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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1335页 > AAT3215IJS-3.0-T1
150毫安CMOS高性能LDO
概述
该AAT3215微功率低压差（ LDO ）
线性调节器非常适合用于便携式应用程序
其中，阳离子低噪音，延长电池寿命，并
小尺寸是至关重要的。该AAT3215已
专为非常低的输出噪声设计per-
formance ，快速瞬态响应和高功率
电源抑制比（ PSRR ） ，从而非常适用于
供电敏感的RF电路。
其他功能还包括低静态电流，典型
美云95μA和低压差电压为典型
美云小于140MV以全功率输出电流。该
器件输出短路保护，有
对于额外的保护热关断电路
在极端条件下。
该AAT3215还具有低功耗关断
模式，以延长电池寿命。参考旁路
销已被提供，以提高PSRR perform-
ANCE和输出噪声通过连接外部
从AAT3215的参考输出电容
地面上。
该AAT3215可在无铅，节省空间
十外交事务委员会5引脚SOT23或8引脚SC70JW封装
保守党编程电压： 2.5V ， 2.6V ， 2.7V ， 2.8V ，
2.85V ， 2.9V ， 3.0V ， 3.1V ， 3.3V ， 3.6V或。
AAT3215
特点
PowerLinear
智能切换
低压差： 140MV 150mA时
保证150mA输出
高精确度± 1.5 ％
95μA静态电流
高电源纹波抑制
- 70分贝在1kHz
- 50分贝在10kHz
极低的自噪声： 45μVRMS
快速电压和负载瞬态响应
短路保护
过温保护
使用低等效串联电阻
（ ESR ）陶瓷电容器
降噪旁路电容
关断模式，以延长电池寿命
低温COEF网络cient
十个工厂编程输出电压
SOT23 5引脚SC70JW或8引脚封装
应用
蓝牙耳机
手机
数码相机
笔记本电脑
个人便携式电子产品
便携式通信设备
典型用途
V
IN
IN
OUT
V
OUT
AAT3215
开/关
1μF
EN
GND
10nF
2.2μF
BYP
GND
GND
3215.2006.05.1.6
1
150毫安CMOS高性能LDO
引脚说明
针＃
SOT23-5
SC70JW-8
AAT3215
符号
IN
GND
EN
功能
输入电压引脚;应与1μF或更大脱钩
电容。
接地引脚。
使能引脚。当拉低时， PMOS通晶体管导通
断和所有内部电路进入低功率模式下，消耗
小于1μA 。该引脚不应悬空。
旁路电容的连接。为了提高AC纹波抑制，
一个10nF电容连接到GND 。这也将提供一个软
启动功能。
输出引脚;应脱钩与2.2μF电容。
1
2
3
5, 6
8
7
4
1
BYP
5
2, 3, 4
OUT
引脚配置
SOT23-5
（ TOP VIEW ）
SC70JW-8
（ TOP VIEW ）
IN
GND
EN
1
5
OUT
2
3
4
BYP
BYP
OUT
OUT
OUT
1
2
3
4
8
7
6
5
GND
EN
IN
IN
2
3215.2006.05.1.6
150毫安CMOS高性能LDO
绝对最大额定值
1
T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
符号
V
IN
V
ENIN （MAX）中
I
OUT
T
J
AAT3215
描述
输入电压
最大EN为输入电压
直流输出电流
工作结温范围
价值
6
0.3
P
D
/(V
IN
-V
O
)
-40至150
单位
V
V
mA
°C
热信息
2
符号
Θ
JA
P
D
描述
最大热阻（ SOT23-5 ， SC70JW - 8 ）
最大功率耗散（ SOT23-5 ， SC70JW - 8 ）
等级
190
526
单位
° C / W
mW
推荐工作条件
符号
V
IN
T
描述
输入电压
环境温度范围
等级
(V
OUT
+ 0.3 ） 5.5
-40至+85
单位
V
°C
1.强调超过上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。在条件功能操作
系统蒸发散比规定的工作条件等是不是暗示。只有一个绝对最大额定值应在任一时刻被应用。
2.安装在演示板上。
3215.2006.05.1.6
3
150毫安CMOS高性能LDO
电气特性
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1V ，我
OUT
= 1mA时，
OUT
= 2.2μF ，C
IN
= 1μF ，C
BYP
= 10nF电容，T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，除非另外
智者说。典型数值为T
A
= 25°C.
符号
V
OUT
I
OUT
V
DO
I
SC
I
Q
I
SD
ΔV
OUT
/V
OUT
*ΔV
IN
ΔV
OUT
（ LINE）
ΔV
OUT
（ LOAD ）
V
EN （L）的
V
EN （H）的
I
EN
PSRR
T
SD
T
HYS
e
N
T
C
AAT3215
描述
输出电压容差
输出电流
输入输出电压差
1
短路电流
地电流
关断电流
线路调整
动态线路调整
动态负载调节
启用阈值低
启用阈值高
漏电流
使能引脚
电源抑制比
过温关断
门槛
过温关断
迟滞
输出噪声
输出电压温度
系数
条件
I
OUT
= 1mA至
T
A
= 25°C
150mA
T
A
= -40 85 ℃下
V
OUT
＆ GT ; 1.2V
I
OUT
= 150毫安
V
OUT
＆ LT ; 0.4V
V
IN
= 5V ，空载， EN = V
IN
V
IN
= 5V ， EN = 0V
V
IN
= V
OUT
+ 1 5.5V
V
IN
= V
OUT
+ 1V至V
OUT
+ 2V,
I
OUT
= 150毫安，T
R
/T
F
= 2s
I
OUT
= 1mA至150毫安，T
R
< 5μs的
最小值典型值
-1.5
-2.5
150
140
600
95
最大
1.5
2.5
250
150
1
0.07
单位
%
mA
mV
mA
A
A
%/V
mV
mV
V
V
A
dB
°C
°C
μVRMS
PPM /°C的
1
30
0.6
1.5
V
EN
= 5V
I
OUT
= 10毫安，
C
BYP
= 10nF的
1kHz
10kHz
1MHz
70
50
47
150
10
45
22
1
1. V
DO
被定义为V
IN
- V
OUT
当V
OUT
98％的名义。
4
3215.2006.05.1.6
150毫安CMOS高性能LDO
典型特征
除非另有说明，V
IN
= 5V ，T
A
= 25°C.
AAT3215
漏失电压与温度的关系
200
降特性
3.1
漏失电压（MV ）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
-40
-20
输出电压（V）
180
I
L
= 150毫安
I
L
= 100毫安
I
L
= 50毫安
3.0
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 150毫安
2.9
I
OUT
= 100毫安
2.8
I
OUT
= 50毫安
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
2.7
0
20
40
60
80
100
120
温度（℃）
输入电压（ V）
漏失电压与输出电流
200
地电流与输入电压
120
漏失电压（MV ）
接地电流（ μA ）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
50
100
150
100
80
60
40
20
0
2
V
OUT
= 3.0V
I
OUT
= 5毫安
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 0
3
4
5
输出电流（mA ）
输入电压（ V）
地电流与温度的关系
(V
OUT
= 3.0V)
105
3.014
输出电压与温度的关系
接地电流（ μA ）
输出电压（V）
0
50
100
150
100
95
90
85
80
-50
3.013
3.012
3.011
3.01
3.009
3.008
3.007
-50
0
50
100
150
温度（℃）
温度
(°C)
3215.2006.05.1.6
5
150毫安CMOS高性能LDO
概述
该AAT3215微功率低压差（ LDO ）
线性调节器非常适合用于便携式应用程序
其中，阳离子低噪音，延长电池寿命，并
小尺寸是至关重要的。该AAT3215已
专为非常低的输出噪声设计per-
formance ，快速瞬态响应和高功率
电源抑制比（ PSRR ） ，从而非常适用于
供电敏感的RF电路。
其他功能还包括低静态电流，典型
美云95μA和低压差电压为典型
美云小于140MV以全功率输出电流。该
器件输出短路保护，有
对于额外的保护热关断电路
在极端条件下。
该AAT3215还具有低功耗关断
模式，以延长电池寿命。参考旁路
销已被提供，以提高PSRR perform-
ANCE和输出噪声通过连接外部
从AAT3215的参考输出电容
地面上。
该AAT3215可在无铅，节省空间
十外交事务委员会5引脚SOT23或8引脚SC70JW封装
保守党编程电压： 2.5V ， 2.6V ， 2.7V ， 2.8V ，
2.85V ， 2.9V ， 3.0V ， 3.1V ， 3.3V ， 3.6V或。
AAT3215
特点
PowerLinear
智能切换
低压差： 140MV 150mA时
保证150mA输出
高精确度± 1.5 ％
95μA静态电流
高电源纹波抑制
- 70分贝在1kHz
- 50分贝在10kHz
极低的自噪声： 45μVRMS
快速电压和负载瞬态响应
短路保护
过温保护
使用低等效串联电阻
（ ESR ）陶瓷电容器
降噪旁路电容
关断模式，以延长电池寿命
低温COEF网络cient
十个工厂编程输出电压
SOT23 5引脚SC70JW或8引脚封装
应用
蓝牙耳机
手机
数码相机
笔记本电脑
个人便携式电子产品
便携式通信设备
典型用途
V
IN
IN
OUT
V
OUT
AAT3215
开/关
1μF
EN
GND
10nF
2.2μF
BYP
GND
GND
3215.2006.05.1.6
1
150毫安CMOS高性能LDO
引脚说明
针＃
SOT23-5
SC70JW-8
AAT3215
符号
IN
GND
EN
功能
输入电压引脚;应与1μF或更大脱钩
电容。
接地引脚。
使能引脚。当拉低时， PMOS通晶体管导通
断和所有内部电路进入低功率模式下，消耗
小于1μA 。该引脚不应悬空。
旁路电容的连接。为了提高AC纹波抑制，
一个10nF电容连接到GND 。这也将提供一个软
启动功能。
输出引脚;应脱钩与2.2μF电容。
1
2
3
5, 6
8
7
4
1
BYP
5
2, 3, 4
OUT
引脚配置
SOT23-5
（ TOP VIEW ）
SC70JW-8
（ TOP VIEW ）
IN
GND
EN
1
5
OUT
2
3
4
BYP
BYP
OUT
OUT
OUT
1
2
3
4
8
7
6
5
GND
EN
IN
IN
2
3215.2006.05.1.6
150毫安CMOS高性能LDO
绝对最大额定值
1
T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
符号
V
IN
V
ENIN （MAX）中
I
OUT
T
J
AAT3215
描述
输入电压
最大EN为输入电压
直流输出电流
工作结温范围
价值
6
0.3
P
D
/(V
IN
-V
O
)
-40至150
单位
V
V
mA
°C
热信息
2
符号
Θ
JA
P
D
描述
最大热阻（ SOT23-5 ， SC70JW - 8 ）
最大功率耗散（ SOT23-5 ， SC70JW - 8 ）
等级
190
526
单位
° C / W
mW
推荐工作条件
符号
V
IN
T
描述
输入电压
环境温度范围
等级
(V
OUT
+ 0.3 ） 5.5
-40至+85
单位
V
°C
1.强调超过上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。在条件功能操作
系统蒸发散比规定的工作条件等是不是暗示。只有一个绝对最大额定值应在任一时刻被应用。
2.安装在演示板上。
3215.2006.05.1.6
3
150毫安CMOS高性能LDO
电气特性
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1V ，我
OUT
= 1mA时，
OUT
= 2.2μF ，C
IN
= 1μF ，C
BYP
= 10nF电容，T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，除非另外
智者说。典型数值为T
A
= 25°C.
符号
V
OUT
I
OUT
V
DO
I
SC
I
Q
I
SD
ΔV
OUT
/V
OUT
*ΔV
IN
ΔV
OUT
（ LINE）
ΔV
OUT
（ LOAD ）
V
EN （L）的
V
EN （H）的
I
EN
PSRR
T
SD
T
HYS
e
N
T
C
AAT3215
描述
输出电压容差
输出电流
输入输出电压差
1
短路电流
地电流
关断电流
线路调整
动态线路调整
动态负载调节
启用阈值低
启用阈值高
漏电流
使能引脚
电源抑制比
过温关断
门槛
过温关断
迟滞
输出噪声
输出电压温度
系数
条件
I
OUT
= 1mA至
T
A
= 25°C
150mA
T
A
= -40 85 ℃下
V
OUT
＆ GT ; 1.2V
I
OUT
= 150毫安
V
OUT
＆ LT ; 0.4V
V
IN
= 5V ，空载， EN = V
IN
V
IN
= 5V ， EN = 0V
V
IN
= V
OUT
+ 1 5.5V
V
IN
= V
OUT
+ 1V至V
OUT
+ 2V,
I
OUT
= 150毫安，T
R
/T
F
= 2s
I
OUT
= 1mA至150毫安，T
R
< 5μs的
最小值典型值
-1.5
-2.5
150
140
600
95
最大
1.5
2.5
250
150
1
0.07
单位
%
mA
mV
mA
A
A
%/V
mV
mV
V
V
A
dB
°C
°C
μVRMS
PPM /°C的
1
30
0.6
1.5
V
EN
= 5V
I
OUT
= 10毫安，
C
BYP
= 10nF的
1kHz
10kHz
1MHz
70
50
47
150
10
45
22
1
1. V
DO
被定义为V
IN
- V
OUT
当V
OUT
98％的名义。
4
3215.2006.05.1.6
150毫安CMOS高性能LDO
典型特征
除非另有说明，V
IN
= 5V ，T
A
= 25°C.
AAT3215
漏失电压与温度的关系
200
降特性
3.1
漏失电压（MV ）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
-40
-20
输出电压（V）
180
I
L
= 150毫安
I
L
= 100毫安
I
L
= 50毫安
3.0
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 150毫安
2.9
I
OUT
= 100毫安
2.8
I
OUT
= 50毫安
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
2.7
0
20
40
60
80
100
120
温度（℃）
输入电压（ V）
漏失电压与输出电流
200
地电流与输入电压
120
漏失电压（MV ）
接地电流（ μA ）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
50
100
150
100
80
60
40
20
0
2
V
OUT
= 3.0V
I
OUT
= 5毫安
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 0
3
4
5
输出电流（mA ）
输入电压（ V）
地电流与温度的关系
(V
OUT
= 3.0V)
105
3.014
输出电压与温度的关系
接地电流（ μA ）
输出电压（V）
0
50
100
150
100
95
90
85
80
-50
3.013
3.012
3.011
3.01
3.009
3.008
3.007
-50
0
50
100
150
温度（℃）
温度
(°C)
3215.2006.05.1.6
5
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AD8232-EVALZ
ADT7516ARQ-REEL
ADSP-3210LG
AS431IBNTR-G1
AM3N-1203DH52-R
ADM6821MART-RL
ATF16V8BL-15PI
A401-1503-09
ACT-D2M32C-090F18Q
ADA4004-2ARZ-R7
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AAT3215IJS-3.0-T1
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
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电话：13681678667
联系人：吴
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电话：0755-83222787/23999932
联系人：林小姐 胡先生 张先生
地址：深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
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电话：13910052844（微信同步）
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