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A45L9332A系列
初步
文档标题
256K X 32位×2组同步图形RAM
修订历史
版本号
0.0
0.1
256K ×32位×2组同步图形RAM
历史
创刊号
更新的AC和DC数据规范
发行日期
2001年8月21日
2001年10月22日
备注
初步
初步
（ 2001年10月， 0.1版）
AMIC Technology，Inc.的
A45L9332A系列
初步
特点
n
n
n
n
JEDEC标准的3.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
双银行/脉冲RAS
MRS周期与解决关键程序
- CAS延迟（ 2,3 ）
- 突发长度（ 1,2,4,8 &整版）
-
突发类型（顺序&交错）
所有的输入进行采样的正边沿
系统时钟
突发读取单位写操作
DQM 0-3字节屏蔽
自动&自我刷新
32ms的刷新周期（ 2K周期）
n
100引脚QFP ， LQFP （ 14 ×20 MM）
256K ×32位×2组同步图形RAM
图形功能
n
SMRS周期
- 负载屏蔽寄存器
- 负载套色
n
写每比特（老蒙）
n
块写（ 8列）
n
n
n
n
n
概述
该A45L9332A是16777216位同步高速数据
率动态RAM组织为2× 262,144字32
位，制造与AMIC的高性能CMOS
技术。同步设计允许精确周期
控制与利用系统时钟。 I / O交易
可能在每一个时钟周期。经营范围
频率，可编程延迟允许相同
装置可用于各种高带宽，高有用
高性能内存系统的应用程序。
写每比特和8列块写入提高
表现在图形系统。
初步
（ 2001年10月， 0.1版）
1
AMIC Technology，Inc.的
A45L9332A系列
引脚配置
VSSQ
DQ
31
DQ
30
VSSQ
82
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
83
DQ
3
VDDQ
DQ
4
DQ
5
VSSQ
DQ
6
DQ
7
VDDQ
DQ
16
DQ
17
VSSQ
DQ
18
DQ
19
VDDQ
VDD
VSS
DQ
20
DQ
21
VSSQ
DQ
22
DQ
23
VDDQ
DQM
0
DQM
2
WE
CAS
RAS
CS
BA(A10)
A8
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
DQ
29
VDD
VSS
DQ
2
DQ
1
DQ
0
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DQ
28
VDDQ
DQ
27
DQ
26
VSSQ
DQ
25
DQ
24
VDDQ
DQ
15
DQ
14
VSSQ
DQ
13
DQ
12
VDDQ
VSS
VDD
DQ
11
DQ
10
VSSQ
DQ
9
DQ
8
VDDQ
NC
DQM
3
DQM
1
CLK
CKE
DSF
NC
A9
A45L9332AE
A45L9332AF
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
A0
A1
VSS
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A2
A4
A5
A6
VDD
A3
A7
初步
（ 2001年10月， 0.1版）
2
AMIC Technology，Inc.的
A45L9332A系列
框图
DQMi
块
写
控制
逻辑
CLK
面膜
注册
写
控制
逻辑
面膜
时钟
注册
MUX
输入缓冲器
CKE
COLUMN
面膜
DQMi
TIMMING注册
DQI
(i=0~31)
CS
RAS
检测放大器
潜伏期&
突发长度
程序设计
注册
CAS
256K ×32
CELL
ARRAY
256K ×32
CELL
ARRAY
WE
DSF
排Decorder
银行的选择
DQMi
串行
计数器
列地址
卜FF器
ROW
地址
卜FF器
刷新
计数器
地址寄存器
时钟
地址（ A0 A10 ）
初步
（ 2001年10月， 0.1版）
3
AMIC Technology，Inc.的
输入缓冲器
COLUMN
decorder
A45L9332A系列
引脚说明
符号
CLK
CS
名字
系统时钟
芯片选择
描述
活跃在正边沿采样所有输入。
禁用或启用的设备操作，除了用屏蔽或使所有输入
CLK ， CKE和DQMi
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE
时钟使能
CKE应该启用至少一个时钟+吨SS之前，新的命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
行/列地址被复用在相同的针。
A0~A9
地址
行地址： RA0 RA9 ，列地址： CA0 CA7
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
A10(BA)
银行选择地址
在列地址锁存器的时间选择波段进行读/写。
RAS
行地址选通
锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。
让行存取&预充电。
闩锁与中科院低CLK的正边沿列地址。
启用列的访问。
WE
DQMi
DQI
DSF
VDD / VSS
VDDQ / VS
SQ
NC
写使能
允许写操作和行预充电。
使得数据输出高阻，时钟和面具后输出吨SHZ 。
数据输入/输出面膜
块中的数据输入时， DQM活跃。 （字节屏蔽）
数据输入/输出
定义特殊功能
电源/接地
数据输出
电源/接地
无连接
数据输入/输出复用在相同的针。
使每比特，块写入和特殊模式寄存器组写。
电源： + 3.3V ± 0.3V /地面
提供隔离的电源/地来的DQ ，以提高抗噪声能力。
CAS
列地址选通
初步
（ 2001年10月， 0.1版）
4
AMIC Technology，Inc.的
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