【A617308系列初步文档标题128K ×8位高速CMOS SRAM修订历史版本号0.00.1128】,IC型号A617308S-12,A617308S-12 PDF资料,A617308S-12经销商,ic,电子元器件-51电子网

A617308系列

初步

文档标题

128K ×8位高速CMOS SRAM

修订历史

版本号

0.0

0.1

128K ×8位高速CMOS SRAM

历史

创刊号

改变V

（最大） 3.6V至5.5V

加入32引脚SOP封装

修改32引脚SOJ封装外形图和

尺寸

发行日期

1999年9月17日

1999年11月30日

备注

初步

0.2

添加15ns的一部分

从180毫安150mA的改变工作电流（最大）

改变V

（分钟）从2V到3V

删除32引脚SOP封装

2000年1月19日

初步

（ 2000年1月， 0.2版）

AMIC Technology，Inc.的

A617308系列

初步

特点

+ 5V单电源供电

访问时间： 15年10月12日NS （最大）

当前：工作： 150毫安（最大）

待机：

12毫安（最大）

全静态操作，无时钟或刷新要求

所有输入和输出直接TTL兼容

采用三态输出通用I / O

数据保持电压： 3V （分钟）

可提供32引脚SOJ和TSOP封装

128K ×8位高速CMOS SRAM

概述

将A617308是一个高速，低功耗1048576位

静态随机存取存储器组织为131072

由8位的话，工作在5V单电源

供应量。它采用高性能CMOS工艺建造。

输入和三态输出为TTL兼容，

允许直接连接常见的系统总线

结构。

最低待机功耗是由该设备时绘制

芯片使能是禁用的，独立于其他输入的

的水平。

数据保存期限保证在电源电压

低至3V 。

销刀豆网络gurations

SOJ

TSOP

A16

A14

A12

I / O

GND

VCC

CE2

A13

A11

A10

CE1

I / O

A15

A11

A13

CE2

A15

VCC

A16

A14

A12

A617308V

初步

（ 2000年1月， 0.2版）

AMIC Technology，Inc.的

A10

CE1

I / O

GND

I / O

A617308S

A617308系列

框图

地址

解码器

A16

1,048,576-BIT

存储阵列

I / O

- I / O

I / O控制

CE1

CE2

控制

逻辑

引脚说明 - SOJ

PIN号

2 - 12, 23,

25 - 28, 31

13 - 15,

17 - 21

符号

A0 - A16

描述

地址输入

引脚说明 - TSOP

PIN号

1 - 4, 7,

10 - 20, 31

21 - 23,

25 - 29

符号

A0 - A16

描述

地址输入

I / O

- I / O

CE1

数据输入/输出

芯片使能1

芯片使能2

OUTPUT ENABLE

写使能

电源

地

无连接

I / O

- I / O

CE1

数据输入/输出

芯片使能1

芯片使能2

OUTPUT ENABLE

写使能

电源

地

无连接

CE2

VCC

GND

VCC

GND

初步

（ 2000年1月， 0.2版）

AMIC Technology，Inc.的

A617308系列

建议的直流工作条件

= 0 ° C至+ 70 ° C）

符号

VCC

GND

参数

电源电压

地

输入高电压

输入低（ 1 ）电压

输出负载

分钟。

4.5

2.2

-0.5

典型值。

5.0

马克斯。

5.5

VCC + 0.5

+0.8

单位

绝对最大额定值*

VCC和GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.5V至+ 7V

IN， IN / OUT伏至GND 。。。。。。。。。。 -0.5V到VCC + 0.5V

工作温度，范围Topr 。。。。。。。。。。。 0 ° C至+ 70°C

储存温度， TSTG 。。。。。。。。。。 -55 ° C至+ 125°C

高温下的偏见， Tbias 。。。。。。。。 -10 ° C至+ 85°C

功耗，P

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W

*评论

超出上述"Absolute最大上市

Ratings"可能会导致该设备造成永久性损坏。

这些压力额定值只。这个功能操作

器件在这些或以上的任何其他条件

在业务部门所标明的本规范是

不暗示或预期。暴露在绝对最大

额定值条件下工作会影响器件

可靠性。

DC电气特性

符号

参数

= 0 ° C至+ 70 ° C， VCC = 5V

的10％， GND = 0V）

A617308-10/12/15

分钟。

马克斯。

= GND到Vcc

CE1 = V

， CE2 = V

或OE = V

I / O

= GND到Vcc

CE1 = V

， CE2 = V

, I

I / O

= 0毫安

分钟。周期，占空比= 100 ％

CE1 = V

或CE2 = V

CE1

≥

VCC - 0.2V ， CE2

≤

0.2V

≥

VCC -0.2V或V

≤

0.2V

= 8毫安

= -4毫安

单位

条件

输入漏

输出漏

CC1

(2)

动态工作电流

150

SB1

待机功耗

电源电流

2.4

0.4

输出低电压

输出高电压

注意事项： 1， V

= -3.0V的脉冲小于20纳秒。

2. I

CC1

依赖于输出负载，循环速率和读/写模式。

初步

（ 2000年1月， 0.2版）

AMIC Technology，Inc.的

A617308系列

真值表

模式

CE1

CE2

I / O操作

高Z

OUT

电源电流

, I

SB1

, I

SB1

CC1

待机

输出禁用

读

写

注： X = H或L

电容

= 25 ° C，F = 1.0MHz的）

符号

I / O

参数

输入电容

输入/输出电容

分钟。

马克斯。

单位

条件

= 0V

I / O

= 0V

*这些参数进行采样，而不是100 ％测试。

AC特性

= 0 ° C至+ 70 ° C， VCC = 5V

10%)

符号

参数

A617308-10

分钟。

读周期

ACE

CLZ

OLZ

CHZ

OHZ

读周期时间

地址访问时间

芯片使能存取时间

输出使能到输出有效

芯片使能在低Z输出

输出使能到输出中低Z

芯片禁用输出在高Z

输出禁止到输出中高Z

从地址变更输出保持

马克斯。

A617308-12

分钟。

马克斯。

A617308-15

分钟。

马克斯。

单位

初步

（ 2000年1月， 0.2版）

AMIC Technology，Inc.的

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地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

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联系人：吴

地址：深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611（本公司为一般纳税人，可以开17%增值税）

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联系人：销售部1部

地址：美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜

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