A43L8316
初步
特点
n
n
n
n
JEDEC标准的3.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
双银行/脉冲
RAS
MRS周期与解决关键程序
- CAS延迟（ 2,3 ）
- 突发长度（ 1,2,4,8 &整版）
-
突发类型（顺序&交错）
n
所有的输入进行采样的正边沿
系统时钟
n
n
n
n
n
突发读取单位写操作
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
16ms的刷新周期（ 1K循环）
50引脚的TSOP （II）的
128K ×16位×2组同步DRAM
概述
该A43L8316为4,194,304比特同步高速数据
率动态RAM组织为2× 131,072字16
位，制造与AMIC的高性能CMOS
技术。同步设计允许精确周期
控制与利用系统时钟。 I / O交易
可能在每一个时钟周期。经营范围
频率，可编程延迟允许相同
装置可用于各种高带宽，高有用
高性能内存系统的应用程序。
引脚配置
n
TSOP （II）的
NC / RFU
VDDQ
VSSQ
DQ
13
DQ
12
DQ
11
DQ
10
UDQM
VDDQ
VSSQ
DQ
15
DQ
14
CKE
VSS
50 49 48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26
A43L8316V
1
VDD
2
DQ
0
3
DQ
1
4
VSSQ
5
DQ
2
6
DQ
3
7
VDDQ
8
DQ
4
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25
DQ
7
A8
A0
A1
A2
DQ
5
DQ
6
CAS
RAS
CS
BA
A3
VDDQ
LDQM
VSSQ
VDD
WE
前期（ 2000年4月， 1.0版）
1
AMIC Technology，Inc.的
VSS
CLK
DQ
9
DQ
8
NC
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A43L8316
引脚说明
符号
CLK
CS
名字
系统时钟
芯片选择
描述
活跃在正边沿采样所有输入。
禁用或启用的设备操作，除了用屏蔽或使所有输入
CLK ， CKE和L （ U） DQM
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE
时钟使能
CKE应该启用至少一个时钟+之前的tss到新的命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
行/列地址被复用在相同的针。
A0~A8/AP
地址
行地址： RA0 RA8 ，列地址： CA0 CA7
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
BA
银行选择地址
在列地址锁存器的时间选择波段进行读/写。
RAS
行地址选通
锁存行地址，在CLK的与正向边沿
RAS
低。
让行存取&预充电。
CAS
列地址
频闪
写使能
数据输入/输出
面膜
数据输入/输出
动力
电源/接地
数据输出
电源/接地
无连接
闩锁与中科院低CLK的正边沿列地址。
启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
使得数据输出高阻，时钟和面具后输出吨SHZ 。
块中的数据输入时， L（ U） DQM活跃。
数据输入/输出复用在相同的针。
电源： + 3.3V ± 0.3V /地面
提供隔离的电源/地来的DQ ，以提高抗噪声能力。
WE
L（ U） DQM
DQ
0-15
VDD / VSS
VDDQ / VSSQ
NC / RFU
前期（ 2000年4月， 1.0版）
3
AMIC Technology，Inc.的
A43L8316
绝对最大额定值*
电压的任何引脚相对于VSS （ VIN，VOUT ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -1.0V至+ 4.6V
在相对于VSS VDD电源电压（VDD和VDDQ ）
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 1.0V至+ 4.6V
存储温度（T
英镑
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 150°C
焊接温度×时间（T
SLODER
) . . . . . . . . . . . . . .
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃ X 10秒
功耗（P
D
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1W
短路电流（ IOS） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
*评论
如果“绝对永久性设备损坏，可能会出现
最大额定值“被超过。
功能操作应仅限于推荐
的操作条件。
暴露于高于推荐电压
长时间可能会影响器件的可靠性。
DC电气特性
推荐工作条件（参考VSS = 0V电压）
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
输出负载条件
符号
VDD ， VDDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IL
I
OL
民
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-5
-5
典型值
3.3
3.0
0
-
-
-
-
见图1
最大
3.6
VDD+0.3
0.8
-
0.4
5
5
单位
V
V
V
V
V
A
A
注1
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
注2
注3
记
注意：
1. V
IL
（分钟） = -1.5V AC（脉冲宽度
≤
5ns).
2.任何输入0V
≤
VIN
≤
VDD + 0.3V ，所有其他引脚都没有被测= 0V
3. Dout为禁用， 0V
≤
VOUT
≤
VDD
去耦电容线路指南
推荐的去耦电容加到电源线板。
参数
VDD和VSS之间的去耦电容
VDDQ和VSSQ之间的去耦电容
符号
C
DC1
C
DC2
价值
0.1 + 0.01
0.1 + 0.01
单位
F
F
注意：
1. VDD和VDDQ的引脚彼此分开。
所有VDD引脚连接芯片。 VDDQ的所有引脚都连接在芯片上。
2. VSS和VSSQ销彼此分开
所有VSS引脚连接芯片。所有VSSQ引脚连接在芯片上。
前期（ 2000年4月， 1.0版）
4
AMIC Technology，Inc.的
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