
100
1k
10k
100k
1m
10m
0
10ms/div
频率(Hz)
3236.2001.11.0.9
I
OUT
(MA )
V
OUT
V
OUT
V
IN
5
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