A43L3616
2M ×16位×4银行同步DRAM
特点
n
n
n
n
JEDEC标准的3.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
四家银行/脉冲RAS
MRS周期与解决关键程序
- CAS延迟（ 2,3 ）
- 突发长度（ 1,2,4,8 &整版）
-
突发类型（顺序&交错）
n
所有的输入进行采样的正边沿
系统时钟
n
时钟频率： 166MHz的@ CL = 3
143MHz下@ CL = 3
n
突发读取单位写操作
n
DQM用于屏蔽
n
自动&自我刷新
n
64ms的刷新周期（ 4K周期）
n
54引脚TSOP （ II ）
n
低自刷新电流版本-V级
概述
该A43L3616是134217728位同步高速数据
率动态RAM组织为4× 2,097,152字经
16位，制造与AMIC的高性能CMOS
技术。同步设计允许精确周期
控制与利用系统时钟。 I / O交易
可能在每一个时钟周期。经营范围
频率，可编程延迟允许相同
装置可用于各种高带宽，高有用
高性能内存系统的应用程序。
引脚配置
n
TSOP （II）的
VDDQ
VSSQ
DQ
14
DQ
13
DQ
11
UDQM
VDDQ
VSSQ
DQ
15
DQ
12
DQ
10
CKE
VSS
VSS
DQ
8
54 53 52 51 50 49 48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28
A43L3616V
1
VDD
2
DQ
0
3
VDDQ
4
DQ
1
5
DQ
2
6
VSSQ
7
DQ
3
8
DQ
4
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27
VSSQ
WE
A3
A10/AP
VDDQ
VDD
LDQM
VDD
BS0
BS1
CS
A0
A1
CAS
RAS
DQ
5
DQ
6
DQ
7
A2
（ 2002年2月， 3.0版）
1
AMIC Technology，Inc.的
VSS
DQ
9
NC
CK
A11
NC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A43L3616
引脚说明
符号
CLK
CS
名字
系统时钟
芯片选择
描述
活跃在正边沿采样所有输入。
禁用或启用的设备操作，除了用屏蔽或使所有输入
CLK ， CKE和L （ U） DQM
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE
时钟使能
CKE应该启用至少一个时钟+之前的tss到新的命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
行/列地址被复用在相同的针。
A0~A11
地址
行地址： RA0 RA11 ，列地址： CA0 CA8
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
BS0 ， BS1
银行选择地址
在列地址锁存器的时间选择波段进行读/写。
行地址选通
锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。
让行存取&预充电。
列地址
频闪
写使能
数据输入/输出
面膜
数据输入/输出
动力
电源/接地
数据输出
电源/接地
无连接
闩锁与中科院低CLK的正边沿列地址。
启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
使得数据输出高阻，时钟和面具后输出吨SHZ 。
块中的数据输入时， L（ U） DQM活跃。
数据输入/输出复用在相同的针。
电源： + 3.3V ± 0.3V /地面
提供隔离的电源/地来的DQ ，以提高抗噪声能力。
RAS
CAS
WE
L（ U） DQM
DQ
0-15
VDD / VSS
VDDQ / VSSQ
NC / RFU
（ 2002年2月， 3.0版）
3
AMIC Technology，Inc.的
A43L3616
绝对最大额定值*
电压的任何引脚相对于VSS （ VIN，VOUT ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -1.0V至+ 4.6V
在相对于VSS VDD电源电压（VDD和VDDQ ）
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 1.0V至+ 4.6V
存储温度（T
英镑
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 150°C
焊接温度×时间（T
SLODER
) . . . . . . . . . . . . . .
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃ X 10秒
功耗（P
D
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1W
短路电流（ IOS） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
*评论
如果“绝对永久性设备损坏，可能会出现
最大额定值“被超过。
功能操作应仅限于推荐
的操作条件。
暴露于高于推荐电压
长时间可能会影响器件的可靠性。
电容（T
A
= 25 ° C，F = 1MHz的）
°
参数
输入电容
符号
CI1
CI2
数据输入/输出电容
CI / O
条件
A0到A11 ， BS0 ， BS1
CLK ， CKE ，
DQM
民
2.5
2.5
4
典型值
最大
3.8
3.8
6.5
单位
pF
pF
pF
CS
,
RAS
,
CAS
,
WE
,
DQ0到DQ15
DC电气特性
推荐工作条件（电压参考VSS = 0V ，T
A
= 0° C至+ 70 C）
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
输出负载条件
符号
VDD ， VDDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IL
I
OL
民
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-5
-5
典型值
3.3
3.0
0
-
-
-
-
见图1
最大
3.6
VDD+0.3
0.8
-
0.4
5
5
单位
V
V
V
V
V
A
A
注1
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
注2
注3
记
注意：
1. V
IL
（分钟） = -1.5V AC（脉冲宽度
≤
5ns).
2.任何输入0V
≤
VIN
≤
VDD + 0.3V ，所有其他引脚都没有被测= 0V
3. Dout为禁用， 0V
≤
VOUT
≤
VDD
（ 2002年2月， 3.0版）
4
AMIC Technology，Inc.的
A43L3616
去耦电容线路指南
推荐的去耦电容加到电源线板。
参数
VDD和VSS之间的去耦电容
VDDQ和VSSQ之间的去耦电容
符号
C
DC1
C
DC2
价值
0.1 + 0.01
0.1 + 0.01
单位
F
F
注意：
1. VDD和VDDQ的引脚彼此分开。
所有VDD引脚连接芯片。 VDDQ的所有引脚都连接在芯片上。
2. VSS和VSSQ销彼此分开
所有VSS引脚连接芯片。所有VSSQ引脚连接在芯片上。
DC电气特性
（推荐的工作条件，除非另有说明，T
A
= 0 70℃ ）
符号
参数
工作电流
（一银行活动）
预充电待机电流
在掉电模式
测试条件
突发长度= 1
t
RC
≥
t
RC
（分钟） ，T
CC
≥
t
CC
（分
)
, I
OL
= 0毫安
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 15ns的
CKL
≤
VIL（MAX ） ，T
CC
=
∞
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
= 15ns的
输入信号时为30ns一次改变
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的。
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
= 15ns的
输入信号时为30ns一次改变
I
OL
= 0毫安，页突发
所有银行激活，T
CCD
= t
CCD
（分钟）
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
CKE
≤
0.2V
0.8
注意：
1.测量与产出开放。地址吨过程中改变只有一次
CC
（最小值） 。
2.刷新周期是64毫秒。地址吨过程中改变只有一次
CC
（最小值） 。
3. I
CC6
正常版： A43L3616V - 6 ， A43L3616V - 7
4. I
CC6
低自刷新当前版本： A43L3616V - 6V ， A43L3616V - 7V
速度
-6
I
cc1
I
cc2
P
I
cc2
PS
I
CC2
N
130
单位
笔记
-7
mA
1
2
1
20
mA
预充电待机电流
在非掉电模式
mA
15
I
CC2
NS
在活动待机电流
非掉电模式
（一银行活动）
工作电流
（突发模式）
刷新当前
I
CC3
N
30
mA
I
CC4
I
CC5
160
mA
mA
1
2
3
160
2
I
CC6
自刷新电流
mA
4
（ 2002年2月， 3.0版）
5
AMIC Technology，Inc.的
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