先进的模拟技术公司
2007年4月
AAT1164/AAT1164B/AAT1164C
介绍产品信息为出版日期。详细信息如有变更，恕不另行通知。
三通道TFT LCD电源解决方案
带有运算放大器
特点
建于3A ， 0.2
NMOS开关
正LDO驱动高达28V / 5毫安
负LDO驱动下，以
–14V/5mA
1 V
COM
4 V
伽玛
运算放大器
28V高压开关的钩选
内部软启动功能
1.2MHz的固定开关频率
3通道故障保护和热保护
低功耗电流
QFN -32封装
概述
该AAT1164 / AAT1164B / AAT1164C是一个三通道
TFT LCD电源解决方案，提供一个升压PWM
控制器，两个高压LDO驱动器（一个用于正
电压和一个负电压） ， 5操作
放大器和一个高电压开关提供高达28V的
TFT LCD显示屏。
PWM控制器包括一个片上电压
参考电压，振荡器，误差放大器，电流检测电路，
比较器，
欠压
封锁
保护
和
内部软启动电路。热和电力故障
保护防止内部电路造成损坏
过大的权力。
高电压LDO驱动器生成两个监管
输出电压（V
OUT2
和V
OUT3
）设置由外部电阻器
分频器。 VGH电压不启动，直到DLY电压
超过1.25V 。
该
AAT1164/AAT1164B/AAT1164C
包含
4+1
运算放大器。 VO1 ， VO2 ， VO4和VO5是
伽马校正和VO3是V
COM
。在短
电路条件下，运算放大器能够
采购
±100mA
电流V
伽玛
和
±200mA
电流V
COM
.
用最少的外部元件，
AAT1164 / AAT1164B / AAT1164C提供了一个简单，
对于TFT LCD电源经济的解决方案。
引脚配置
–
先进的模拟技术公司 -
版本1.00
分页： 24 1
司公限有½股技科比類灣台
–
–
先进的模拟技术公司
2007年4月
AAT1164/AAT1164B/AAT1164C
订购信息
设备
TYPE
产品型号
包
填料
温度。
范围
记号
AAT1164
XXXXX
XXXX
记号
描述
1.零件名称
2.批号
（ 6 9位数字）
3.日期代码
（ 4位数字）
1.零件名称
2.批号
（ 6 9位数字）
3.日期代码
（ 4位数字）
1.零件名称
2.批号
（ 6 9位数字）
3.日期代码
（ 4位数字）
AAT1164
AAT1164-Q5-T
Q5 ： VQFN
32-5*5
T：带
和卷轴
–40
C
+85
C
AAT1164B
AAT1164B-Q5-T
Q5 ： VQFN
32-5*5
T：带
和卷轴
–40
C
+85
C
AAT1164B
XXXXX
XXXX
AAT1164C
AAT1164C-Q5-T
Q5 ： VQFN
32-5*5
T：带
和卷轴
–40
C
+85
C
AAT1164C
XXXXX
XXXX
注：所有AAT产品不含铅和卤素。
典型用途
–
先进的模拟技术公司 -
版本1.00
分页： 24 2
司公限有½股技科比類灣台
–
–
先进的模拟技术公司
2007年4月
AAT1164/AAT1164B/AAT1164C
绝对最大额定值
参数
VDD到GND
VDD1
,
SW到GND （为AAT1164 / AAT1164B ）
VDD1
,
SW到GND （用于AAT1164C ）
VOUT3
,
OUT3 ， VGH到GND
OUT2到GND
输入电压1 （ IN1 ， IN2 ， IN3 ， DLY ， CTL ， ）
输入电压2 （ VI1 + ， VI1- ， VI2 + ， VI2- ， VI3 + ， VI3- ，
Ⅵ4 + ， VI4- ， VI5 + ， VI5- ）
输出电压1 （ EO ，
V
REF
)
输出电压2 （ ADJ ， VO1 ， VO2 ， VO3 ， VO4 ， VO5 ）
工作自由空气的温度范围内
存储温度范围
功耗
符号
V
DD
V
H1
V
H1
V
H2
V
H3
V
I1
V
I2
V
O1
V
O2
T
C
T
存储
P
d
价值
7
13.5
14.5
30
–14
V
DD
+0.3
V
H1
+0.3
V
DD
+0.3
V
H1
+0.3
–40
C
+85
C
–45
C
+125
C
1,600
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
C
C
mW
注：超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损伤
装置。暴露在绝对最大额定值条件下，较长一段时间内可能会影响器件的可靠性。
–
先进的模拟技术公司 -
版本1.00
第24 3
司公限有½股技科比類灣台
–
–
先进的模拟技术公司
2007年4月
AAT1164/AAT1164B/AAT1164C
电气特性
(V
DD
= 2.6V至5.5V ，T
C
=
–40
°
C
85
°
C
中，除非另有规定。典型值是在25测试
°
C
环境
温度，V
DD
= 3.3V, V
DD1
= 10V.)
参数
VDD输入电压范围
VDD1输入电压范围
符号
V
DD
AAT1164/AAT1164B
V
DD1
AAT1164C
落下
欠压锁定VDD
V
UVLO
升起
V
IN1
= 1.5V ，不转换
V
IN1
= 1.0V ，开关
V
VI1+
~V
VI5+
= 4V
测试条件
民
2.6
8
8
2.1
2.3
2.2
2.4
0.56
5.6
7
160
典型值
最大
5.5
13
14
2.3
2.5
0.80
10.0
10
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
VDD工作电流
VDD1工作电流
热关断
I
VDD
I
VDD1
T
SHDN
C
参考电压
参数
参考电压
线路调整
负载调整率
符号
V
REF
测试条件
I
VREF
= 100A
I
VREF
= 100A,
V
DD
= 2.6V~5.5V
I
VREF
= 0~100A
民
1.231
-
-
典型值
1.250
2
1
最大
1.269
5
5
单位
V
％ / MV
％ / mA的
振荡器
参数
振荡频率
最大占空比
符号
f
OSC
D
最大
测试条件
民
1.05
84
典型值
1.20
87
最大
1.35
90
单位
兆赫
%
–
先进的模拟技术公司
.
–
司公限有½股技科比類灣台
版本1.00
第24 4
–
–
先进的模拟技术公司
2007年4月
AAT1164/AAT1164B/AAT1164C
电气特性
(V
DD
= 2.6V至5.5V ，T
C
=
–40
°
C
85
°
C
中，除非另有规定。典型值是在25测试
°
C
环境
温度，V
DD
= 3.3V, V
DD1
= 10V.)
软启动&故障检测
参数
通道1软启动时间
通道2软启动时间
通道3软启动时间
在故障保护触发时间
IN1故障保护电压
IN2故障保护电压
IN3故障保护电压
符号
t
SS1
t
SS2
t
SS3
t
FP
V
F1
V
F2
V
F3
1.00
0.40
1.00
测试条件
民
典型值
14
14
14
55
1.05
0.45
1.05
1.10
0.50
1.10
最大
单位
ms
ms
ms
ms
V
V
V
误差放大器（通道1）
参数
反馈电压
输入偏置电流
反馈电压线路调整
跨
电压增益
G
m
A
V
符号
V
IN1
I
B1
测试条件
民
1.221
典型值
1.233
0
0.05
105
1,500
最大
1.245
40
0.15
单位
V
nA
％ / MV
S
V/V
V
IN1
= 1V to1.5V
水平，生产
V
EO
= 1.233V
2.6V <
V
DD
＆ LT ; 5.5V
I
= 5
A
–40
N型MOS开关（通道1）
参数
电流限制
导通电阻
漏电流
符号
I
LIM
R
ON
I
SWOFF
I
SW
= 1.0A
V
SW
= 12V
测试条件
民
典型值
3.0
0.2
0.01
20.00
最大
单位
A
A
–
先进的模拟技术公司
.
–
司公限有½股技科比類灣台
版本1.00
第24个5
–
–
QQ：2881677436 复制
