6818
A6818xEP
DABiC -IV 32位串行输入，
锁存源极驱动器
该A6818-器件结合了32位CMOS移位寄存器，随附
数据锁存器和控制电路与双极源输出和PNP有源上拉
起伏。设计的主要驱动真空荧光显示器， 60 V和 -
40毫安额定输出也让这些设备在许多其他外设使用
功率驱动器应用。该A6818-设有一个增加的数据输入速率
（较旧的UCN / UCQ5818 -F）和一个受控的输出压摆率。
CMOS移位寄存器和锁存允许直接接口与微
基于处理器的系统。与3.3 V或5 V逻辑电源，典型的串行数据
输入速率可达到33兆赫。
CMOS串行数据输出允许级联的应用
需要附加驱动线路。类似的设备可作为A6810-
（ 10比特）和A6812- （20位）。
该A6818-输出源驱动器是NPN达林顿，能
采购高达40毫安。控制输出压摆率降低electromag-
NETIC噪音，这是在包含系统的一个重要考虑
电信和/或微处理器，并满足政府排放
sions法规。对于数字间消隐，所有输出驱动器可以被禁用
和所有的灌电流驱动器打开与消隐输入高。即插即用活跃
下拉功能会下沉至少2.5毫安。
三温度范围可为在最佳性能
商业（后缀S-） ，工业（ E-）和扩展工业级（ K- ）的应用
系统蒸发散。提供的封装形式是最小面积的表面贴装PLCC
（后缀-EP ） 。铜引线框架，低逻辑电功耗和低
输出饱和电压允许这些设备驱动大部分复
真空荧光显示器超过最大工作温度范围。
铅（Pb ）免费版本有100 ％雾锡电镀引脚框。
数据表
26182.128D
44
43
42
41
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
21
22
23
24
25
26
27
18
19
20
28
40
6
5
4
3
2
1
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
绝对最大额定值
在T
A
= 25°C
逻辑电源电压，V
DD
..................
7.0 V
驱动器电源电压，V
BB
...................
60 V
连续输出电流范围，
I
OUT
.........................
-40 mA至15毫安
输入电压范围，
V
IN
.......................
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
封装功耗，
P
D
........................................
请参阅图表
工作温度范围，T
A
（后缀' E- '） ..................
-40 ° C至+ 85°C
（后缀' K- '） ................
-40°C至+ 125°C
（后缀“ S- ” ） ..................
-20 ° C至+ 85°C
存储温度范围，
T
S
...............................
-55 ° C至+ 125°C
注意：这些CMOS器件具有输入
静电保护（ 2级） ，但仍
容易受到损害，如果暴露在
极高的静电电荷。
特点
■
控制输出摆率
■
高速数据存储
■
60 V最小
■
高数据输入速率
输出故障
■
低输出饱和电压
■
PNP主动下拉电阻
■
更换改进
■
低功耗CMOS逻辑器件
对于SN75518N ， SN75518NF ，
和锁存器
UCN5818-和UCQ5818-
通过完整的部件号总是命令：
产品型号
A6818EEP
A6818EEP-T
A6818EEPTR
A6818EEPTR-T
A6818KEP
A6818KEP-T
A6818KEPTR
A6818KEPTR-T
A6818SEP
A6818SEP-T
A6818SEPTR
A6818SEPTR-T
无铅
–
是的
–
是的
–
是的
–
是的
–
是的
–
是的
填料
27片/管
-40到85
450件/ 13英寸卷轴
27片/管
-40至125
450件/ 13英寸卷轴
27片/管
-20到85
450件/ 13英寸卷轴
环境温度，T
A
(°C)
6818
32位串行输入，
锁存源极驱动器
典型的输入电路
OUT
30
OUT
31
A6818xEP
串行
数据输出
负载
供应
逻辑
供应
串行
DATA IN
OUT
1
V
DD
44
43
OUT
2
41
NC
V
BB
42
40
6
3
5
4
2
1
OUT
3
VDD
OUT
32
OUT
29
7
8
9
10
注册
注册
锁存器
2
39
38
37
36
OUT
4
IN
锁存器
11
12
DWG 。 EP- 010-5
35
34
33
19
32
31
30
OUT
13
NC
13
14
15
16
OUT
19
17
OUT
8
BLNK
29
CLK
ST
20
27
OUT
14
18
19
23
24
25
消隐
21
地
22
OUT
17
频闪
OUT
15
26
NC
OUT
18
OUT
16
时钟
NC
28
DWG 。 PP- 059-2
典型的输出驱动器
V BB
3.0
ALLOWABLE封装功耗（瓦）
2.5
OUT
N
2.0
DWG 。 EP- 021-19
1.5
后缀' EP '，R
θJA
= 54 ° C / W
1.0
0.5
0
25
50
75
100
125
环境温度
°
C
150
DWG 。 GP- 025B
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
版权所有 1998年， 2003 Allegro MicroSystems公司
6818
32位串行输入，
锁存源极驱动器
在T电气特性
A
= +25
°
C（ A6818S- ） ，或在工作温度
范围（ A6818E-和A6818K- ），V
BB
= 60伏，除非另有说明。
限@ V
DD
= 3.3 V
特征
输出漏电流
输出电压
符号
I
CEX
V
OUT(1)
V
OUT(0)
输出下拉电流
输入电压
I
OUT(0)
V
IN(1)
V
IN(0)
输入电流
I
IN(1)
I
IN(0)
输入钳位电压
串行数据输出电压
V
IK
V
OUT(1)
V
OUT(0)
最大时钟频率
逻辑电源电流
f
c
I
DD(1)
I
DD(0)
空载电流
I
BB(1)
I
BB(0)
消隐到输出延迟
t
DIS （ BQ ）
t
EN（ BQ ）
选通到输出延迟
t
P（ STH- QL ）
t
P（ STH- QH ）
输出下降时间
输出上升时间
输出压摆率
t
f
t
r
dv / dt的
所有输出高
所有输出低
所有输出高，空载
所有输出低
C
L
= 30 pF的，50％至50％的
C
L
= 30 pF的，50％至50％的
R
L
= 2.3 kΩ的，C
L
≤
30 pF的
R
L
= 2.3 kΩ的，C
L
≤
30 pF的
R
L
= 2.3 kΩ的，C
L
≤
30 pF的
R
L
= 2.3 kΩ的，C
L
≤
30 pF的
R
L
= 2.3 kΩ的，C
L
≤
30 pF的
I
OUT
=
±200 A
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0.8 V
I
IN
= -200
A
I
OUT
= -200
A
I
OUT
= 200
A
测试条件
V
OUT
= 0 V
I
OUT
= -25毫安
I
OUT
= 1毫安
V
OUT
= 5 V到V
BB
万。
—
57.5
—
2.5
2.2
—
—
—
—
2.8
—
10
—
—
—
—
—
—
—
—
2.4
2.4
4.0
—
典型值。
<-0.1
58.3
1.0
5.0
—
—
<0.01
<-0.01
-0.8
3.05
0.15
33
0.25
0.25
4.5
0.2
0.7
1.8
0.7
1.8
—
—
—
50
马克斯。
-15
—
1.5
—
—
1.1
1.0
-1.0
-1.5
—
0.3
—
0.75
0.75
9.0
20
2.0
3.0
2.0
3.0
12
12
20
—
限@ V
DD
= 5 V
分钟。
—
57.5
—
2.5
3.3
—
—
—
—
4.5
—
10
—
—
—
—
—
—
—
—
2.4
2.4
4.0
—
典型值。
<-0.1
58.3
1.0
5.0
—
—
<0.01
<-0.01
-0.8
4.75
0.15
33
0.3
0.3
4.5
0.2
0.7
1.8
0.7
1.8
—
—
—
50
马克斯。
-15
—
1.5
—
—
1.7
1.0
-1.0
-1.5
—
0.3
—
1.0
1.0
9.0
20
2.0
3.0
2.0
3.0
12
12
20
—
单位
A
V
V
mA
V
V
A
A
V
V
V
兆赫
mA
mA
mA
A
s
s
s
s
s
s
V / μs的
ns
时钟 - 串行数据输出延时T
ρ（ CH- SQX ）
负电流去连接定义为走出（采购）的特定网络版设备终端。
典型的数据是仅用于设计信息，并在T
A
= +25°C.
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
6818
32位串行输入，
锁存源极驱动器
时序要求和特异性阳离子
（逻辑电平V
DD
和地面）
C
时钟
A
串行
DATA IN
数据
50%
B
50%
t
ρ（ CH- SQX ）
串行
数据输出
D
频闪
50%
50%
数据
E
消隐
LOW =所有输出启用
t
P（ STH- QH ）
t
P（ STH- QL ）
90%
OUT
N
数据
10%
DWG 。 WP- 029
HIGH =所有输出消隐（已禁用）
消隐
50%
t
DIS （ BQ ）
t
r
t
EN（ BQ ）
OUT
N
10%
90%
t
f
50%
数据
A.
数据活动时间时钟脉冲之前
（数据建立时间） ，T
SU（ D）
.........................................
25纳秒
B.
数据活动时间时钟脉冲后
（数据保持时间） ，T
H（ D）
...............................................
25纳秒
C.
时钟脉冲宽度，T
瓦特（CH）
...............................................
50纳秒
D.
之间的时钟激活和频闪灯， t时间
SU（ C）
.......
100纳秒
E.
选通脉冲宽度，T
W（ STH ）
.............................................
50纳秒
注 - 时机是代表一个10 MHz的时钟。显
着较高的速度是可以实现的。
DWG 。 WP- 030A
信息中存在的任何寄存器被转移到
当STROBE为高电平（串行到并行锁存器分别
转化率）。该锁存器将继续接受新的数据作为
只要STROBE保持高位。应用场合
锁存器被旁路（频闪拉高）将要求
消隐输入是串行数据输入过程中的高。
当消隐输入为高电平时，输出源
驱动器被禁用（ OFF） ; PNP型有源下拉片
司机开。存储在锁存器中的信息是不
受消隐输入。随着消隐输入
低时，输出由它们各自的状态控制
锁存器。
串行数据输入端存在被转移到移
上的逻辑“0”到逻辑“1”的时钟的过渡寄存器
输入脉冲。在随后的时钟脉冲，寄存器转移
对串行数据输出的数据信息。该
串行数据必须先于上升沿出现在输入
该时钟输入波形。
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