A8731
移动电话氙闪光灯电容充电器
带IGBT驱动器
特点和优点
低静态电流消耗（ 0.01
μA
在关断模式下）
初级侧输出电压感测;无电阻分压器
需要
用户可调电流限值为0.4 1.2 A
1.1 V逻辑（V
HI
（分钟））的相容性
集成IGBT驱动器，具有内部栅极电阻
灵活的双触发输入，用于IGBT驱动器
优化的手机， 1节锂离子电池应用
不需要一次侧肖特基二极管
零电压切换为低损失
>75 ％的效率
充电完成指示
集成40 V DMOS开关
描述
快板
A8731氙气闪光灯充电器IC设计
为满足超低功耗，小尺寸相机的需求，
特别是照相手机。
充电时间可调通过设定充电电流
限制从0.4到1.2的最大值。通过使用初级侧
电压感测，需要次级侧电阻性电压
分频器被消除。这具有减少的额外好处
在变压器的次级侧上的漏电流。对
延长电池寿命， A8731具有极低的电源电流
画，一般为0.01
μA
在关断模式和10
μA
in
待机模式。
该A8731有闪光灯双触发IGBT驱动器。 IGBT驱动器
也有内部栅极电阻最少的外部组件
算。充电和触发电压逻辑阈值设为
在1.1 V
HI
（分钟） ，以支持应用程序中实现低
电压的控制逻辑。
该A8731是采用10触点可3毫米× 3毫米DFN
打包带0.75标称总体封装高度，以及
外露散热板以增强散热性能。
应用
手机闪存
数字和胶片相机闪光灯
包装： 10 - DFN接触带外露
散热焊盘（封装EJ ）
大致比例为1 ： 1
典型应用
1 : 10
1 : 10
C2
电池输入+
2.3至5.5 V
VIN
VOUT检测
C1
100
μF
315 V
COUT
C2
电池输入+
2.3至5.5 V
VIN
VOUT检测
C1
100
μF
315 V
COUT
SW
ISET
RSET
控制
块
SW
ISET
控制
块
I
SW
SENSE
VPULLUP
100 kΩ
RSET
I
SW
SENSE
VPULLUP
100 kΩ
DONE
收费
VIN
TRIGGER1
IGBT驱动器
门
TRIGGER2
GND
DONE
DONE
收费
DONE
VIN
IGBT门
TRIGGER1
IGBT驱动器
门
IGBT门
TRIGGER2
GND
图1.典型的应用有独立的触发输入。
A8731 -DS ，第1版
图2.典型应用有一个触发输入。
A8731
移动电话氙闪光灯电容充电器
带IGBT驱动器
选购指南
产品型号
A8731EEJTR-T
包
10 - DFN接触
填料
磁带和卷轴，每卷1500件
*联系快板另外订购信息。
绝对最大额定值
特征
符号
直流电压。
SW引脚
V
SW
(V
SW
是自钳位内部有源钳位
并允许超过40伏特的回扫期间
尖峰持续时间。最大可重复的能量
在反激秒杀： 0.5
μJ
在频率
≤
400千赫）。
应当小心以限制电流时
-0.6 V施加到这些引脚。
T
A
T
J
（最大）
T
英镑
范围E
-0.3 40
V
笔记
等级
单位
VIN引脚
CHARGE ， TRIGGERx ， 销
DONE
其余引脚
工作环境温度
最大结
储存温度
V
IN
-0.3 6.0
-0.6到V
IN
+ 0.3 V
-0.3到V
IN
+ 0.3 V
-40到85
150
-55到150
V
V
V
C
C
C
热特性
特征
封装热阻
符号
R
θJA
测试条件*
在2层PCB与0.88
基于JEDEC标准
IN 。
2
面积2盎司铜每侧
价值
65
45
单位
摄氏度/ W
摄氏度/ W
在4层PCB的基础上JEDEC标准
*可在快板网站更多热量信息。
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
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2
A8731
移动电话氙闪光灯电容充电器
带IGBT驱动器
功能框图
VIN
SW
V
SW
– V
BAT
DCM
探测器
t
关闭
（最大）
18
μs
S
Q
Q
控制逻辑
DMOS
ISET
ISET缓冲区
V
DS
REF
OCP
t
on
（最大）
18
μs
H
L
触发定时器
R
启用
S
R
Q
DONE
Q
单次
收费
VIN
IGBT驱动器
门
TRIGGER1
TRIGGER2
GND
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3
A8731
移动电话氙闪光灯电容充电器
带IGBT驱动器
PIN- OUT框图
ISET
门
VIN
GND
收费
1
2
3
4
5
PAD
10 NC
9
8
7
6
DONE
TRIGGER1
SW
TRIGGER2
（联系人往下看）
终端列表表
数
名字
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
–
ISET
门
VIN
GND
收费
TRIGGER2
SW
TRIGGER1
DONE
NC
PAD
功能
设置最大开关电流;一个外部电阻器连接至GND，
设置所需的峰值电流
IGBT栅极驱动器 - 汇/源
输入电压;连接到2.3至5.5 V电池供电
接地连接
拉高开始充电;拉低进入低功耗待机模式
IGBT的输入触发2
漏内部功率MOSFET开关的连接;连接
变压器的初级绕组
IGBT的输入触发1
拉低时输出达到目标值和CHARGE引脚为高电平;
在充电过程中或当CHARGE引脚为低电平变为高电平
无连接，电气浮针
裸露焊盘以增强散热;连接到地平面
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
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4
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移动电话氙闪光灯电容充电器
带IGBT驱动器
符号
V
IN
V
INUV
V
INUVhys
测试条件
V
IN
升起
关机（ CHARGE = 0 V ，
TRIGGER1和触发2 = 0 V）
充电完成
充电（ CHARGE = VIN ，
TRIGGER1和触发2 = 0 V）
R
SET
= 26.7 kΩ
R
SET
= 85 kΩ
CHARGE =高
CHARGE =高
V
IN
= 3.6 V，I
D
= 800毫安，T
A
= 25°C
V
SW
= V
IN
（最大值） ，在温度范围
组合V
IN
在T和SW漏电流
A
=25°C
V
IN
= 5.5 V关断
V
收费
= V
IN
高，超过输入电源电压范围
低，在输入电源电压范围
使电荷= 1和充电之间的时间
分钟。
2.3
–
–
–
–
–
1.08
–
–
–
–
–
–
–
–
1.1
–
–
–
–
–
–
32
μA
进入 针
DONE
测量V
SW
– V
IN
脉冲宽度= 200毫微秒（90％至90％）
测量SW引脚
–
31
–
–
典型值。
–
2.05
150
0.01
10
2
1.2
0.4
28
1.2
1000
0.25
–
–
36
–
–
100
20
18
18
–
–
31.5
200
20
马克斯。
5.5
2.2
–
0.5
50
–
1.32
–
–
–
–
–
2
0.5
–
–
0.4
–
–
–
–
1
100
32
400
–
–
0.4
–
–
–
–
–
–
–
单位
V
V
mV
μA
μA
mA
A
A
千安/ A
V
Ω
Ω
μA
μA
μA
V
V
kΩ
us
μs
μs
μA
mV
V
mV
V / μs的
V
V
kΩ
Ω
Ω
ns
ns
ns
ns
电气特性
在V有效的典型值
IN
= 3.6 V ，R
SET
= 33 kΩ的，我
SWLIM
= 1.0 A，而T
A
= 25 ℃，除非另有说明
特征
VIN电压范围
UVLO阈值启用
UVLO迟滞
VIN电源电流
I
IN
电流限制
开关电流限制
1
SW / ISET流动比率
ISET引脚电压充电时
ISET引脚内阻
开关导通电阻
开关漏电流
2
充电输入电流
充电输入电压
2
CHARGE下拉电阻值
CHARGE ON / OFF延时
最大关断超时
最大接通超时
输出漏电流
2
DONE
输出低电压
2
DONE
比较器的输出电压之旅
2
比较器的输出过载
ZVS比较器的dV / dt门限
IGBT驱动器
触发器，触发2输入电压
2
I
SWlimMAX
I
SWlimMIN
I
SW
/I
SET
V
SET
R
SET （ INT ）
R
SWDS （上）
I
SWlk
I
收费
V
收费
R
CHPD
t
CH
t
offmax
t
最大持续时间
I
DONElk
V
DONEL
V
OUTTRIP
V
OUTOV
dv / dt的
V
TRIG （H）的
输入=逻辑高电平，在输入电源电压范围
1.1
–
V
TRIG （L）的
输入=逻辑低电平，在输入电源电压范围
–
–
触发器，触发2下拉电阻R
TRIGPD
–
100
栅极电阻为VIN
R
SRCDS （上）
V
IN
= 3.6 V, V
门
=1.8 V
–
23
栅极电阻到GND
R
SnkDS （上）
V
IN
= 3.6 V, V
门
= 1.8 V
–
30
传播延迟（ RISING ）
t
Dr
–
110
传播延迟（下降）
t
Df
–
140
测量采取针，C
L
= 6500 PF， V
IN
= 3.6 V
输出上升时间
t
r
–
290
输出下降时间
t
f
–
360
1
电流限制通过设计和相关性静力试验保证。请参阅应用部分峰值电流的实际电路。
2
在规格范围T = -40 ° C至85°C ;通过设计和特性保证。
A
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5
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