A81L801
堆叠式多芯片封装( MCP ) 1 MX 8位/ 512K ×16位
引导扇区闪存存储器和128K ×8低电压CMOS SRAM
初步
文档标题
堆叠式多芯片封装( MCP ) 1M ×8位/ 512K ×16位引导扇区闪存
和128K ×8低电压CMOS SRAM
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0.0
历史
创刊号
发行日期
2005年3月25日
备注
初步
初步
( 2005年3月,版本0.0 )
AMIC技术股份有限公司
A81L801
堆叠式多芯片封装( MCP ) 1 MX 8位/ 512K ×16位
引导扇区闪存存储器和128K ×8位低电压CMOS SRAM
初步
MCP特点
单电源工作2.7至3.6伏
高性能
- 存取时间快为70ns
包
-
69球FBGA ( 8x11x1.4毫米)
工业工作温度范围: -25°C至85°C的-I
闪光灯功能
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
访问次数:
-
70 (最大)
当前位置:
- 9 mA典型有效的读电流
- 20毫安典型的编程/擦除电流
-
200 nA的典型CMOS待机
-
200 nA的自动睡眠模式电流
灵活的部门架构
-
16字节/ 8 KbyteX2 / 32千字节/ 64 KbyteX15行业
-
8千字/ 4 KwordX2 / 16 K字/ 32 KwordX15行业
-
任何部门的结合可以被删除
-
支持整片擦除
-
部门保护:
保护部门,以防止任何的硬件方法
意外的程序或部门擦除操作。
临时机构撤消功能允许代码修改
在先前锁定行业
工作温度范围: -25 ° C + 85°C的 -
I系列
解锁绕道程序命令
- 发出多个时,降低了总体规划的时间
程序命令序列
提供顶部或底部启动块配置
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动删除
整个芯片或指定部门的任意组合和
验证擦除扇区
- 嵌入式程序算法自动写和
在指定地址的数据验证
每个部门的典型100,000编程/擦除周期
20年的数据保存在125°C
-
可靠运行的系统的寿命
数据
轮询和触发位
-
提供的检测完成软件的方法
编程或擦除操作
就绪/
忙
引脚( RY /
BY
)
- 提供了检测完成硬件方法
编程或擦除操作
擦除暂停/删除恢复
-
暂停扇区擦除操作来读取数据,或
程序数据,一个非擦除扇区,然后恢复
擦除操作
硬件复位引脚(
RESET
)
-
硬件的方法来将设备重置读取阵列数据
LP SRAM特点
电源电压范围: 2.7V至3.6V
访问时间: 70 ns的(最大)
当前位置:
非常低功率版:操作: 30毫安(最大)
待机: 5UA (最大)
全静态操作,无时钟或刷新要求
所有输入和输出直接TTL兼容
采用三态输出通用I / O
输出使能和两个芯片使能输入,方便
应用
数据保持电压: 2.0V (分钟)
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A81L801
概述
的A81L801 Flash存储器是一个8Mbit的, 3.0伏,只
内存组织为1,048,576字节的8位或524,288
也就是说,每行16位。的8位数据出现在I / O的
0
- I / O
7
;
数据的16位上出现I / O的
0
-I / O
15
。该A81L801是
在69球TFBGA封装。本设备被设计为
被编程在系统的标准系统3.0伏
VCC电源。不需要IN-额外12.0伏VPP
系统写入或擦除操作。然而, A81L801可以
同时在标准EPROM编程器进行编程。
A81L801的Flash存储器的第一个触发位, I / O
6
,
这表明嵌入式编程或擦除是否在
进展,或者是在擦除挂起。除了I / O
6
切换
位, A81L801的闪存还具有第二切换
位, I / O
2
,以指示被寻址的扇区是否正在被
选择擦除。该A81L801还提供能力
程序在擦除挂起模式。该标准A81L801
提供的70访问时间和为90ns ,从而允许高速
微处理器无需等待状态运行。为了消除
总线争用该设备具有独立的芯片使(
CE_F
,
和
CE_S
) ,写使能(
WE
)和输出使能(
OE
)
控制。
该设备需要用于只有一个3.0伏的电源
读取和写入功能。内部生成的,
提供了用于将程序和擦除稳压电压
操作。
的A81L801的闪存是完全的软件命令
集与JEDEC单电源闪存兼容
标准。命令被写入命令寄存器
采用标准的微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机,用于控制
擦除和编程电路。写周期内部也
锁存的地址和所需要的编程数据和
擦除操作。读数据从器件中是类似
读取其他闪存或EPROM器件。
器件编程时通过编写适当的程序
命令序列。这将启动嵌入式计划
算法 - 内部算法,可以自动倍
编程脉冲宽度和验证正确的程序保证金。
设备出现擦除通过执行适当的擦除
命令序列。这将启动嵌入式擦除
算法 - 内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未被编程)之前
在执行擦除操作。在擦除时,设备
自动倍擦除脉冲宽度和验证正确
删除保证金。解锁旁路模式有助于更快
通过要求只有两个写周期编程时间
程序数据,而不是四个。
主机系统可以检测是否编程或擦除
操作完成后,通过观察RY /
BY
针,或通过
读取I / O
7
(
数据
轮询)和I / O
6
(切换)状态位。
后一个程序或擦除周期已经完成,该装置
准备读阵列数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构允许存储扇区是
擦除和重新编程,而不影响数据的内容
其他部门。的A81L801 Flash存储器完全擦除
出厂的时候。
硬件扇区保护功能禁用操作
在行业中任意组合两种编程和擦除
的存储器。这可以通过编程设备来实现。
擦除暂停/删除恢复功能使用户
把擦除搁置任何一段时间内读取数据,
或程序的数据,即不选择任何其它扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件
RESET
销终止在任何操作
进步和内部状态机复位到读
阵列的数据。该
RESET
销可连接到系统复位
电路。系统复位将因此还重新设置设备,
使系统微处理器读取引导向上
固件从闪存中。
该A81L801器件提供两种省电功能。当
地址已稳定的时间一个特定的编量
器件进入自动休眠模式。该系统可
同时将设备进入待机模式。动力
消耗在这两种模式下大大降低。
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A81L801
销刀豆网络gurations
69球FBGA
顶视图
仅限于Flash
A1
A5
A6
A10
NC
B1
B3
B4
NC
B5
NC
B6
B7
B8
NC
只有SRAM
SHARED
NC
C2
A7
C3
NC
C4
NC
C5
WE
C6
A8
C7
A11
C8
C9
A3
D2
A6
D4
NC
D4
RESET
D5
NC
D6
NC
D7
A12
D8
A15
D9
A2
E1
E2
A5
E3
A18
E4
RY / BY
NC
A9
E7
A13
E8
NC
E9
E10
NC
F1
A1
F2
A4
F3
A17
F4
A10
F7
A14
F8
NC
F9
NC
F10
NC
A0
G2
VSS
G3
I / O
1
G4
G5
G6
I / O
6
G7
NC
G8
A16
G9
NC
CE_F
H2
OE
H3
I / O
9
H4
I / O
3
H5
I / O
4
H6
I / O
13
H7
BYTE ?
I / O
15
(A-1)
F
H8
H9
CE_S
I / O
0
J3
I / O
10
J4
VCC_F
J5
VCC_S
J6
I / O
12
J7
I / O
7
J8
VSS
I / O
8
K1
I / O
2
I / O
11
K5
NC
K6
I / O
5
I / O
14
K10
NC
NC
NC
NC
特殊处理说明FBGA封装
特殊处理所需的闪存产品, FBGA封装。
如果暴露在超声波清洗方法FBGA封装的快闪存储器装置可能会损坏。包和/或数据
如果封装体暴露于温度超过150℃的时间的延长时段的完整性可能受到损害
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