6A259
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2000年3月22日
8位可寻址
DMOS功率驱动器
该A6A259KA和A6A259KLB将3至8线CMOS
译码器和附带的数据锁存器，控制电路，和DMOS
在多官能功率驱动器的输出能够存储单行的
在可寻址锁存器或使用作为解码器或demuliplexer数据。
驱动器应用包括继电器，螺线管和其他中等电流
或高压外围电源负载。
CMOS输入和锁存允许直接接口与微
基于处理器的系统。使用带有TTL可能需要相应的上拉
电阻器，以确保输入的逻辑高。四种操作模式是
可选择与CLEAR和使能输入。
该解决DMOS输出反转所有的数据输入
未解决的输出，剩下的在他们以前的状态。所有的输出
驱动器被禁用（在DMOS下沉司机关闭）与
CLEAR投入低， ENABLE输入高。该A6A259KA / KLB
DMOS漏极开路输出可吸收高达500毫安的。
该A6A259KA被布置在一个20脚双列直插式塑料封装
年龄。该A6A259KLB被布置在一个24引脚宽体，小型
外形塑料封装蝙蝠（ SOIC ）与鸥翼导致的surface-
安装应用程序。铜引线框架，降低了供电电流再
quirements ，低导通电阻允许两个设备下沉150
所有输出毫安不断，到环境温度超过85°C 。
数据表
26186.121
A6A259KA （ DIP ）
OUT
2
OUT
3
S
1
逻辑
地
动力
地
动力
地
S
2
（MSB）
启用
OUT
4
OUT
5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
EN
20
19
18
V
DD
17
OUT
1
OUT
0
S
0
（ LSB ）
逻辑
供应
动力
地
动力
地
明确
数据
OUT
7
OUT
6
解码器
锁存器
16
15
14
13
12
11
DWG 。 PP- 050-4
绝对最大额定值
在T
A
= 25
°
C
输出电压V
O
............................
50 V
输出漏电流，
连续的，我
O
......................
350毫安*
山顶，我
OM
...........................
1100毫安*
山顶，我
OM
....................................
2.0 A
单脉冲雪崩能量，
E
AS
.............................................
75兆焦耳
逻辑电源电压，V
DD
..............
7.0 V
输入电压范围，
V
I
...............................
0.3 V至7.0 V
封装功耗，
P
D
.......................................
请参阅图表
工作温度范围，
T
A
.............................
-40
°
C至+ 125
°
C
存储温度范围，
T
S
.............................
-55
°
C至+150
°
C
*每路输出，所有输出上。
=脉冲持续时间
≤
100
s,
占空比
≤
2%.
注意：这些CMOS器件具有输入静态
保护（ 3级） ，但仍易受会损坏
年龄，如果暴露在极高的静电
收费。
特点
I
50 V最小输出钳位电压
I
350毫安输出电流（同时所有输出）
I
1
典型
r
DS （ ON）
I
内部短路保护
I
低功耗
I
替代TPIC6A259N和TPIC6A259DW
通过完整的部件号总是命令：
产品型号
包
R
θJA
A6A259KA
20引脚DIP
55°C/W
A6A259KLB 24引脚SOIC 55 ° C / W
R
θJC
25°C/W
—
R
θJT
—
6°C/W
6A259
8位可寻址
DMOS功率驱动器
A6A259KLB （ SOIC ）
ALLOWABLE封装功耗（瓦）
5
后缀' LB '，R
θJT
= 6.0 ° C / W
OUT
2
OUT
3
S
1
1
2
3
4
5
解码器
锁存器
24
23
22
V
DD
21
20
19
18
17
16
EN
15
14
13
OUT
1
OUT
0
S
0
（ LSB ）
逻辑
供应
动力
地
动力
地
动力
地
动力
地
明确
数据
OUT
7
OUT
6
4
3
后缀' A' ，R
θJC
= 25 ° C / W
逻辑
地
动力
地
动力
地
动力
地
动力
地
6
7
8
9
10
11
12
2
1
R
θJA
= 55 ° C / W
S
2
（MSB）
启用
0
25
50
75
100
温度
°C
125
150
DWG 。 GP- 049-5
OUT
4
OUT
5
DWG 。 PP- 050-3A
VDD
IN
OUT
DWG 。 EP- 063-5
DWG 。 EP- 010-15
逻辑输入
DMOS功率驱动输出
功能表
输入
CLEAR启用数据
H
H
H
L
L
L
L
L
H
L
L
H
H
L
X
H
L
X
锁存器选型表
功能
寻址
LATCH
内存
8-Line
多路解复用器
明确
R =以前的状态
讨论
产量
L
H
R
L
H
H
其他
输出
R
R
R
H
H
H
选择输入
讨论
S
2
(
最高位
) S
1
S
0
(
最低位
）输出
L
L
L
L
H
H
H
L
L
H
H
L
L
H
L
H
L
H
L
H
L
0
1
2
3
4
5
6
L =低逻辑电平
H =高逻辑电平
X =无关
H
H
H
7
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
版权所有2000 ， Allegro MicroSystems公司
6A259
8位可寻址
DMOS功率驱动器
推荐工作条件
在工作温度范围
逻辑电源电压范围，V
DD
............... 4.5 V至5.5 V
高电平输入电压V
IH
............................
≥
0.85V
DD
低电平输入电压，V
IL
.................................
≤0.15V
DD
在T电气特性
A
= +25
°
C，V
DD
= 5 V ，T
ir
= t
if
≤
10纳秒（除非另有
指定）。
范围
特征
逻辑电源电压
输出故障
电压
断态输出
当前
静态漏源
导通状态电阻
源极到漏极
二极管电压
额定输出
当前
输出电流
逻辑输入电流
符号
V
DD
V
（ BR ） DSX
I
DSX
测试条件
操作
I
O
= 1毫安
V
O
= 40 V
V
O
= 40 V ，T
A
= 125°C
分钟。
4.5
50
—
—
—
—
—
—
0.6
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
5.0
—
0.1
0.2
1.0
1.7
1.0
350
0.8
—
—
100
60
55
40
15
150
马克斯。
5.5
—
1.0
5.0
1.5
2.5
—
—
1.1
1.0
-1.0
—
—
—
—
100
300
单位
V
V
A
A
V
mA
A
A
A
ns
ns
ns
ns
A
A
r
DS （ ON）
I
O
= 350毫安
I
O
= 350毫安，T
A
= 125°C
V
SD
I
O（ NOM ）
I
O（印章）
I
IH
I
IL
I
F
= 350毫安
V
DS （ ON）
= 0.5 V ，T
A
= 85°C
I
O
在该斩波开始，T
C
= 25°C
V
I
= V
DD
= 5.5 V
V
I
= 0, V
DD
= 5.5 V
I
O
= 350毫安，C
L
= 30 pF的
I
O
= 350毫安，C
L
= 30 pF的
I
O
= 350毫安，C
L
= 30 pF的
I
O
= 350毫安，C
L
= 30 pF的
V
DD
= 5.5 V ，输出OFF
V
DD
= 5.5 V ，输出ON
道具，延迟时间
t
PLH
t
PHL
输出上升时间
输出下降时间
电源电流
t
r
t
f
I
DD （ OFF ）
I
DD （ ON）
典型的数据是在V
DD
= 5 V ，并且是唯一的设计信息。
注 - 脉冲试验，持续时间
≤
100
s,
占空比
≤
2%.
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
6A259
8位可寻址
DMOS功率驱动器
功能描述和输入要求
启用
四种操作模式是通过控制所述可选择
CLEAR和ENABLE输入，如上图所示。
50%
数据
t
PLH
讨论
产量
t
PHL
90%
10%
在可寻址锁存模式中，在所述数据输入端的数据是
写入到被寻址的透明锁存器。该解决
输出反转的数据输入与所有其它输出剩余
在其原先的状态。
DWG 。 WP- 036
t
r
t
f
输出开关时间
在内存模式下，所有输出将保持在先前的
态，并且不受数据或地址（S
n
）输入。
为了防止在锁存器输入erroneus数据， ENABLE
应保持高电平，而地址线正在发生变化。
在解复用/解码方式中，寻址
输出反相输入的数据和其他所有输出都关断。
启用
t
SU（ D）
数据
50%
50%
t
H（ D）
在清模式下，所有输出都关断和不受影响
由数据或地址（S
N
）输入。
DWG 。 WP- 037
t
W（ D）
数据输入的要求
数据活动时间前启用
（数据建立时间） ，T
SU（ D）
..............................................
20纳秒
数据活动时间开启后，
（数据保持时间） ，T
H（ D）
...................................................
20纳秒
数据脉冲宽度，T
W（ D）
.......................................................
40纳秒
输入逻辑高电平，V
IH
................................................
≥
0.85V
DD
输入逻辑低电平，V
IL
.................................................
≤
0.15V
DD
给定合适的输入，当数据为低电平的
给定地址时，输出为OFF ;当数据为高电平时，该
输出上，可以吸收电流。
逻辑符号
S
0
S
1
S
2
启用
数据
明确
0
8M 0/7
2
G8
Z9
Z10
9,0D
10,0R
9,1D
10,1R
9,2D
10,2R
9,3D
10,3R
9,4D
10,4R
9,5D
10,5R
9,6D
10,6R
9,7D
10,7R
OUT
0
OUT
1
OUT
2
OUT
3
OUT
4
OUT
5
OUT
6
OUT
7
DWG 。 FP- 046-2
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