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A62L256系列
初步
文档标题
32K ×8位的低电压CMOS SRAM
修订历史
版本号
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
32K ×8位的低电压CMOS SRAM
历史
创刊号
修改28引脚DIP , SOP和TSOP封装外形
尺寸。
修改28引脚SOP和TSOP封装外形图纸
和尺寸
添加-LLU类型
从3.3V到3.6V变化工作电压Vccmax
添加产品系列中的第1页
删除我
CC
加入我
CC2
(典型值)I
CCDR
(典型值)。
我的改变
SB1
(典型值)I
CCDR
( MAX 。 )
改变从我订购信息
CC1
到我
CC2
发行日期
1997年9月1日
1998年1月20日
1998年6月17日
2001年4月11日
2001年11月30日
备注
初步
( 2001年11月,1.4版)
AMIC Technology,Inc.的
A62L256系列
初步
特点
n
外部工作电压: 2.7V至3.6V
n
访问时间: 55ns (最大) :为Vcc = 3.0V至3.6V
70ns的(最大) :为VCC = 2.7V至3.6V
n
当前:工作(我
CC1
) : -55系列18毫安(典型值) 。
-70系列12毫安(典型值)。
待机(我
SB1
) : 0.05μA (典型值) 。
n
工作温度范围: -40° C到
+ 85下-LLU系列
n
全静态操作,无时钟或刷新要求
n
所有输入和输出直接TTL兼容
n
采用三态输出通用I / O
n
数据保持电压: 2.0V (分钟)
n
可提供28引脚DIP , SOP和TSOP (向前
反向型)封装
32K ×8位的低电压CMOS SRAM
概述
该A62L256是低工作电流262,144位静态
由8组织为32768字的随机存取存储器
位和运行在低功耗电压: 2.7V至3.6V 。
输入和三态输出为TTL兼容,
允许直接连接常见的系统总线
结构。
最低待机功耗是由该设备时绘制
CE是在一个较高的水平,而与其他输入的
的水平。
数据保存期限保证在电源电压
低至2.0V 。
产品系列
产品系列
操作
温度
VCC
范围
速度
功耗
数据保留
待机
操作
(I
CCDR
, TYP 。 )
(I
SB1
,典型值)。 (我
CC2
, TYP 。 )
0.02A
0.05A
1mA
TYPE
28L DIP
28L SOP
28L TSOP
A62L256
-40°C ~ +85°C
2.7V~3.6V
55ns / 70ns的
1.典型值是在VCC = 3.0V ,T测
A
= 25°C ,而不是100 %测试。
2.数据保持电流VCC = 2.0V 。
销刀豆网络gurations
n
DIP
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
n
SOP
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
28
27
26
25
24
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
n
TSOP
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
~
~
6
7
8
9
10
11
12
13
14
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A62L256V
初步
( 2001年11月,1.4版)
2
AMIC Technology,Inc.的
~
~
A3
A4
A5
A6
A7
A12
A14
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
~ ~
~ ~
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
VSS
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A0
A1
A2
A62L256
A62L256M
A62L256R
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A2
A1
A0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
VSS
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
CE
A10
A62L256系列
框图
A5
VCC
GND
ROW
512 X 512
存储阵列
A9
A11
A14
解码器
I / O
0
列I / O
输入
数据
电路
列解码器
I / O
7
A0
A4 A10
CE
OE
WE
恒功
电路
引脚说明 - DIP / SOP
PIN号
1-10, 21, 23-26
11-13, 15-19
14
20
22
27
28
符号
A0 - A14
I / O
0
- I / O
7
GND
CE
OE
WE
VCC
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
引脚说明- TSOP
PIN号
1
2-5, 8-17, 28
7
6
18-20, 22-26
21
27
符号
OE
A0 - A14
VCC
WE
I / O
0
- I / O
7
GND
CE
描述
OUTPUT ENABLE
地址输入
电源
写使能
数据输入/输出
芯片使能
初步
( 2001年11月,1.4版)
3
AMIC Technology,Inc.的
A62L256系列
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 ° C至+ 70°C和-40 ° C至+ 85°C )
符号
VCC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
分钟。
2.7
0
VCC * 0.7
-0.3
典型值。
3.0
0
-
0
马克斯。
3.6
0
VCC + 0.3
+0.3
单位
V
V
V
V
绝对最大额定值*
VCC和GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 3.6V
IN, IN / OUT伏至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到VCC + 0.5V
工作温度,范围Topr 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 70°C
储存温度, TSTG 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
功耗,P
T
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.7W
焊接温度。 &时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃ ,10秒
*评论
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。
这些压力额定值只。这个功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件
在本规范的业务部门所标明
是不是暗示和暴露在绝对最大额定值
长时间会影响器件的条件
可靠性。
DC电气特性
(T
A
= 0 ° C至+ 70°C和-40° C至+ 85 C, VCC = 2.7V至3.6V , GND = 0V )
符号
参数
A62L256-55LL/55LLU
分钟。
I
LI
输入漏
当前
输出漏
当前
动态
工作电流
-
典型值。
-
马克斯。
1
A62L256-70LL/70LLU
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
1
A
V
IN
= GND到Vcc
单位
条件
I
LO
-
-
1
-
-
1
A
CE = V
IH
或WE = V
IL
V
I / O
= GND到Vcc
分钟。周期,占空比= 100 %
CE = V
IL
, I
I / O
= 0毫安
CE = V
IL
, V
IH
= VCC
V
IL
= 0V中,f = 1 MHz的
I
I / O
= 0毫安
I
CC1
-
*18
25
-
**12
20
mA
I
CC2
动态
工作电流
-
1
3
-
1
3
mA
典型值是在VCC = 3.0V ,T测
A
= 25°C ,而不是100 %测试。
*测试条件:T已
A
= 25 ℃, VCC = 3.0V ,循环时间为55纳秒
**测试方式:T
A
= 25 ℃, VCC = 3.0V ,循环时间= 70纳秒
初步
( 2001年11月,1.4版)
4
AMIC Technology,Inc.的
A62L256系列
直流电气特性(续)
符号
参数
A62L256-55LL/70LL
分钟。
I
SB
电源电流
待机功耗
I
SB1
V
OL
输出低
电压
输出高
电压
-
-
0.05
-
2
0.3
-
-
0.05
-
5
0.3
A
V
-
典型值。
-
马克斯。
50
A62L256-55LLU/70LLU
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
50
A
CE = V
IH
CE
VCC - 0.2V
V
IN
0V
I
OL
= 2.1毫安
单位
条件
V
OH
VCC - 0.3
-
-
VCC - 0.3
-
-
V
I
OH
= -1.0mA
典型值是在VCC = 3.0V ,T测
A
= 25°C ,而不是100 %测试。
真值表
模式
待机
输出禁用
注:X: H或L
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
WE
X
H
H
L
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
电源电流
I
SB
, I
SB1
I
CC
, I
CC1
, I
CC2
I
CC
, I
CC1
, I
CC2
I
CC
, I
CC1
, I
CC2
电容
(T
A
= 25 ° C,F = 1.0兆赫)
符号
C
IN
*
C
I / O
*
参数
输入电容
输入/输出电容
分钟。
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
条件
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
这些参数进行采样,而不是100 %测试。
初步
( 2001年11月,1.4版)
5
AMIC Technology,Inc.的
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