A43L2616A
初步
特征
JEDEC标准的3.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
四家银行/脉冲
RAS
MRS周期与解决关键程序
- CAS延迟（ 2,3 ）
- 突发长度（ 1,2,4,8 &整版）
-
突发类型（顺序&交错）
所有的输入进行采样的正边沿
系统时钟
时钟频率： 166MHz的@ CL = 3
143MHz下@ CL = 3
1M ×16位×4银行同步DRAM
突发读取单位写操作
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
64ms的刷新周期（ 4K周期）
商业温度操作： 0
°C~70°C
工业温度操作： -40
°
C~85
°
下-U
GRADE
54引脚TSOP （ II）和54球CSP （采用8mm x 8毫米）
概述
该A43L2616A为67,108,864位同步高速数据
率动态RAM组织为4× 1,048,576字经
16位，制造与AMIC的高性能CMOS
技术。同步设计允许精确周期
控制与利用系统时钟。
I / O事务处理可在每个时钟周期。范围
的工作频率，可编程延迟允许
相同的设备，以对各种高有用
带宽，
高
性能
内存
系统
应用程序。
引脚配置
TSOP （II）的
VDDQ
VSSQ
DQ
14
DQ
13
DQ
11
UDQM
VDDQ
VSSQ
DQ
15
DQ
12
DQ
10
CKE
VSS
VSS
DQ
8
54 53 52 51 50 49 48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28
A43L2616AV
1
VDD
2
DQ
0
3
VDDQ
4
DQ
1
5
DQ
2
6
VSSQ
7
DQ
3
8
DQ
4
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27
VSSQ
A10/AP
VDD
LDQM
VDDQ
VDD
WE
CAS
RAS
CS
BS0
BS1
A0
A1
DQ
5
DQ
6
DQ
7
A2
A3
初步
（ 2004年11月，版本0.0 ）
1
AMIC技术股份有限公司
VSS
DQ
9
NC
CK
A11
NC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A43L2616A
引脚说明
符号
名字
描述
CLK
CS
系统时钟
芯片选择
活跃在正边沿采样所有输入。
禁用或启用的设备操作，除了用屏蔽或使所有输入
CLK ， CKE和L （ U） DQM
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE
时钟使能
CKE应该启用至少一个时钟+之前的tss到新的命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
行/列地址被复用在相同的针。
A0~A11
地址
行地址： RA0 RA11 ，列地址： CA0 CA7
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
BS0 ， BS1
银行选择地址
在列地址锁存器的时间选择波段进行读/写。
行地址选通
锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。
让行存取&预充电。
列地址
频闪
写使能
数据输入/输出
面膜
数据输入/输出
动力
电源/接地
数据输出
电源/接地
无连接
RAS
锁存的列地址，在CLK的与正向边沿
CAS
低。
启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
使得数据输出高阻，时钟和面具后输出吨SHZ 。
块中的数据输入时， L（ U） DQM活跃。
数据输入/输出复用在相同的针。
电源： + 3.3V
±
0.3V/Ground
提供隔离的电源/地来的DQ ，以提高抗噪声能力。
CAS
WE
L（ U） DQM
DQ
0-15
VDD / VSS
VDDQ / VSSQ
NC / RFU
初步
（ 2004年11月，版本0.0 ）
3
AMIC技术股份有限公司
A43L2616A
绝对最大额定值*
电压的任何引脚相对于VSS （ VIN，VOUT ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -1.0V至+ 4.6V
在相对于VSS VDD电源电压（VDD和VDDQ ）
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 1.0V至+ 4.6V
存储温度（T
英镑
) . . . . . . . . . . -55
°
C至+150
°
C
焊接温度×时间（T
SLODER
) . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260
°
X 10秒
功耗（P
D
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1W
短路电流（ IOS） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
*评论
如果“绝对永久性设备损坏，可能会出现
最大额定值“被超过。
功能操作应仅限于推荐
的操作条件。
暴露于超过推荐的电压更高的扩展
的时间段可能会影响器件的可靠性。
电容（T
A
= 25 ° C，F = 1MHz的）
参数
符号
条件
民
典型值
最大
单位
输入电容
CI1
CI2
A0到A11 ， BS0 ， BS1
CLK ， CKE ，
CS
,
RAS
,
CAS
,
WE
,
DQM
DQ0到DQ15
2.5
2.5
4
3.8
3.8
6.5
pF
pF
pF
数据输入/输出电容
CI / O
DC电气特性
推荐工作条件（电压参考VSS = 0V ，T
A
= 0°C至+ 70°C或T
A
= -40 ° C至+ 85°C ）
参数
符号
民
典型值
最大
单位
记
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
输出负载条件
VDD ， VDDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IL
I
OL
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-5
-5
3.3
3.0
0
-
-
-
-
3.6
VDD+0.3
0.8
-
0.4
5
5
V
V
V
V
V
A
A
注1
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
注2
注3
见图1
注意：
1. V
IL
（分钟） = -1.5V AC（脉冲宽度
≤
5ns).
2.任何输入0V
≤
VIN
≤
VDD + 0.3V ，所有其他引脚都没有被测= 0V
3. Dout为禁用， 0V
≤
VOUT
≤
VDD
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（ 2004年11月，版本0.0 ）
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