150毫安CMOS高性能LDO
概述
该AAT3215微功率低压差( LDO )
线性调节器非常适合用于便携式应用程序
其中,阳离子低噪音,延长电池寿命,并
小尺寸是至关重要的。该AAT3215已
专为非常低的输出噪声设计per-
formance ,快速瞬态响应和高功率
电源抑制比( PSRR ) ,从而非常适用于
供电敏感的RF电路。
其他功能还包括低静态电流,典型
美云95μA和低压差电压为典型
美云小于140MV以全功率输出电流。该
器件输出短路保护,有
对于额外的保护热关断电路
在极端条件下。
该AAT3215还具有低功耗关断
模式,以延长电池寿命。参考旁路
销已被提供,以提高PSRR perform-
ANCE和输出噪声通过连接外部
从AAT3215的参考输出电容
地面上。
该AAT3215可在无铅,节省空间
十外交事务委员会5引脚SOT23或8引脚SC70JW封装
保守党编程电压: 2.5V , 2.6V , 2.7V , 2.8V ,
2.85V , 2.9V , 3.0V , 3.1V , 3.3V , 3.6V或。
AAT3215
特点
PowerLinear
智能切换
低压差: 140MV 150mA时
保证150mA输出
高精确度± 1.5 %
95μA静态电流
高电源纹波抑制
- 70分贝在1kHz
- 50分贝在10kHz
极低的自噪声: 45μVRMS
快速电压和负载瞬态响应
短路保护
过温保护
使用低等效串联电阻
( ESR )陶瓷电容器
降噪旁路电容
关断模式,以延长电池寿命
低温COEF网络cient
十个工厂编程输出电压
SOT23 5引脚SC70JW或8引脚封装
应用
蓝牙耳机
手机
数码相机
笔记本电脑
个人便携式电子产品
便携式通信设备
典型用途
V
IN
IN
OUT
V
OUT
AAT3215
开/关
1μF
EN
GND
10nF
2.2μF
BYP
GND
GND
3215.2006.05.1.6
1
150毫安CMOS高性能LDO
绝对最大额定值
1
T
A
= 25 ℃,除非另有说明。
符号
V
IN
V
ENIN (MAX)中
I
OUT
T
J
AAT3215
描述
输入电压
最大EN为输入电压
直流输出电流
工作结温范围
价值
6
0.3
P
D
/(V
IN
-V
O
)
-40至150
单位
V
V
mA
°C
热信息
2
符号
Θ
JA
P
D
描述
最大热阻( SOT23-5 , SC70JW - 8 )
最大功率耗散( SOT23-5 , SC70JW - 8 )
等级
190
526
单位
° C / W
mW
推荐工作条件
符号
V
IN
T
描述
输入电压
环境温度范围
等级
(V
OUT
+ 0.3 ) 5.5
-40至+85
单位
V
°C
1.强调超过上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。在条件功能操作
系统蒸发散比规定的工作条件等是不是暗示。只有一个绝对最大额定值应在任一时刻被应用。
2.安装在演示板上。
3215.2006.05.1.6
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150毫安CMOS高性能LDO
概述
该AAT3215微功率低压差( LDO )
线性调节器非常适合用于便携式应用程序
其中,阳离子低噪音,延长电池寿命,并
小尺寸是至关重要的。该AAT3215已
专为非常低的输出噪声设计per-
formance ,快速瞬态响应和高功率
电源抑制比( PSRR ) ,从而非常适用于
供电敏感的RF电路。
其他功能还包括低静态电流,典型
美云95μA和低压差电压为典型
美云小于140MV以全功率输出电流。该
器件输出短路保护,有
对于额外的保护热关断电路
在极端条件下。
该AAT3215还具有低功耗关断
模式,以延长电池寿命。参考旁路
销已被提供,以提高PSRR perform-
ANCE和输出噪声通过连接外部
从AAT3215的参考输出电容
地面上。
该AAT3215可在无铅,节省空间
十外交事务委员会5引脚SOT23或8引脚SC70JW封装
保守党编程电压: 2.5V , 2.6V , 2.7V , 2.8V ,
2.85V , 2.9V , 3.0V , 3.1V , 3.3V , 3.6V或。
AAT3215
特点
PowerLinear
智能切换
低压差: 140MV 150mA时
保证150mA输出
高精确度± 1.5 %
95μA静态电流
高电源纹波抑制
- 70分贝在1kHz
- 50分贝在10kHz
极低的自噪声: 45μVRMS
快速电压和负载瞬态响应
短路保护
过温保护
使用低等效串联电阻
( ESR )陶瓷电容器
降噪旁路电容
关断模式,以延长电池寿命
低温COEF网络cient
十个工厂编程输出电压
SOT23 5引脚SC70JW或8引脚封装
应用
蓝牙耳机
手机
数码相机
笔记本电脑
个人便携式电子产品
便携式通信设备
典型用途
V
IN
IN
OUT
V
OUT
AAT3215
开/关
1μF
EN
GND
10nF
2.2μF
BYP
GND
GND
3215.2006.05.1.6
1
150毫安CMOS高性能LDO
绝对最大额定值
1
T
A
= 25 ℃,除非另有说明。
符号
V
IN
V
ENIN (MAX)中
I
OUT
T
J
AAT3215
描述
输入电压
最大EN为输入电压
直流输出电流
工作结温范围
价值
6
0.3
P
D
/(V
IN
-V
O
)
-40至150
单位
V
V
mA
°C
热信息
2
符号
Θ
JA
P
D
描述
最大热阻( SOT23-5 , SC70JW - 8 )
最大功率耗散( SOT23-5 , SC70JW - 8 )
等级
190
526
单位
° C / W
mW
推荐工作条件
符号
V
IN
T
描述
输入电压
环境温度范围
等级
(V
OUT
+ 0.3 ) 5.5
-40至+85
单位
V
°C
1.强调超过上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。在条件功能操作
系统蒸发散比规定的工作条件等是不是暗示。只有一个绝对最大额定值应在任一时刻被应用。
2.安装在演示板上。
3215.2006.05.1.6
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