A42L0616系列
初步
特点
n
组织： 1,048,576字×16位
n
部分鉴定
- A42L0616 （ 1K参考）
n
3.3V单电源/内置VBB发生器
n
低功耗
- 操作： 110毫安（ -45最大）
-
待机： 1.5毫安（ TTL ） ， 1.0毫安（ CMOS ）
1.0毫安（自刷新电流）
n
高速
- 45/50 ns的RAS访问时间
- 20/22 ns的列地址访问时间
-
12/13 NS CAS访问时间
-
18/20 ns的EDO页模式周期时间
n
工业工作温度范围： -40 ° C至85°C
为-U
n
与扩充数据输出速度快页模式
n
另
CAS
(
UCAS
,
LCAS
）选择字节
n
1K刷新周期在16毫秒
n
读 - 修改 - 写， RAS - 只， CAS -before- RAS ，
隐藏刷新功能
n
TTL兼容，三态I / O
n
JEDEC标准封装
-
400mil ， 42引脚SOJ
-
400mil ， 50/44 TSOP II型封装
1M ×16的CMOS动态的， EDO页模式内存
概述
该A42L0616是新一代的随机访问
内存显卡，举办了1,048,576字
16位配置。该产品可以执行字节写
和字节读通过两个操作
CAS
销。
该A42L0616提供了一个加速快页模式
这允许最多1024字内的随机存取
排在56/50兆赫的EDO周期，使得A42L0616
非常适合于图形，数字信号处理和
高性能计算系统。
引脚说明
符号
描述
地址输入
数据输入/输出
行地址选通
列地址选通的低字节
（ I / O
0
- I / O
7
)
列地址选通的最高字节
（ I / O
8
- I / O
15
)
WE
OE
VCC
VSS
NC
写使能
OUTPUT ENABLE
3.3V电源
地
无连接
引脚配置
n
SOJ
VCC
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
VCC
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
VSS
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
VSS
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
n
TSOP
VCC
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
VCC
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
NC
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
VSS
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
VSS
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
A0 – A9
I / O
0
- I / O
15
RAS
LCAS
UCAS
循环使用的功能，称为扩展数据输出（ EDO ） 。
初步
A42L0616S
A42L0616V
（ 2002年6月， 0.2版）
1
AMIC Technology，Inc.的
A42L0616系列
选购指南
符号
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
t
RC
t
PC
描述
最大的RAS访问时间
最大列地址访问时间
最大CAS访问时间
最大输出使能（ OE ）访问时间
最小的读或写周期时间
EDO最小周期时间
-45
45
20
12
12
76
18
-50
50
22
13
13
84
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
功能说明
该A42L0616读取和由复用的数据写入
20位的地址转换成一个10位的行和第10位的列地址。
RAS
和
CAS
用于选通的行地址和
列地址，分别。
该A42L0616有两个
CAS
输入：
LCAS
控制I / O
0
-
I / O
7
和
UCAS
控制I / O
8
- I / O
15
,
UCAS
和
LCAS
以相同的方式发挥功能
CAS
在这两种意志
产生内部
CAS
信号。该
CAS
功能和
定时由第一确定
CAS
(
UCAS
or
LCAS
）转型和以最后变为高电平。
字节读取和写入字节，通过使用控制
LCAS
和
UCAS
分开。
一个读周期是通过保持WE信号进行高
在RAS /
CAS
操作。写周期被执行
RAS期间举办的WE信号为低电平/
CAS
操作;
输入数据由WE的下降沿锁存或
CAS
，以后到为准。的数据输入和输出
通过16个通用I / O引脚路由，与RAS ，
CAS
,
WE和OE控制方向。
EDO页面模式操作中的所有1024 （ 1K ）列
选择的行以高数据速率进行随机访问。
一个EDO页面模式的周期开始于一个行地址
通过RAS锁存然后通过锁存列地址
CAS
。按住RAS低，
CAS
可以切换到
频闪改变列地址，从而实现了更短
周期时间。
该A42L0616提供了一个加速快页模式
循环功能称为扩展数据输出，这
在上保持了输出驱动器
CAS
预充电
时间（t
cp
） 。由于数据可输出后
CAS
变为高电平时，
用户不需要等待有效数据出现
之前，开始下一个循环的访问。数据输出将保持
有效，只要RAS和OE为低电平和WE为高电平;
这是它区别于扩展的唯一特征
从一个标准的读或快速页面数据输出操作
读取。
存储器周期是由双方回归RAS和终止
CAS
高。存储单元数据将保留其正确的状态通过
保持电源和访问所有的1024 （ 1K ）
10位的行地址的组合，而不管
序列，通过任何的RAS每16毫秒至少进行一次
周期（读，写）或RAS刷新周期（ RAS - 只，
CBR或隐藏） 。在CBR刷新周期自动
通过调用刷新计数器控制该行地址
和控制器。
POWER- ON
VCC电源的初始应用程序需要200微秒
等待随后的最小任何8初始化周期
包含RAS时钟。在上电时， VCC
电流依赖于RAS的输入电平，并
CAS
.
所以建议RAS和
CAS
跟踪与VCC或
要在有效的V举行
IH
在上电，以避免电流
浪涌。
初步
（ 2002年6月， 0.2版）
2
AMIC Technology，Inc.的
A42L0616系列
框图
RAS
UCAS
LCAS
WE
VCC
控制
钟
VBB发生器
VSS
刷新计时器
行解码器
低
DATA IN
卜FF器
I / O
0
to
I / O
7
刷新计数器
存储阵列
1,048,576 x 16
细胞
读出放大器& I / O
刷新控制
低
数据输出
卜FF器
OE
上
DATA IN
卜FF器
A0~A9
行地址缓冲器
上
数据输出
卜FF器
I / O
8
to
I / O
15
A0~A9
上校地址缓冲器
列解码器
推荐工作条件
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
描述
电源
输入高电压
输入高电压
输入低电压
（大= 0 ° C至+ 70°C和-40 ° C至+ 85°C ）
分钟。
3.0
0.0
2.0
-0.5
典型值。
3.3
0.0
-
-
马克斯。
3.6
0.0
VCC + 0.3
0.8
单位
V
V
V
V
笔记
1
1
1
1
初步
（ 2002年6月， 0.2版）
3
AMIC Technology，Inc.的
QQ：2881677436 复制
