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A42
SOT-89-3L
晶体管（ NPN ）
特点
低集电极 - 发射极饱和电压
高的击穿电压
1.基地
2.收集
3.辐射源
最大额定值（T
a
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
结温
储存温度
价值
310
305
5
500
500
250
150
-55~+150
单位
V
V
V
mA
mW
℃/W
℃
℃
电气特性（T
a
= 25 ℃除非另有规定）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
h
FE(3)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
TEST
条件
民
310
305
5
0.25
0.25
5
0.1
60
80
75
0.2
0.9
50
V
V
兆赫
250
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
A
A
I
C
=100A,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=100A,I
C
=0
V
CB
=200V,I
E
=0
V
CE
=200V,I
B
=0
V
CE
=300V,I
B
=0
V
EB
=5V,I
C
=0
V
CE
= 10V ，我
C
=1mA
V
CE
= 10V ，我
C
=10mA
V
CE
= 10V ，我
C
=30mA
I
C
=20mA,I
B
=2mA
I
C
=20mA,I
B
=2mA
V
CE
=20V,I
C
= 10毫安， F = 30MHz的
发射极截止电流
分类
h
FE
（
2
）
秩
范围
记号
A
80–100
B1
100–150
A42
B2
150–200
C
200–250
１　
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
江苏长电科技股份有限公司
TO- 92塑封装晶体管
A42
晶体管（ NPN
）
TO—92
特点
功耗
P
CM
: 0.625
W（Tamb=25℃）
集电极电流
I
CM
: 0.5
A
集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
: 300
V
工作和存储结温范围
T
J
，T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V（ BR ）
CBO
V（ BR ）
首席执行官
V（ BR ）
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
（
1
）
直流电流增益
h
FE
（
2
）
H
FE
（
3
）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
1.EMITTER
2.BASE
3.COLLECTOR
1 2 3
除非
TEST
否则
民
特定网络版）
典型值
最大
单位
V
V
V
0.25
0.1
条件
IC = 100
μ
A，I
E
=0
IC 。
I
E
=
1毫安，我
B
=0
100
μ
A，I
C
=0
I
E
=0
V I
C
=0
，
300
300
5
V
CB
= 200 V
V
EB
=
5
μ
A
μ
A
V
CE
= 10 V，I
C
= 1毫安
V
CE
= 10V ， IC = 10毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 30毫安
I
C
= 20 mA时，我
B
= 2毫安
I
C
= 20米A，
V
CE
=20 V,
f =
30MHz
I
B
= 2毫安
I = 10毫安
C
60
80
75
0.2
0.9
50
V
V
兆赫
250
f
T
分类h及
FE(2)
秩
范围
A
80-100
B
1
100-150
B
2
150-200
C
200-250
TO- 92封装外形尺寸
D
D1
A
A1
E
b
φ
e
e1
符号
A
A1
b
c
D
D1
E
e
e1
L
单位：毫米
民
3.300
1.100
0.380
0.360
4.400
3.430
4.300
1.270TYP
2.440
14.100
0.000
2.640
14.500
1.600
0.380
4.700
最大
3.700
1.400
0.550
0.510
4.700
民
L
尺寸以英寸
最大
0.146
0.055
0.022
0.020
0.185
0.185
0.050TYP
0.096
0.555
0.000
0.104
0.571
0.063
0.015
0.130
0.043
0.015
0.014
0.173
0.135
0.169
C
江苏长电科技股份有限公司
TO- 92塑封装晶体管
A42
晶体管（ NPN
）
TO—92
特点
功耗
P
CM
: 0.625
W（Tamb=25℃）
集电极电流
I
CM
: 0.5
A
集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
: 300
V
工作和存储结温范围
T
J
，T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V（ BR ）
CBO
V（ BR ）
首席执行官
V（ BR ）
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
（
1
）
直流电流增益
h
FE
（
2
）
H
FE
（
3
）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
1.EMITTER
2.BASE
3.COLLECTOR
1 2 3
除非
TEST
否则
民
特定网络版）
典型值
最大
单位
V
V
V
0.25
0.1
条件
IC = 100
μ
A，I
E
=0
IC 。
I
E
=
1毫安，我
B
=0
100
μ
A，I
C
=0
I
E
=0
V I
C
=0
，
300
300
5
V
CB
= 200 V
V
EB
=
5
μ
A
μ
A
V
CE
= 10 V，I
C
= 1毫安
V
CE
= 10V ， IC = 10毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 30毫安
I
C
= 20 mA时，我
B
= 2毫安
I
C
= 20米A，
V
CE
=20 V,
f =
30MHz
I
B
= 2毫安
I = 10毫安
C
60
80
75
0.2
0.9
50
V
V
兆赫
250
f
T
分类h及
FE(2)
秩
范围
A
80-100
B
1
100-150
B
2
150-200
C
200-250
TO- 92封装外形尺寸
D
D1
A
A1
E
b
φ
e
e1
符号
A
A1
b
c
D
D1
E
e
e1
L
单位：毫米
民
3.300
1.100
0.380
0.360
4.400
3.430
4.300
1.270TYP
2.440
14.100
0.000
2.640
14.500
1.600
0.380
4.700
最大
3.700
1.400
0.550
0.510
4.700
民
L
尺寸以英寸
最大
0.146
0.055
0.022
0.020
0.185
0.185
0.050TYP
0.096
0.555
0.000
0.104
0.571
0.063
0.015
0.130
0.043
0.015
0.014
0.173
0.135
0.169
C
TO-92
A42
特点
高压
晶体管（ NPN ）
塑料封装晶体管
TO-92
1.发射器
2.基
最大额定值（T
A
=25
℃
除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
R
θJA
R
θJC
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
热阻，结到环境
热阻，油膏到外壳
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
h
FE(3)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
价值
300
300
5
500
625
150
-55-150
200
83.3
TEST
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
℃ / MW
℃ / MW
条件
3.收集
1 2 3
电气特性（环境温度Tamb = 25
℃
除非另有规定编）
民
300
300
5
0.25
0.1
60
80
75
0.2
0.9
50
V
V
兆赫
250
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
= 100uA的，我
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
= 100μA ，我
C
=0
V
CB
= 200V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 10V ，我
C
=1mA
V
CE
= 10V ，我
C
=10mA
V
CE
= 10V ，我
C
=30mA
I
C
= 20mA时，我
B
=2mA
I
C
= 20mA时，我
B
=2mA
V
CE
= 20V ，我
C
=10mA,f=30MH
Z
分类h及
FE(2)
秩
范围
A
80-100
B
1
100-150
B
2
150-200
C
200-250
典型特征
A42
中国广东省东莞市H芳族
ELECTRONICS CO 。 ， LTD。
TO-92
www.haorm.cn
塑料封装晶体管
TO-92
A42
特点
高压
晶体管（ NPN ）
1.发射器
2.基
最大额定值（T
A
=25
℃
除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
R
θJA
R
θJC
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
热阻，结到环境
热阻，油膏到外壳
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
h
FE(3)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
价值
300
300
5
500
625
150
-55-150
200
83.3
TEST
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
℃ / MW
℃ / MW
条件
3.收集
1 2 3
电气特性（环境温度Tamb = 25
℃
除非另有规定编）
民
300
300
5
0.25
0.1
60
80
75
0.2
0.9
50
V
V
兆赫
250
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
= 100uA的，我
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
= 100μA ，我
C
=0
V
CB
= 200V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 10V ，我
C
=1mA
V
CE
= 10V ，我
C
=10mA
V
CE
= 10V ，我
C
=30mA
I
C
= 20mA时，我
B
=2mA
I
C
= 20mA时，我
B
=2mA
V
CE
= 20V ，我
C
=10mA,f=30MH
Z
分类h及
FE(2)
秩
范围
A
80-100
B
1
100-150
B
2
150-200
C
200-250
典型特征
A42
DIP型
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
A42
TO-92
单位：mm
4.58
–0.15
+0.25
■
特点
●
外延平面模施工。
●
适用于中等功率放大和转换。
●
可互补PNP型（ A92 ） 。
0.46
±0.10
1.27TYP
[1.27
±0.20
]
1 2 3
3.60
±0.20
14.47
±0.40
4.58
±0.20
1.27TYP
[1.27
±0.20
]
0.38
–0.05
+0.10
1.02
±0.10
0.38
–0.05
(R2.29)
1.发射器
2.基
3.收集
3.86MAX
■
绝对最大额定值TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
300
300
5
500
625
150
-55到150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
■
电气特性TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
测试条件
民
300
300
5
0.25
0.1
60
80
75
0.2
0.9
50
V
V
兆赫
250
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
V
（ BR ） CBO
IC = 100 μA ，
I
E
=0
V
（ BR ） CEO
IC = 1 mA时，我
B
=0
V
（ BR ） EBO
I
E
= 100 μA，
I
C
=0
Ic
BO
I
EBO
V
CB
= 200 V，I
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 10V ，我
C
= 1毫安
直流电流增益
h
FE
V
CE
= 10V ，我
C
= 10毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 30毫安
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE （ SAT ）
I
C
= 20 mA时，我
B
= 2毫安
V
BE （ SAT ）
I
C
= 20 mA时，我
B
= 2毫安
f
T
V
CE
= 20V ，我
C
= 10毫安， F = 30MHz的
■
h
FE
分类
秩
h
FE
A
80至100
B
1
100至150
B
2
150至200
C
200至250
+0.10
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
(0.25)
1第3
SMD型
DIP型
DIP型
SMD型
IC
晶体管
晶体管
IC
产品speci fi cation
A42
■
典型特征
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
2 3
DIP型
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
A42
■
典型特征
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
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AZ431LAZE1
AM2345PE
ADN2815ACPZ-RL7
AD404M82RQB-5
AH174P-WA-A
ATR2815S/HB
AD7822BR-REEL7
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    A42
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市正信鑫科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ：2440138151 复制
电话：0755-22655674/15099917285
联系人：小邹
地址：深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
A42
CJ(长电/长晶)
25+
15568
SOT-89-3L
全系列封装原装正品★晶体管
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
A42
CJ原装长电
21+
18600
SOT-89
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