A43E06321
初步
特点
低电源
- VDD ： 1.8V VDDQ ： 1.8V
LVCMOS与复用地址兼容
两家银行/脉冲
RAS
MRS周期与解决关键程序
- CAS延迟（ 2 & 3 ）
- 突发长度（ 1,2,4,8 &整版）
-
突发类型（顺序&交错）
所有的输入进行采样的正边沿
系统时钟
深度掉电模式
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
时钟频率（最大） ： 105MHz @ CL = 3 （ -95 ）
为133MHz @ CL = 3 （ -75 ）
512K ×32位×2组低功耗同步DRAM
64ms的刷新周期（ 4K周期）
自刷新通过可编程的刷新周期
EMRS周期
偏可编程电源缩小功能
在通过EMRS自刷新阵列激活
周期
自动TCSR
工业工作温度范围： -40 ° C至+ 85°C
为-U系列。
可在90球CSP （8毫米X 13毫米）
包可用于无铅（ -F系列）
概述
该A43E06321是33554432位低功耗
同步高数据速率动态随机存储器组织成2
X 524,288字32位，制造与AMIC高
高性能CMOS技术。同步设计
允许与使用系统时钟的精确循环控制。
I / O事务处理可在每个时钟周期。范围
的工作频率，可编程延迟允许
相同的设备，以对各种高有用
带宽，
高
性能
内存
系统
应用程序。
引脚配置
90球CSP （8毫米× 13 mm）的
顶视图
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
1
DQ
26
DQ
28
VSSQ
VSSQ
VDDQ
VSS
A4
A7
CLK
DQM
1
VDDQ
VSSQ
VSSQ
DQ
11
DQ
13
90球（ 8X13 ） CSP
2
3
7
DQ
24
VSS
VDD
VDDQ
VSSQ
VDDQ
DQ
27
DQ
25
DQ
22
DQ
29
DQ
30
DQ
17
DQ
31
NC
NC
A2
DQM
3
A3
A5
A6
A10
A8
NC
NC
CKE
A9
BA
NC
DQ
8
DQ
10
DQ
12
VDDQ
DQ
15
NC
VSS
DQ
9
DQ
14
VSSQ
VSS
CAS
8
DQ
23
VSSQ
DQ
20
DQ
18
DQ
16
DQM
2
A0
NC
CS
9
DQ
21
DQ
19
VDDQ
VDDQ
VSSQ
VDD
A1
NC
RAS
WE
DQM
0
VSSQ
VDDQ
VDDQ
DQ
4
DQ
2
VDD
DQ
6
DQ
1
VDDQ
VDD
DQ
7
DQ
5
DQ
3
VSSQ
DQ
0
初步
（ 2005年7月，版本0.0 ）
1
AMIC技术股份有限公司
A43E06321
引脚说明
符号
名字
描述
CLK
CS
系统时钟
芯片选择
活跃在正边沿采样所有输入。
禁用或启用的设备操作，除了用屏蔽或使所有输入
CLK ， CKE和DQM
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE
时钟使能
CKE应该启用至少一个时钟+之前的tss到新的命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
行/列地址被复用在相同的针。
A0~A10
地址
行地址： RA0 RA10 ，列地址： CA0 CA7
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
BA
银行选择地址
在列地址锁存器的时间选择波段进行读/写。
行地址选通
锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。
让行存取&预充电。
列地址
频闪
写使能
数据输入/输出
面膜
数据输入/输出
动力
电源/接地
数据输出
电源/接地
无连接
RAS
锁存的列地址，在CLK的与正向边沿
CAS
低。
启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
使得数据输出高阻，时钟和面具后输出吨SHZ 。
块中的数据输入时， DQM活跃。
数据输入/输出复用在相同的针。
电源： + 1.7V 1.95V /地面
提供隔离的电源/地来的DQ ，以提高抗噪声能力。
CAS
WE
DQMi
DQ
0-31
VDD / VSS
VDDQ / VSSQ
NC / RFU
初步
（ 2005年7月，版本0.0 ）
3
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A43E06321
绝对最大额定值*
电压的任何引脚相对于VSS （ VIN，VOUT ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -1.0V至+ 2.6V
在相对于VSS VDD电源电压（VDD和VDDQ ）
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 1.0V至+ 2.6V
存储温度（T
英镑
) . . . . . . . . . . -55
°
C至+150
°
C
焊接温度×时间（T
SLODER
) . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260
°
X 10秒
功耗（P
D
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.8W
短路电流（ IOS） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
*评论
如果“绝对永久性设备损坏，可能会出现
最大额定值“被超过。
功能操作应仅限于推荐
的操作条件。
暴露于高于推荐电压
长时间可能会影响器件的可靠性。
电容（T
A
= 25 ° C，F = 1MHz的）
参数
符号
条件
民
最大
单位
输入电容
CI1
CI2
A0到A10 ， BA
CLK ， CKE ，
CS
,
RAS
,
CAS
,
WE
， DQM
DQ
0
到DQ
31
2.0
2.0
3.5
4.0
4.0
6.0
pF
pF
pF
数据输入/输出电容
CI / O
DC电气特性
推荐工作条件
（电压参考VSS = 0V ，T
A
= 0°C至+ 70°C商业或T
A
= -40°C至+ 85°C扩展）
参数
符号
民
典型值
最大
单位
记
电源电压
DQ电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
输出负载条件
VDD
VDDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IL
I
OL
1.7
1.7
0.8*VDDQ
-0.3
VDDQ - 0.2
-
-1
-1.5
1.8
1.8
-
-
-
-
-
-
1.95
1.95
VDDQ+0.3
0.3
-
0.2
1
1.5
V
V
V
V
V
V
A
A
注1
I
OH
= -0.1mA
I
OL
= 0.1毫安
注2
注3
参见图。 1 （第6页）
注意：
1. V
IL
（分钟） = -1.5V AC（脉冲宽度
≤
5ns).
2.任何输入0V
≤
VIN
≤
VDD + 0.3V ，所有其他引脚都没有被测= 0V
3. Dout为禁用， 0V
≤
VOUT
≤
VDD
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（ 2005年7月，版本0.0 ）
4
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