24-30 GHz的砷化镓MMIC
低噪声放大器
AA028N1-00
特点
s
偏置单电源供电（ 4.5 V ）
s
3.0分贝典型噪声系数为28 GHz的
1.250
芯片大纲
1.084
1.605
1.829
2.091
2.245
s
17分贝典型小信号增益
s
0.25
m
钛/钯/金·盖茨
s
100 ％的晶片RF ， DC和噪声
图测试
s
100 ％目视检查，以MIL -STD- 883
MT 2010
1.162
1.172
0.530
0.087
0.124
0.000
0.000
0.235
1.056
1.957
2.268
2.355
描述
阿尔法的三阶段反应性匹配24-30 GHz的
MMIC低噪声放大器具有典型的小信号增益
17分贝与3.0分贝28 GHz的典型噪声系数。
该芯片采用Alpha的探明0.25
m
低噪声PHEMT
技术，并且是基于MBE层和电子
束平版印刷术为最高的均匀性和
可重复性。场效应管采用表面钝化
确保通过贯通基板坚固可靠部
孔和黄金为基础的背面金属化，以方便
导电环氧树脂芯片粘接工艺。
尺寸以毫米。
所有的直流电压（V ）垫是0.1 ×0.1毫米， RF输入，输出垫0.07毫米宽。
芯片厚度= 0.1毫米。
绝对最大额定值
特征
工作温度（T
C
)
存储温度（T
ST
)
偏置电压（ V
D
)
在功率（P
IN
)
结温（T
J
)
价值
-55 ° C至+ 90°C
-65 ° C至+ 150°C
6 V
DC
10 dBm的
175°C
电气规格在25 ° C（ V
DS
= 4.5 V)
参数
漏电流
小信号增益
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
1 dB增益压缩输出功率
1
热
阻力
2
F = 24-30 GHz的
F = 28 GHz的
F = 24-30 GHz的
F = 24-30 GHz的
F = 28 GHz的
条件
符号
I
DS
G
NF
RL
I
RL
O
P
1分贝
Θ
JC
15
分钟。
典型值。
3
24
17
3.0
-11
-14
7
92
3.5
-6
-10
马克斯。
50
单位
mA
dB
dB
dB
dB
DBM
° C / W
1.未测量了100％的基础上。
基于离散FET的测量2.计算值。
3.典型代表整个指定的位数参数值
频率范围的中位数芯片。
阿尔法工业公司
[781] 935-5150
传真
[617] 824-4579
电子邮件
sales@alphaind.com
www.alphaind.com
规格如有变更，恕不另行通知。 1 / 01A
1
24-30 GHz的砷化镓MMIC低噪声放大器
AA028N1-00
典型性能数据
20
10
0
S
21
S
11
S
22
-20
-30
S
12
-40
-50
20
24
28
32
偏置安排
V
D2
.01
F
50 pF的
（ dB）的
-10
在RF
RF OUT
V
D1
.01
F
50 pF的
频率（GHz ）
典型的小信号性能
S参数（V
D
= 4.5 V)
10
9
增益* 2.5 V 5.0 V
增益2.5 V
增益4.5 V
NF 4.5 V
NF 2.5 V
NF * 2.5 V 5.0 V
21
20
19
18
17
16
15
14
13
20
22
24
26
28
30
32
对于偏上，调整V
DS
从零到所需的值
（ 4.5 V推荐） 。对于偏关，反向偏置的过程。
电路原理图
D
噪声系数（dB ）
8
7
6
5
4
3
2
增益（dB ）
G
细节A
V
D2
频率（GHz ）
典型增益和噪声系数
对3种偏置条件下的性能
*特别偏置： V
D1
= 2.5 V, V
D2
= 5.0 V
G
43
40
在RF
SEE
详细信息
A
D
G
D
G
D
RF OUT
V
D1
20
28 GHz增益（分贝）和
28 GHz的噪声系数（dB ）
18
16
14
12
10
8
6
4
2
1.0
NF
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
I
D
收益
漏极电流（mA ）
37
34
31
28
25
22
19
16
V
D1
和V
D2
(V)
典型增益和噪声系数
性能与漏极偏置（V
D1
= V
D2
)
2
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