A64E06161
初步
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1M ×16位低电压超RAM
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0.1
1M ×16位低电压超RAM
历史
创刊号
改变VCC范围和VCCQ范围
从20ns到25ns的改变页面访问时间
改变工作电流（I
CC1
）从25毫安至15mA （ -70 ）
改变工作电流（I
CC1
）从20mA至12毫安（ -85 ）
更改待机电流（I
SB1
）从80uA到100uA的
删除减少内存大小16M ，部分阵列刷新16M
改变工作电流（I
CC2
）的形式5mA至3毫安（ -70 ， -85 ）
更改PAR当前达到12Mb = 90uA ，8MB = 80uA ， 4Mb的= 70uA的
改变目前的TCR + 85°C = 100uA的+ 70 ° C = 90uA
改变目前的TCR + 45 ° C = 85uA + 15 ° C = 75uA
发行日期
2003年10月12日
二零零四年十一月三十日
备注
初步
初步
（ 2004年11月， 0.1版）
AMIC技术股份有限公司
A64E06161
初步
特点
工作电压：
VCC ： 1.7V至1.95V
VCCQ ： 1.7V至VCC
访问时间：吨
AA
= 70ns的（最大）
页面访问时间：吨
PAA
= 25ns的（最大）
当前位置：
A64E06161系列：
工作电流（ ICC1 ） ： （最大） 15毫安
待机电流（ ISB1 ） ：为100uA （最大值）
深层关机待机电流（I
ZZ
） ：10μA （最大值）。
4字的页面长度
支持4个不同的操作模式，减少待机
POWER：
深度掉电（ DPD ）模式
减少内存的大小（ RMS ）模式（ 4M ， 8M ， 12M ）
部分阵列刷新（ PAR ）模式（ 4M ， 8M ， 12M ）
温度补偿刷新（ TCR ）模式
工业工作温度范围： -25℃ + 85℃
对 - 我
可提供48小球BGA（ 6X8 ）封装。
1M ×16位低电压超RAM
概述
该A64E06161是一个低工作电流16777216位
超级RAM组织为1,048,576字由16位和
操作上低电源电压从1.7V到1.95V 。
它采用AMIC的高性能CMOS DRAM建
流程。
使用隐藏刷新技术， A64E06161提供了一种
兼容异步接口和数据可以被读出
4字的页面模式，以便快速访问时间。该A64E06161
有一个名为的配置寄存器内部寄存器
（CR） ，用于控制操作。该A64E06161是
专为降低电流消耗时隐藏
自刷新，并通过以下方式操作：深
掉电（ DPD ）模式，减少内存大小（ RMS）
模式，部分阵列刷新（ PAR）的模式和温度
补偿刷新（ TCR ）模式。
这A64E06161适合于低功耗应用，如
移动电话和PDA或者其它电池供电的手持式
装置。
引脚配置
微型BGA （ 6X8 ）顶视图
1
A
2
3
4
5
6
LB
I / O
8
OE
A0
A3
A1
A4
A2
ZZ
I / O
0
I / O
2
VCC
VSS
I / O
6
I / O
7
NC
B
HB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
A19
A8
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
C
D
E
F
G
H
I / O
9
VSSQ
VCCQ
I / O
14
I / O
15
A18
A5
A17
NC
A14
A12
A9
A6
A7
A16
A15
A13
A10
A64E06161G
初步
（ 2004年11月， 0.1版）
1
AMIC技术股份有限公司
A64E06161
建议的直流工作条件
(T
A
= 0
°
C至+ 70
°
C或-25
°
C至85
°
C)
符号
参数
分钟。
马克斯。
单位
VCC
VSS
VCCQ
VSSQ
V
IH
V
IL
C
L
电源电压
地
电源电压I / O只有
只有地面的I / O
输入高电压
输入低电压
输出负载
1.7
0
1.7
0
1.4
-0.2
-
1.95
0
VCC
0
VCCQ + 0.2
+0.4
30
V
V
V
V
V
V
pF
绝对最大额定值*
VCC和VSS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VCC + 0.3V
VCCQ到VSSQ 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至VCCQ + 0.3V
IN， IN / OUT伏至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至VCCQ + 0.3V
储存温度， TSTG 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
°
C至+ 125
°
C
功耗，P
T
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.7W
焊接温度。 &时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260
°
C， 10秒
*评论
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能会导致该设备造成永久性损坏。
这些压力额定值只。这个功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的本规范是
不暗示或预期。
暴露于绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
DC电气特性
符号
参数
（ TA = 0 ° C至+ 70°C和-25 ° C至85°C ， VCC = 1.7V至1.95V ， VCCQ = 1.7V至VCC GND = 0V）
-70
分钟。
马克斯。
分钟。
-85
马克斯。
单位
条件
I
LI
输入漏电流
-
-
1
1
-
-
1
1
A
V
IN
= GND为VCCQ
I
LO
输出漏
当前
A
CE
= V
IH
or
ZZ
= V
IL
or
OE = V
IH
或WE = V
IL
V
I / O
= GND为VCCQ
分钟。周期，占空比= 100 ％
V
IH
CE
= V
IL
,
ZZ
= V
IH
= VCCQ ，V
IL
= 0V,
I
I / O
= 0毫安
I
CC1
工作动态
当前
I
CC2
-
15
-
12
mA
-
3
-
3
mA
CE
= V
IL
,
ZZ
= V
IH
= VCCQ ，V
IL
= 0V,
F = 1MHz时，我
I / O
= 0毫安
CE
≥
VCCQ - 0.2V
ZZ
≥
VCCQ - 0.2V
V
IN
≥
0V
I
OL
- 0.2毫安
I
OH
= -0.2mA
V
IH
I
SB1
V
OL
V
OH
待机功耗
电源电流
输出低电压
输出高电压
-
-
VCCQ-0.2
100
0.2
-
-
-
VCCQ-0.2
100
0.2
-
A
V
V
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A64E06161
深层关机技术参数和条件
符号
I
ZZ
描述
条件
典型值。
马克斯。
单位
A
深度掉电
V
IN
= VCCQ或0V ; +25
°
C
ZZ
=
低
CR [4] = 0
10
部分阵列刷新规格条件
符号
描述
条件
密度
ARRAY
分
典型值。
马克斯。
单位
A
A
A
I
PAR
部分阵列刷新
当前
V
IN
= VCCQ或0V
ZZ
= LOW
CR [4] = 1
12Mb
8Mb
4Mb
3/4
1/2
1/4
90
80
70
注：我
PAR
测量（ MAX）值与TCR设置为85
°
C
温度补偿刷新规格条件
符号
描述
条件
密度
MAX CASE
温度
典型值。
马克斯。
单位
A
A
A
A
I
TCR
温度
补偿刷新
待机电流
V
IN
= VCCQ或0V
芯片已禁用
16Mb
+85
°
C
+70
°
C
+45
°
C
+15
°
C
100
90
80
70
注：1。我
TCR
测量（ MAX）值与全阵列刷新。
2.此设备假定待机模式下，如果芯片被禁止（
CE
HIGH ） 。
真值表
CE
ZZ
H
L
L
L
H
OE
WE
LB
HB
I / O
0
到I / O
7
模式
I / O
8
到I / O
15
模式
VCC电流
H
H
H
L
L
X
X
X
X
L
X
X
X
L
H
X
X
X
X
L
L
H
L
X
X
X
X
L
H
L
L
H
L
X
未选择
未选择
未选择
未选择
读
读
高 - z
写
写
不写/高 - z
高 - z
未选择
未选择
未选择
未选择
读
高 - z
读
写
不写/高 - z
写
高 - z
I
SB1
I
ZZ*2
IPAR*2
加载CR注册
I
CC1
, I
CC2
I
CC1
, I
CC2
I
CC1
, I
CC2
I
CC1
, I
CC2
I
CC1
, I
CC2
I
CC1
, I
CC2
ICC1 ， ICC2
L
L
H
H
X
H
L
H
L
H
X
注：1，X = H或L
2. DPD是启用时的CR寄存器A4为“0” ;否则， PAR是使
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