A4983
DMOS细分驱动器与翻译
特点和优点
低R
DS （ ON）
输出
自动电流衰减模式检测/选择
混合与慢电流衰减模式
同步整流，阳离子以实现低功耗
内部UVLO
交叉电流保护
3.3和5 V兼容逻辑电源
极薄型QFN封装
热关断电路
描述
该A4983是完整的微电机驱动器与
内置转换器，易于操作。它被设计为工作
双极步进电机在全，半，四分之一，八分，和
1/16步进模式下，高达输出驱动能力
35 V和± 2 A.该A4983包括一个固定关断时间电流
调节器可在慢或混合操作的能力
衰减模式。
翻译的关键是易于实施的
A4983 。只需在STEP输入驱动器中输入一个脉冲
电动机产生微。有没有相序表，
高频率控制行或复杂的界面。
该A4983界面非常适合应用场合
复杂的微处理器不可用或过载。
在A4983斩波控制可自动选择
电流衰减模式（慢或混合） 。当发生在信号
在STEP输入引脚上， A4983确定这一步骤的结果
在每个电动机相的更高或更低的电流。如果
的变化是更高的电流，则该衰减模式设置
为慢速衰减。如果变化到较低的电流，则
电流衰减设置成混合（初始设置为快速衰减为
一段金额的固定关断时间31.25 ％ ，然后到
续下页...
封装：28引脚QFN封装（后缀ET ）
近似尺寸
典型应用图
V
DD
0.22
μF
VREG
VDD
微控制器或
控制器逻辑
MS1
MS2
MS3
睡觉
步
DIR
RESET
启用
REF
ROSC
VCP CP1
0.1
μF
CP2
0.1
μF
V
BB
VBB
VBB
OUT1A
OUT1B
RS1
A4983
OUT2A
OUT2B
RS2
4983DS
A4983
DMOS细分驱动器与翻译
锁定（UVLO ）及交叉电流保护。特殊的权力─
测序是不需要的。
该A4983是采用5 mm × 5毫米供应× 0.90标称面
安装QFN封装，带有裸焊盘（后缀ET ） 。该
封装无铅（Pb ）免费（后缀-T ） ，采用100％雾锡电镀
引线框架。
描述（续）
慢衰减所述的关断时间的剩余时间） 。此电流衰减
控制方案能减少可听到的电动机噪音，增加
步进精确度并减少功率耗散。
内部同步整流控制电路用来
提高PWM工作期间的功耗。内部电路
保护包括：带滞后欠压过热关机
选购指南
产品型号
A4983SET-T
A4983SETTR-T
无铅
是的
是的
包
28引脚QFN封装，带有裸焊盘
28引脚QFN封装，带有裸焊盘
73件每管
1500件每7英寸卷轴
填料
绝对最大额定值
特征
负载电源电压
输出电流
逻辑输入电压
检测电压
参考电压
工作环境温度
最大结
储存温度
符号
V
BB
I
OUT
V
IN
V
SENSE
V
REF
T
A
T
J
（最大）
T
英镑
范围S
占空比< 20 ％
笔记
等级
35
±2
±2.5
-0.3 7
0.5
4
-20到85
150
-55到150
单位
V
A
A
V
V
V
C
C
C
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
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2
A4983
DMOS细分驱动器与翻译
功能框图
0.22 F
VREG
ROSC
CP1
0.1 F
CP2
VDD
当前
调节器
OSC
收费
泵
VCP
0.1 F
DMOS全桥
REF
DAC
VBB1
OUT1A
OUT1B
PWM锁存器
消隐
混合衰减
门
DRIVE
控制
逻辑
DMOS全桥
步
DIR
RESET
MS1
MS2
MS3
启用
睡觉
DAC
翻译者
SENSE1
VBB2
R
S1
OUT2A
OUT2B
PWM锁存器
消隐
混合衰减
SENSE2
R
S2
V
REF
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3
A4983
DMOS细分驱动器与翻译
电气特性
1
在T
A
= 25 ° C，V
BB
= 35 V（除非另有说明）
特征
输出驱动器
负载电源电压范围
逻辑电源电压范围
输出导通电阻
体二极管正向电压
符号
测试条件
操作
在睡眠模式
操作
源极驱动器，我
OUT
= –1.5 A
下沉式驱动器，我
OUT
= 1.5 A
来源二极管，我
F
= –1.5 A
沉二极管，我
F
= 1.5 A
f
PWM
< 50千赫
操作时，输出禁用
睡眠模式
f
PWM
< 50千赫
输出OFF
睡眠模式
分钟。
8
0
3.0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
DD
×
0.7
V
IN
= V
DD
×
0.7
–
–20
–20
–
–
150
0.7
20
23
0
–3
–
–
–
100
–
–
2.35
0.05
典型值。
2
–
–
–
0.350
0.300
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
<1.0
<1.0
100
100
300
1
30
30
–
0
–
–
–
475
165
15
2.7
0.10
马克斯。
35
35
5.5
0.450
0.370
1.2
1.2
4
2
10
8
5
10
–
V
DD
×
0.3
20
20
–
–
500
1.3
40
37
4
3
±15
±5
±5
800
–
–
3
–
单位
V
V
V
Ω
Ω
V
V
mA
mA
μA
mA
mA
μA
V
V
μA
μA
kΩ
kΩ
mV
μs
μs
μs
V
μA
%
%
%
ns
°C
°C
V
V
V
BB
V
DD
R
DSON
V
F
I
BB
电机电源电流
逻辑电源电流
控制逻辑
逻辑输入电压
逻辑输入电流
微步选择2
微步选择3
输入滞后
空白时间
固定关断时间
参考输入电压范围
参考输入电流
电流跳闸级错误
3
交叉死区时间
保护
热关断温度
热关断迟滞
UVLO阈值启用
UVLO迟滞
I
DD
V
IN(1)
V
IN(0)
I
IN(1)
I
IN(0)
R
MS2
R
MS3
V
HYS （ IN）
t
空白
t
关闭
V
REF
I
REF
ERR
I
V
IN
= V
DD
×
0.3
OSC > 3 V
R
OSC
= 25 kΩ
V
REF
= 2 V,
%I
TripMAX
=
38.27%
V
REF
= 2 V,
%I
TripMAX
= 70.71%
V
REF
= 2 V,
%I
TripMAX
= 100.00%
t
DT
T
J
T
JHYS
UV
LO
UV
HYS
V
DD
升起
1
负电流定义为自出（从采购）指定的器件引脚。
2
典型的数据是初步设计估算而已，并承担优化生产和应用条件。性能可能会有所不同
3
ERR
个别单位内的特定网络版最高和最低限额。
I
= (I
旅
– I
PROG
)
I
PROG
，在那里我
PROG
= %I
TripMAX
I
TripMAX
.
×
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115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
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4
A4983
DMOS细分驱动器与翻译
热特性可能需要降额在最大条件
特征
封装热阻
符号
R
θJA
测试条件*
包装ET ; 4层PCB ，基于JEDEC标准
值单位
32
摄氏度/ W
*在静止的空气中。可在快板网站更多的热量信息。
最大功耗，P
D
（最大）
5.5
5.0
4.5
4.0
功耗，P
D
(W)
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
(R
θ
J
A
=
32
C
/W
)
20
40
60
80
100
120
温度（℃）
140
160
180
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