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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1695页 > AAT3218IJS-3.0-T1
150毫安微功耗高性能LDO
概述
该AAT3218微功率低压差线性
调节器非常适合用于便携式应用
那里非常快的瞬态响应，更长的电池
寿命和小尺寸是至关重要的。该AAT3218具有
专门用于高速转上设计和
关闭性能，快速瞬态响应，良好的
电源纹波抑制比（ PSRR ），是推理
巧妙地低噪音，因此非常适合敏感供电
电路与快速切换的要求。
其他功能还包括低静态电流， typical-
LY 70μA ，低漏失电压通常是
小于200mV的最大输出电流电平
的150mA电流。该器件输出短路保护─
ED并具有额外的热关断电路
在极端工作条件下的保护。
该AAT3218还具有低功耗关断
模式，以延长电池寿命。参考旁路
销已被提供，以提高PSRR perform-
ANCE和输出噪声，通过连接一个小
从AAT3218的参考外部电容
输出到地面。
该AAT3218可在一个节省空间的5引脚
在16个工厂SOT23封装或8引脚SC70JW封装
的1.2V ， 1.4V ， 1.5V ， 1.8V电压编程，
1.9V, 2.0V, 2.3V, 2.5V, 2.6V, 2.7V, 2.8V, 2.85V,
2.9V ， 3.0V ， 3.3V或3.5V 。
AAT3218
特点
PowerLinear
低压差 - 200mV的150mA时
保证150mA输出
高精确度± 1.5 ％
70μA静态电流
快速电压和负载瞬态响应
高速器件的导通和关断
高电源纹波抑制
低自我噪音
短路保护
过温保护
使用低ESR陶瓷电容器
输出噪声降低旁路电容
关断模式，以延长电池寿命
低温COEF网络cient
16工厂编程输出电压
SOT23 5引脚SC70JW或8引脚封装
应用
手机
笔记本电脑
便携式通信设备
个人便携式电子产品
数码相机
典型用途
V
IN
IN
OUT
V
OUT
AAT3218
开/关
1F
EN
GND
10nF
2.2F
BYP
GND
GND
3218.2004.02.1.0
1
150毫安微功耗高性能LDO
引脚说明
针＃
SOT23-5
SC70JW-8
AAT3218
符号
IN
GND
EN
功能
输入电压引脚 - 应该用1μF或更大脱钩
电容。
接地引脚
使能引脚 - 该引脚不能悬空。当拉低
在PMOS导通晶体管关闭，所有内部电路
进入低功耗模式，功耗低于1μA 。
旁路电容连接 - 提高交流纹波抑制，
一个10nF电容连接到GND 。这也将提供一个软
启动功能。
输出引脚 - 应脱钩与2.2μF的陶瓷电容。
1
2
3
5, 6
8
7
4
1
BYP
5
2, 3, 4
OUT
引脚配置
SOT23-5
（ TOP VIEW ）
SC70JW-8
（ TOP VIEW ）
IN
GND
EN
1 5
2
3 4
OUT
BYP
BYP
OUT
OUT
OUT
1
2
8
7
3
4
6
5
GND
EN
IN
IN
1
2
2
3218.2004.02.1.0
150毫安微功耗高性能LDO
绝对最大额定值
符号
V
IN
I
OUT
T
J
AAT3218
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
价值
6
P
D
/(V
IN
-V
O
)
-40至150
描述
输入电压
直流输出电流
工作结温范围
单位
V
mA
°C
注：如果运行条件超过上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。在CON-功能操作
ditions超过规定的经营条件的其他未暗示。只有一个绝对最大额定值应在任一时刻被应用。
热信息
符号
Θ
JA
P
D
描述
最大热阻
1
（ SOT23-5 ， SC70JW - 8 ）
最大功率耗散
1
（ SOT23-5 ， SC70JW - 8 ）
等级
190
526
单位
° C / W
mW
注1 ：安装在演示板上。
推荐工作条件
符号
V
IN
T
描述
输入电压
2
环境温度范围
等级
(V
OUT
+V
DO
） 5.5
-40至+85
单位
V
°C
注2 ：为了计算最小输入电压，可使用以下公式： V
IN（分钟）
= V
输出（最大）
+ V
DO （MAX）中
只要V
IN
≥
2.5V.
3218.2004.02.1.0
3
150毫安微功耗高性能LDO
电气特性
(V
IN
=V
OUT （ NOM ）
+ 1V的V
OUT
选择大于1.5V 。 V
IN
= 2.5
V
OUT
≤1.5V.
I
OUT
= 1mA时，
OUT
= 2.2μF ，C
IN
= 1μF ，T
A
= -40 85℃，除非另有说明。典型的值是
在T
A
=25°C)
符号
V
OUT
I
OUT
V
DO
I
SC
I
Q
I
SD
V
OUT
/
V
OUT
*V
IN
V
OUT
（ LINE）
V
OUT
（ LOAD ）
t
ENDLY
V
EN （L）的
V
EN （H）的
I
EN
PSRR
T
SD
T
HYS
e
N
TC
AAT3218
描述
输出电压容差
输出电流
输入输出电压差
1, 2
短路电流
地电流
关断电流
线路调整
动态线路调整
动态负载调节
启用延迟时间
启用阈值低
启用阈值高
在使能引脚漏电流
电源抑制比
条件
I
OUT
= 1mA至150毫安
最小典型最大
T
A
=25°C
-1.5
T
A
= -40到85°C -2.5
150
200
600
70
1.5
2.5
300
125
1
0.09
2.5
30
15
0.6
1.5
单位
%
%
mA
mV
mA
A
A
%/V
mV
mV
s
V
V
A
dB
°C
°C
μVRMS / rtHz的
PPM /°C的
V
OUT
＆ GT ; 1.2V
I
OUT
= 150毫安
V
OUT
＆ LT ; 0.4V
V
IN
= 5V ，空载， EN = V
IN
V
IN
= 5V ， EN = 0V
V
IN
= V
OUT
+ 1到5.0V
V
IN
=V
OUT
+ 1V至V
OUT
+ 2V ，我
OUT
=150mA,
T
R
/T
F
=2s
I
OUT
= 1mA至150毫安，T
R
<5s
BYP =打开
V
EN
= 5V
1千赫
I
OUT
= 10毫安，C
BYP
= 10nF的10kHz的
1MHz
67
47
45
145
12
50
22
1
过温关断阈值
过温关断迟滞
输出噪声
噪声功率带宽=为300Hz - 50kHz的
输出电压温度。 COEFF 。
注1 ： V
DO
被定义为V
IN
- V
OUT
当V
OUT
98％的名义。
注2 ：对于V
OUT
< 2.3V ，V
DO
= 2.5V - V
OUT
.
4
3218.2004.02.1.0
150毫安微功耗高性能LDO
典型特征
AAT3218
（除非另有说明，V
IN
= 5V ，T
A
= 25°C)
漏失电压与温度的关系
3.20
260
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
降特性
漏失电压（MV ）
I
L
= 150毫安
I
L
= 100毫安
V
OUT
(V)
3.00
2.80
2.60
2.40
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 100毫安
I
OUT
= 150毫安
I
L
= 50毫安
-40 -30 -20 -10 0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120
2.20
2.00
2.70
温度（℃）
2.80
2.90
3.00
3.10
3.20
V
IN
(V)
漏失电压与输出电流
300
90.00
80.00
70.00
地电流与输入电压
漏失电压（MV ）
250
I
GND
(A)
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
60.00
50.00
40.00
30.00
20.00
10.00
0.00
2
2.5
3
3.5
4
4.5
85°C
25°C
-40°C
I
OUT
=150mA
I
OUT
=0mA
I
OUT
=50mA
I
OUT
=10mA
输出电流（mA ）
V
IN
(V)
静态电流与温度的关系
100
输出电压与温度的关系
1.203
1.202
静态电流（ μA ）
90
输出电压（V）
-40 -30 -20 -10
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1.201
1.200
1.199
1.198
1.197
1.196
-40 -30 -20 -10
0
10 20
30
40
50 60
70 80
90 100
温度（℃）
温度（℃）
3218.2004.02.1.0
5
150毫安微功耗高性能LDO
概述
该AAT3218微功率低压差线性稳压
器非常适合于便携式应用
非常快的瞬态响应，更长的电池寿命，
和小尺寸是至关重要的。该AAT3218已
专为高速转通和设计
断性能，快速瞬态响应和良好的
电源纹波抑制比（ PSRR ） ，并且是推理
巧妙地低噪音，因此非常适合敏感供电
电路与快速切换的要求。
其他功能还包括低静态电流， typical-
LY 70μA和低压差电压，通常小于
为200mV时的最大输出电流电平
150mA电流。该器件输出短路保护
并有额外的亲热关断电路
在极端工作条件保护。
该AAT3218还具有低功耗关断
模式，以延长电池寿命。参考旁路
销已被提供，以提高PSRR perform-
ANCE和输出噪声，通过连接一个小
外部电容的设备参考输出
地面上。
该AAT3218可在无铅，采用节省空间的
16荷兰国际集团5引脚SOT23或8引脚SC70JW封装
工厂编程电压： 1.2V ， 1.4V ， 1.5V ，
1.8V, 1.9V, 2.0V, 2.3V, 2.5V, 2.6V, 2.7V, 2.8V,
2.85V ， 2.9V ， 3.0V ， 3.3V ， 3.5V或。
AAT3218
特点
PowerLinear
低压差： 200mV的150mA时
保证150mA输出
高准确度： ± 1.5 ％
70μA静态电流
快速电压和负载瞬态响应
高速器件的导通和关断
高电源纹波抑制
低自我噪音
短路和过温
保护
使用低等效串联电阻
（ ESR ）陶瓷电容器
输出噪声降低旁路电容
关断模式，以延长电池寿命
低温COEF网络cient
16工厂编程输出电压
SOT23 5引脚SC70JW或8引脚封装
应用
蓝牙耳机
手机
数码相机
笔记本电脑
个人便携式电子产品
便携式通信设备
典型用途
V
IN
IN
OUT
V
OUT
AAT3218
开/关
1μF
EN
GND
10nF
2.2μF
BYP
GND
GND
3218.2006.04.1.8
1
150毫安微功耗高性能LDO
引脚说明
针＃
SOT23-5
SC70JW-8
AAT3218
符号
IN
GND
EN
功能
输入电压引脚;应与1μF或更大脱钩
电容。
接地引脚。
使能引脚;该引脚不能悬空。当拉低，
在PMOS导通晶体管关闭，所有内部电路
进入低功耗模式，功耗低于1μA 。
旁路电容连接;提高AC纹波抑制，
一个10nF电容连接到GND 。这也将提供一个软
启动功能。
输出引脚;去耦用2.2μF陶瓷电容器。
1
2
3
5, 6
8
7
4
1
BYP
5
2, 3, 4
OUT
引脚配置
SOT23-5
（ TOP VIEW ）
SC70JW-8
（ TOP VIEW ）
IN
GND
EN
1
5
OUT
2
3
4
BYP
BYP
OUT
OUT
OUT
1
2
3
4
8
7
6
5
GND
EN
IN
IN
2
3218.2006.04.1.8
150毫安微功耗高性能LDO
绝对最大额定值
1
T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
符号
V
IN
V
ENIN （MAX）中
I
OUT
T
J
AAT3218
描述
输入电压
最大EN为输入电压
直流输出电流
工作结温范围
价值
6
0.3
P
D
/(V
IN
-V
O
)
-40至150
单位
V
V
mA
°C
热信息
2
符号
Θ
JA
P
D
描述
最大热阻（ SOT23-5 ， SC70JW - 8 ）
最大功率耗散（ SOT23-5 ， SC70JW - 8 ）
等级
190
526
单位
° C / W
mW
推荐工作条件
符号
V
IN
T
描述
输入电压
3
环境温度范围
等级
(V
OUT
+V
DO
） 5.5
-40至+85
单位
V
°C
1.强调超过上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。在条件功能操作
系统蒸发散比规定的工作条件等是不是暗示。只有一个绝对最大额定值应在任一时刻被应用。
2.安装在演示板上。
3.要计算最小输入电压，可使用以下公式： V
IN（分钟）
= V
输出（最大）
+ V
DO （MAX）中
只要V
IN
≥
2.5V.
3218.2006.04.1.8
3
150毫安微功耗高性能LDO
电气特性
AAT3218
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1V的V
OUT
选择大于1.5V 。 V
IN
= 2.5 V
OUT
≤1.5V.
I
OUT
= 1mA时，
OUT
= 2.2F,
C
IN
= 1μF ，T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。典型数值为T
A
= 25°C.
符号
V
OUT
I
OUT
V
DO
I
SC
I
Q
I
SD
ΔV
OUT
/
V
OUT
*ΔV
IN
ΔV
OUT
（ LINE）
ΔV
OUT
（ LOAD ）
t
ENDLY
V
EN （L）的
V
EN （H）的
I
EN
PSRR
T
SD
T
HYS
e
N
TC
描述
输出电压容差
输出电流
输入输出电压差
1, 2
短路电流
地电流
关断电流
线路调整
动态线路调整
动态负载调节
启用延迟时间
启用阈值低
启用阈值高
在使能引脚漏电流
电源抑制比
过温关断
门槛
过温关断
迟滞
输出噪声
输出电压温度
系数
条件
I
OUT
= 1毫安
T
A
= 25°C
to150mA
T
A
= -40 ° C至85°C
V
OUT
＆ GT ; 1.2V
I
OUT
= 150毫安
V
OUT
＆ LT ; 0.4V
V
IN
= 5V ，空载， EN = V
IN
V
IN
= 5V ， EN = 0V
V
IN
= V
OUT
+ 1到5.0V
V
IN
= V
OUT
+ 1V至V
OUT
+ 2V,
I
OUT
= 150毫安，T
R
/T
F
= 2s
I
OUT
= 1mA至150毫安，T
R
< 5μs的
BYP =打开
民
-1.5
-2.5
150
典型值
最大
1.5
2.5
单位
%
mA
mV
mA
A
A
%/V
mV
mV
s
V
V
A
dB
°C
°C
μVRMS
PPM /°C的
200
600
70
300
125
1
0.09
2.5
30
15
0.6
1.5
V
EN
= 5V
I
OUT
= 10毫安，
C
BYP
= 10nF的
1千赫
10kHz
1MHz
67
47
45
145
12
噪声功率带宽=为300Hz - 50kHz的
50
22
1
1. V
DO
被定义为V
IN
- V
OUT
当V
OUT
98％的名义。
2.对于V
OUT
< 2.3V ，V
DO
= 2.5V - V
OUT
.
4
3218.2006.04.1.8
150毫安微功耗高性能LDO
典型特征
除非另有说明，V
IN
= 5V ，T
A
= 25°C.
AAT3218
漏失电压与温度的关系
3.20
260
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
降特性
漏失电压（MV ）
输出电压（V）
I
L
= 150毫安
I
L
= 100毫安
3.00
2.80
2.60
2.40
2.20
2.00
2.70
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 100毫安
I
OUT
= 150毫安
I
L
= 50毫安
-40 -30 -20 -10 0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120
温度（℃）
2.80
2.90
3.00
3.10
3.20
输入电压（ V）
漏失电压与输出电流
300
90.00
80.00
70.00
60.00
50.00
40.00
30.00
20.00
10.00
地电流与输入电压
漏失电压（MV ）
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
85°C
25°C
-40°C
接地电流（ μA ）
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 10毫安
0.00
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
输出电流（mA ）
输入电压（ V）
静态电流与温度的关系
100
输出电压与温度的关系
1.203
1.202
静态电流（ μA ）
90
输出电压（V）
-40 -30 -20 -10
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1.201
1.200
1.199
1.198
1.197
1.196
-40 -30 -20 -10
0
10 20
30
40
50 60
70 80
90 100
温度（℃）
温度（℃）
3218.2006.04.1.8
5
150毫安微功耗高性能LDO
概述
该AAT3218微功率低压差线性
调节器非常适合用于便携式应用
那里非常快的瞬态响应，更长的电池
寿命和小尺寸是至关重要的。该AAT3218具有
专门用于高速转上设计和
关闭性能，快速瞬态响应，良好的
电源纹波抑制比（ PSRR ），是推理
巧妙地低噪音，因此非常适合敏感供电
电路与快速切换的要求。
其他功能还包括低静态电流， typical-
LY 70μA ，低漏失电压通常是
小于200mV的最大输出电流电平
的150mA电流。该器件输出短路保护─
ED并具有额外的热关断电路
在极端工作条件下的保护。
该AAT3218还具有低功耗关断
模式，以延长电池寿命。参考旁路
销已被提供，以提高PSRR perform-
ANCE和输出噪声，通过连接一个小
从AAT3218的参考外部电容
输出到地面。
该AAT3218可在一个节省空间的5引脚
在16个工厂SOT23封装或8引脚SC70JW封装
的1.2V ， 1.4V ， 1.5V ， 1.8V电压编程，
1.9V, 2.0V, 2.3V, 2.5V, 2.6V, 2.7V, 2.8V, 2.85V,
2.9V ， 3.0V ， 3.3V或3.5V 。
AAT3218
特点
PowerLinear
低压差 - 200mV的150mA时
保证150mA输出
高精确度± 1.5 ％
70μA静态电流
快速电压和负载瞬态响应
高速器件的导通和关断
高电源纹波抑制
低自我噪音
短路保护
过温保护
使用低ESR陶瓷电容器
输出噪声降低旁路电容
关断模式，以延长电池寿命
低温COEF网络cient
16工厂编程输出电压
SOT23 5引脚SC70JW或8引脚封装
应用
手机
笔记本电脑
便携式通信设备
个人便携式电子产品
数码相机
典型用途
V
IN
IN
OUT
V
OUT
AAT3218
开/关
1F
EN
GND
10nF
2.2F
BYP
GND
GND
3218.2004.02.1.0
1
150毫安微功耗高性能LDO
引脚说明
针＃
SOT23-5
SC70JW-8
AAT3218
符号
IN
GND
EN
功能
输入电压引脚 - 应该用1μF或更大脱钩
电容。
接地引脚
使能引脚 - 该引脚不能悬空。当拉低
在PMOS导通晶体管关闭，所有内部电路
进入低功耗模式，功耗低于1μA 。
旁路电容连接 - 提高交流纹波抑制，
一个10nF电容连接到GND 。这也将提供一个软
启动功能。
输出引脚 - 应脱钩与2.2μF的陶瓷电容。
1
2
3
5, 6
8
7
4
1
BYP
5
2, 3, 4
OUT
引脚配置
SOT23-5
（ TOP VIEW ）
SC70JW-8
（ TOP VIEW ）
IN
GND
EN
1 5
2
3 4
OUT
BYP
BYP
OUT
OUT
OUT
1
2
8
7
3
4
6
5
GND
EN
IN
IN
1
2
2
3218.2004.02.1.0
150毫安微功耗高性能LDO
绝对最大额定值
符号
V
IN
I
OUT
T
J
AAT3218
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
价值
6
P
D
/(V
IN
-V
O
)
-40至150
描述
输入电压
直流输出电流
工作结温范围
单位
V
mA
°C
注：如果运行条件超过上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。在CON-功能操作
ditions超过规定的经营条件的其他未暗示。只有一个绝对最大额定值应在任一时刻被应用。
热信息
符号
Θ
JA
P
D
描述
最大热阻
1
（ SOT23-5 ， SC70JW - 8 ）
最大功率耗散
1
（ SOT23-5 ， SC70JW - 8 ）
等级
190
526
单位
° C / W
mW
注1 ：安装在演示板上。
推荐工作条件
符号
V
IN
T
描述
输入电压
2
环境温度范围
等级
(V
OUT
+V
DO
） 5.5
-40至+85
单位
V
°C
注2 ：为了计算最小输入电压，可使用以下公式： V
IN（分钟）
= V
输出（最大）
+ V
DO （MAX）中
只要V
IN
≥
2.5V.
3218.2004.02.1.0
3
150毫安微功耗高性能LDO
电气特性
(V
IN
=V
OUT （ NOM ）
+ 1V的V
OUT
选择大于1.5V 。 V
IN
= 2.5
V
OUT
≤1.5V.
I
OUT
= 1mA时，
OUT
= 2.2μF ，C
IN
= 1μF ，T
A
= -40 85℃，除非另有说明。典型的值是
在T
A
=25°C)
符号
V
OUT
I
OUT
V
DO
I
SC
I
Q
I
SD
V
OUT
/
V
OUT
*V
IN
V
OUT
（ LINE）
V
OUT
（ LOAD ）
t
ENDLY
V
EN （L）的
V
EN （H）的
I
EN
PSRR
T
SD
T
HYS
e
N
TC
AAT3218
描述
输出电压容差
输出电流
输入输出电压差
1, 2
短路电流
地电流
关断电流
线路调整
动态线路调整
动态负载调节
启用延迟时间
启用阈值低
启用阈值高
在使能引脚漏电流
电源抑制比
条件
I
OUT
= 1mA至150毫安
最小典型最大
T
A
=25°C
-1.5
T
A
= -40到85°C -2.5
150
200
600
70
1.5
2.5
300
125
1
0.09
2.5
30
15
0.6
1.5
单位
%
%
mA
mV
mA
A
A
%/V
mV
mV
s
V
V
A
dB
°C
°C
μVRMS / rtHz的
PPM /°C的
V
OUT
＆ GT ; 1.2V
I
OUT
= 150毫安
V
OUT
＆ LT ; 0.4V
V
IN
= 5V ，空载， EN = V
IN
V
IN
= 5V ， EN = 0V
V
IN
= V
OUT
+ 1到5.0V
V
IN
=V
OUT
+ 1V至V
OUT
+ 2V ，我
OUT
=150mA,
T
R
/T
F
=2s
I
OUT
= 1mA至150毫安，T
R
<5s
BYP =打开
V
EN
= 5V
1千赫
I
OUT
= 10毫安，C
BYP
= 10nF的10kHz的
1MHz
67
47
45
145
12
50
22
1
过温关断阈值
过温关断迟滞
输出噪声
噪声功率带宽=为300Hz - 50kHz的
输出电压温度。 COEFF 。
注1 ： V
DO
被定义为V
IN
- V
OUT
当V
OUT
98％的名义。
注2 ：对于V
OUT
< 2.3V ，V
DO
= 2.5V - V
OUT
.
4
3218.2004.02.1.0
150毫安微功耗高性能LDO
典型特征
AAT3218
（除非另有说明，V
IN
= 5V ，T
A
= 25°C)
漏失电压与温度的关系
3.20
260
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
降特性
漏失电压（MV ）
I
L
= 150毫安
I
L
= 100毫安
V
OUT
(V)
3.00
2.80
2.60
2.40
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 100毫安
I
OUT
= 150毫安
I
L
= 50毫安
-40 -30 -20 -10 0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120
2.20
2.00
2.70
温度（℃）
2.80
2.90
3.00
3.10
3.20
V
IN
(V)
漏失电压与输出电流
300
90.00
80.00
70.00
地电流与输入电压
漏失电压（MV ）
250
I
GND
(A)
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
60.00
50.00
40.00
30.00
20.00
10.00
0.00
2
2.5
3
3.5
4
4.5
85°C
25°C
-40°C
I
OUT
=150mA
I
OUT
=0mA
I
OUT
=50mA
I
OUT
=10mA
输出电流（mA ）
V
IN
(V)
静态电流与温度的关系
100
输出电压与温度的关系
1.203
1.202
静态电流（ μA ）
90
输出电压（V）
-40 -30 -20 -10
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1.201
1.200
1.199
1.198
1.197
1.196
-40 -30 -20 -10
0
10 20
30
40
50 60
70 80
90 100
温度（℃）
温度（℃）
3218.2004.02.1.0
5
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