A3986
双路全桥式MOSFET驱动器
与微转换器
特点和优点
2线步骤和方向接口
对于N沟道MOSFET双路全桥栅极驱动器
工作在12 50 V的电源电压范围
同步整流
交叉传导保护
可调混合衰减
集成的DAC正弦电流参考
固定关断时间PWM电流控制
描述
该A3986是集成了双全桥门极驱动
适合驱动广泛的微翻译
高功率工业双极两相步进电机（一般为
30至500瓦） 。电动机的功率是由外部N沟道提供
功率MOSFET的电源电压为12 50V。
该器件包含生成两个正弦DAC的
参考电压为两个单独的固定关断时间的PWM电流
控制器。这些提供电流调节外部电源
MOSFET全桥。
电动机步进由双线步骤和方向控制
接口，提供完整的微控制在全，
半，四分之一和十六步分辨率。固定关
时间调节在慢工作的能力，混色，或
快速衰减模式，这能减少可听到的电动机噪音，
增加步进精确度并减少功率耗散。
翻译的关键是易于实施的这一
IC 。只需输入一个脉冲步进输入驱动
根据电机一步（全，半，四分之一，或1/16
微步选择输入） 。有没有相位顺序表，
高频率控制行或复杂的界面。
这减少了需要一个复杂的微控制器。
包装： 38引脚TSSOP封装（后缀LD ）
近似尺寸
续下页...
典型应用图
3986 -DS ，第1版
A3986
双路全桥式MOSFET驱动器
与微转换器
另外，交叉电流控制，内部电路保护
提供了迟滞和欠压锁定热关断。
不需要特别的加电排序。
该组件是在一个38引脚TSSOP （封装LD ）提供。该
封装无铅（Pb ）免费，采用100％雾锡电镀引脚框。
描述（续）
所需的高侧的N沟道上述电源电压
的MOSFET是由一个自举电容器提供。效率
通过使用同步整流和功率FET增强
通过集成交叉控制保护直通
和可编程死区时间。
选购指南
产品型号
A3986SLD-T
A3986SLDTR-T
包装*
管，每管50件
磁带和卷轴，每卷4000件
*联系快板额外的包装选项
绝对最大额定值
特征
电源电压
逻辑电源电压
逻辑输入和输出
Sensex指数销
随心销
LSSx销
GHxx销
GLxx销
CXX销
工作环境温度
结温
储存温度
T
A
T
J
（最大）
T
英镑
范围S
符号
V
BB
V
DD
笔记
等级
-0.3 50
-0.3 7
-0.3 7
-1至1
-2 55
-2到5
SXX到随心+ 15
-2 16
-0.3随心+ 15
-20到85
150
-55到150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
C
C
C
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
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A3986
双路全桥式MOSFET驱动器
与微转换器
功能框图
+5 V
VDD
VBB
V
汽车
VREG
带隙
调节器
CREG
V
REG
1A阶段
Bridge1
CBOOT1A
REF
V
REF
高边
DRIVE
V
REG
DAC
步
PWM锁存器
消隐
混合衰减
低端
DRIVE
GL1A
LSS1
SENSE1
1B阶段
低端
DRIVE
第1阶段
MS2
第1阶段
控制逻辑
高边
DRIVE
GH1B
CBOOT1B
C1B
GL1B
S1B
RSENSE1
P
P
C1A
GH1A
S1A
RGH1A
RGH1B
RGL1A
RGL1B
DIR
MS1
翻译者
PFD1
2A期
V
汽车
Bridge2
C2A
CBOOT2A
PFD2
第2阶段
控制逻辑
启用
第2阶段
高边
DRIVE
V
REG
低端
DRIVE
GH2A
S2A
RGH2A
RGH2B
GL2A
LSS2
SENSE2
RGL2A
RGL2B
RESET
PWM锁存器
消隐
混合衰减
2B阶段
低端
DRIVE
GL2B
S2B
GH2B
CBOOT2B
C2B
RSENSE2
P
SR
DAC
OSC
ROSC
保护
UVLO
TSD
V
REF
高边
DRIVE
GND
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双路全桥式MOSFET驱动器
与微转换器
在T电气特性
A
= 25 ° C，V
DD
= 5 V, V
BB
= 12 50V ，除非另有说明
特征
供应及参考
负载电源电压范围
空载电流
负载电源待机电流
逻辑电源电压范围
逻辑电源电流
逻辑电源待机电流
稳压器输出
自举二极管的正向电压
门输出驱动
开启上升时间
关断下降时间
导通传播延迟
关断传播延迟
交叉死区时间
上的上拉电阻
下拉导通电阻
短路电流 - 来源
1
短路电流 - 水槽
GHX输出电压
在GLx输出电压
逻辑输入
输入低电压
输入高电压
输入滞后
输入电流
1
复位脉冲宽度
2
符号
V
BB
I
BB
I
烧烤
V
DD
I
DD
I
DDQ
V
REG
V
FBOOT
t
r
t
f
t
P（上）
t
P（关闭）
t
DEAD
R
OSC
= 10 kΩ的，C
负载
= 1000 pF的
ENABLE =高，输出禁用
RESET = 0
测试条件
分钟。
12
–
–
–
3.0
–
–
11.25
0.6
80
40
–
–
0.6
30
14
–140
160
V
C
– 0.2
V
REG
–
0.2
–
0.7 V
DD
150
–1
0.2
典型值。
–
–
–
–
–
–
–
–
0.8
120
60
180
180
–
40
19
–110
200
–
–
–
–
300
–
–
马克斯。
50
10
6
100
5.5
10
300
13
1
160
80
–
–
1.2
55
24
–80
250
–
–
0.3 V
DD
–
–
1
1
单位
V
mA
mA
μA
V
mA
μA
V
V
ns
ns
ns
ns
μs
Ω
Ω
mA
mA
V
V
V
V
mV
μA
μs
RESET = 0
I
REGINT
= 30毫安
I
FBOOT
= 10毫安
C
负载
= 1000pF的， 20 ％至80％
C
负载
= 1000pF的，80％至20％
实现低栅极驱动器
ENABLE高栅极驱动关闭
R
OSC
= 10 kΩ,
I
GH
= -25毫安
I
GL
= 25毫安
R
DS （ ON） UP
R
DS （ ON） DN
I
SC （源）
I
SC （汇）
V
GHX
CBOOTx完全充电
V
GLX
V
IL
V
IH
V
IHYS
I
IN
t
wR
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双路全桥式MOSFET驱动器
与微转换器
电气特性，持续，在T
A
= 25 ° C，V
DD
= 5 V, V
BB
= 12 50V ，除非另有说明
特征
符号
测试条件
分钟。
典型值。
MAX 。单位
电流控制
空白时间
t
空白
R
OSC
= 10 kΩ,
1.2
1.5
1.8
μs
固定关断时间
t
关闭
R
OSC
= 10 kΩ的， SR =高
18.12
–
23.16
μs
0.8
–
2
V
参考输入电压
V
REF
1.9
2.0
2.1
V
内部参考电压
V
REFINT
20 kΩ到V
DD
3
电流触发点错误
E
ITRIP
V
REF
= 2 V
–
–
±5
%
参考输入电流
1
I
REF
–3
0
3
μA
振荡器频率
f
OSC
R
OSC
= 10 kΩ
3.2
4
4.8
兆赫
保护
7.5
8
8.5
V
VREG欠压锁定
V
REGUV
- 降低V
REG
VREG欠压锁定
V
REGUVhys
100
200
–
mV
迟滞
- 降低V
DD
2.45
2.7
2.95
V
VDD欠压锁定
V
DDUV
VDD欠压锁定
V
DDUVhys
50
100
–
mV
迟滞
过热关机
T
TSD
温度的升高
–
165
–
C
过热关机
T
TSDHYS
恢复= T
TSD
– T
TSDHYS
–
15
–
C
迟滞
控制时序
STEP低持续时间
t
STEPL
1
–
–
μs
步长高
t
斯蒂芬
1
–
–
μs
投入改变步进脉冲;
设置时间
t
SU
200
–
–
ns
MS1 ， MS2 ， DIR
输入变化从STEP脉冲;
200
–
–
ns
保持时间
t
H
MS1 ， MS2 ， DIR
唤醒时间期限
t
WAKE
1
–
–
ms
1
输入和输出电流规格，负电流定义为自出（采购）指定的设备引脚。
2
这个时间的复位脉冲将复位翻译到首页位置，而不进入睡眠模式。
3
电流触发点错误是实际的电流跳变点和目标电流跳变点之间的差值，称为全
规模（ 100 ％ ）电流：电子
ITRIP
= 100 × (I
tripActual
– I
tripTarget
) / I
满量程％
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