A8426
高性能闪光灯电容充电器
带IGBT驱动器
特点和优点
广泛的电池电压范围： 1.5 11 V
集成55 V DMOS开关与3.2的电流能力
用户可调节的峰值电流限制，从1到3.2
二次侧电压检测可方便地调节
输出电压
>75 ％的效率
快速充电时间
充电完成指示
灵活，高电流的IGBT驱动器
独立的IGBT驱动器电源
独立的漏极和源极引脚6
Ω
拉和
20
Ω
下拉
联动触发引脚提高噪声抑制
不需要一次侧肖特基二极管
描述
该A8426是一款高度集成的IC，可快速充电
照相闪光灯电容单反相机，数码相机，以及
摄像机集成了数码相机。灵活的IGBT
驱动程序集成，以节省电路板空间。
该A8426集成了3.2 A-能力， 55 V额定DMOS开关
驱动变压器的回扫式的配置，从而允许
紧耦合和高效率进行了优化设计。该
峰值开关电流是用户可调的1和3.2之间，
使用电阻器接地。专有的控制方案
优化了电容的充电时间。低静态电流
低功耗待机模式，电流进一步提高系统
效率并延长电池寿命。
该A8426是采用16触点3毫米× 3毫米TQFN可用
包带有用于增强热性能的外露焊盘。
这家小型，非常超薄（ 0.75 mm标称总高度）
封装非常适合空间受限的应用。它是领先
无铅产品，且采用100 ％雾锡电镀引脚框。
应用包括：
单反相机闪光灯
数码摄像机/ DSC组合闪光
2节Li +输入选通
包装： 16 - TQFN接触（后缀ES ）
大致比例为1 ： 1
典型用途
输入偏置
3.0 5.5 V
电池输入
1.5 11 V
VBAT
C2
VIN
TLIM
ISET
RSET
SW
R1
150 k
1 : 10
+
C1
COUT
100
μF
330 V
控制
块
I
SW
SENSE
FB
VPULLUP
DONE
100 kΩ
R2
150 k
收费
R3
1.20 k
DONE
VDRV
IGBT驱动器
GSOURCE
IGBT门
TRIGGER2
GND
GSINK
TRIGGER1
图1.典型应用电路的反馈电阻桥控制。
A8426 -DS ，第1版
A8426
高性能闪光灯电容充电器
带IGBT驱动器
选购指南
产品型号
A8426EESTR-T
包装*
磁带和卷轴， 1500件/卷
*联系快板额外的包装选项。
绝对最大额定值
特征
SW引脚
VIN引脚
其余引脚
工作环境温度
最大结
储存温度
T
A
T
J
（最大）
T
英镑
范围E
符号
V
SW
V
IN
笔记
等级
-0.3至55
-0.3 7
-0.3到V
IN
+ 0.3 V
-40到85
150
-55到150
单位
V
V
V
C
C
C
特征
封装热阻
符号
R
θJA
测试条件*
在4层PCB的基础上JEDEC标准
价值
47
单位
摄氏度/ W
*可在快板网站更多热量信息。
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
www.allegromicro.com
2
A8426
高性能闪光灯电容充电器
带IGBT驱动器
PIN- OUT框图
16 VDRV
15 ISET
GSOURCE
GSINK
VIN
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
EP
13 NC
12 TLIM
11 DONE
10 TRIGGER1
9
SW
TRIGGER2
NC
（ TOP VIEW ）
终端列表表
数
1
2
3
4
5
6, 7, 13
8
9
10
11
12
14
15
16
–
名字
GSOURCE
GSINK
VIN
GND
收费
NC
TRIGGER2
SW
TRIGGER1
DONE
TLIM
FB
ISET
VDRV
EP
功能
IGBT栅极驱动器 - 源极连接
IGBT栅极驱动器 - 连接下沉
IC偏置输入，连接到3.0至5.5 V电源供电;用于单节Li +电池应用此引脚可以连接到
电池有足够的去耦
接地连接
拉高开始充电;拉低进入低功耗待机模式
无连接
IGBT的输入触发2 ;内部相与TRIGGER1销
马桶盖脚;漏内部功率DMOSFET开关的连接
IGBT的输入触发1 ;内部相与触发2针
开漏针;表明当内部MOSFET拉低充电完成
对于生产测试只;连接到GND PCB上
输出反馈
设置最大开关电流;一个外部电阻连接到GND设定目标峰值电流
供应IGBT栅极驱动器
以增强散热裸焊盘
收费
NC
14 FB
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115东北托夫，箱15036
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3
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高性能闪光灯电容充电器
带IGBT驱动器
功能框图
VIN
SW
DCM探测器
t
关闭
（最大）
18
μs
DMOS
S
R
Q
Q
启用
DONE
OCP
H
→
L
触发定时器
V
DS
REF
ISET
ISET
卜FF器
t
ON
（最大）
18
μs
VFB
V
th
S
收费
单稳
VDRV
R
Q
Q
GSOURCE
TRIGGER1
GSINK
TRIGGER2
裸露焊盘
GND
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4
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高性能闪光灯电容充电器
带IGBT驱动器
特征
符号
V
BAT
V
IN
V
INUV
V
INUVhys
I
SWlimMAX
I
SWlimMIN
I
SWLIM
/I
SET
V
SET
R
SET （ INT ）
R
SWDS （上）
I
SWlk
I
VIN
I
收费
I
CHARGE （H ）
I
CHARGE （ L）
R
收费
t
offmax
t
最大持续时间
I
DONElk
V
DONEL
V
FBth
I
FB
dv / dt的
V
DRV
I
TRIG
V
TRIG （H）的
V
TRIG （L）的
R
TRIGPD
R
SRCDS （上）
R
SnkDS （上）
t
dr
t
df
t
r
t
f
连接GSOURCE到GSINK ，R
门
= 12
Ω,
C
负载
= 6500 PF， V
DRV
= 3.6 V
V
DRV
= 3.6 V, V
GSOURCE
= 1.8 V
V
DRV
= 3.6 V, V
GSINK
= 1.8 V
V
TRIGGER
- VIN
在输入电源电压范围，V
IN
在输入电源电压范围，V
IN
V
FB
= 0V至VIN
测量SW引脚
32
μA
进入 针
DONE
V
IN
= 3.6 V，I
D
= 800毫安，T
A
= 25°C
V
SW
= V
BAT
（最大值） ，在停机
关机（ CHARGE为低电平，触发=低）
充电完成（充电=高， =低）
DONE
充电（ CHARGE =高， TRIGGER =低）
CHARGE = V
IN
在输入电源电压范围，V
IN
在输入电源电压范围，V
IN
最大，R
SET
= 21.8 kΩ
最小，R
SET
= 72 kΩ
R
SET
= 21.8 kΩ的， CHARGE =高
R
SET
= 35 kΩ的， CHARGE =高
V
IN
升起
测试条件
分钟。
1.5
3.0
2.55
–
2.9
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
1.4
–
–
–
–
–
–
1.187
–
–
3
–
1.4
–
–
–
–
–
–
–
–
典型值。
–
–
2.65
150
3.2
1.0
58.5
1.2
330
0.2
–
0.01
25
2
36
–
–
100
18
18
–
–
1.205
12
20
–
36
–
–
100
6
20
30
140
80
320
马克斯。
11
5.5
2.75
–
3.5
–
–
–
–
–
1
1
100
–
–
–
0.4
–
–
–
1
100
1.223
–
–
5.5
–
–
0.4
–
–
–
–
–
–
–
单位
V
V
V
mV
A
A
千安/ A
V
Ω
Ω
μA
μA
μA
mA
μA
V
V
kΩ
μs
μs
μA
mV
V
nA
V / μs的
V
μA
V
V
kΩ
Ω
Ω
ns
ns
ns
ns
电气特性
在V有效的典型值
IN
= 3.6 V ，R
SET
= 33.2 kΩ的，我
SWLIM
= 2.0 A，而T
A
= 25 ℃，除非另有说明
VBAT引脚电压范围
1
VIN引脚电压范围
1
UVLO阈值启用
UVLO迟滞
开关电流限制
2
SW电流限制到ISET流动比率
ISET引脚电压充电时
ISET引脚内阻
开关导通电阻
开关漏电流
1
VIN引脚的电源电流
CHARGE引脚输入电流
CHARGE引脚输入高电压
1
CHARGE引脚输入电压低
1
CHARGE引脚下拉电阻
最大关断超时
最大接通超时
引脚输出漏电流
1
DONE
脚输出低电平电压
1
DONE
FB阈值
1
FB输入电流
最小的dV / dt为ZVS比较
IGBT驱动器
VDRV引脚供电电压（ IGBT驱动器）
1
TRIGGERx引脚输入电流
TRIGGERx引脚高输入电压
1
TRIGGERx引脚低输入电压
1
TRIGGERx引脚下拉电阻
GSOURCE导通电阻为VDRV
GSINK导通电阻到GND
传播延迟（ RISING ）
传播延迟（下降）
输出上升时间
输出下降时间
1
特定网络阳离子
2
当前
在范围T
A
= -40 ° C至85°C ;通过设计和特性保证。
限保证的设计和相关性静力试验。请参阅应用信息部分的峰值电流的实际电路。
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
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5
QQ：2881677436 复制
