A3985
数字可编程
双路全桥式MOSFET驱动器
通过集成交叉控制保护直通
和可编程死区时间。
另外，交叉电流控制，内部电路保护
提供了迟滞和欠压锁定热关断。
不需要特别的加电排序。此组件是
采用38引脚TSSOP （封装LD）提供采用100％雾锡
电镀引脚框。
描述（续）
控制用于各种步骤的方法，从微至全步
驾驶。在外部功率MOSFET的全桥的负载电流是
在最大值的1.56 ％的增量进行设置。
所需的高侧的N沟道上述电源电压
的MOSFET是由一个自举电容器提供。效率
通过使用同步整流和功率FET增强
选购指南
产品型号
A3985SLD-T
A3985SLDTR-T
包装*
管，每管50件
磁带和卷轴，每卷4000件
*联系快板额外的包装选项
绝对最大额定值
特征
电源电压
逻辑电源电压
逻辑输入和输出
Sensex指数销
随心销
LSSx销
GHxx销
GLxx销
CXX销
工作环境温度
结温
储存温度
T
A
T
J
（最大）
T
英镑
范围S
符号
V
BB
V
DD
笔记
等级
-0.3 50
-0.3 7
-0.3 7
-1至1
-2 55
-2到5
SXX到随心+ 15
-2至16 V
-0.3随心+ 15
-20到85
150
-55到150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
C
C
C
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
www.allegromicro.com
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A3985
数字可编程
双路全桥式MOSFET驱动器
功能框图
+5 V
VDD
VBB
V
汽车
VREG
带隙
调节器
CREG
1A阶段
Bridge1
CBOOT1A
REF
V
REF
高边
DRIVE
V
REG
6-bit
DAC
低端
DRIVE
GL1A
LSS1
SENSE1
1B阶段
低端
DRIVE
第1阶段
SDI
第1阶段
控制逻辑
高边
DRIVE
GH1B
CBOOT1B
C1B
STR
串行端口
GL1B
S1B
RSENSE1
P
P
C1A
GH1A
S1A
RGH1A
RGH1B
RGL1A
RGL1B
SDO
可编程
PWM定时器
消隐
混合衰减
V
汽车
Bridge2
2A期
C2A
CBOOT2A
SCK
第2阶段
控制逻辑
第2阶段
高边
DRIVE
V
REG
低端
DRIVE
GH2A
S2A
RGH2A
RGH2B
GL2A
LSS2
SENSE2
RGL2A
RGL2B
WC
可编程
PWM定时器
消隐
混合衰减
2B阶段
低端
DRIVE
GL2B
S2B
GH2B
CBOOT2B
C2B
RSENSE2
P
6-bit
DAC
启用
V
REF
可编程分频器
振荡器
保护
UVLO
TSD
高边
DRIVE
OSC
GND
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数字可编程
双路全桥式MOSFET驱动器
电气特性
在T
A
= 25 ° C，V
DD
= 5 V, V
BB
= 12 50 V ，除非另有说明
特征
供应及参考
负载电源电压范围
空载电流
负载电源待机电流
逻辑电源电压范围
逻辑电源电流
逻辑电源待机电流
稳压器输出
自举二极管的正向电压
门输出驱动
开启上升时间
关断下降时间
导通传播延迟
关断传播延迟
交叉死区时间
上的上拉电阻
下拉导通电阻
短路电流 - 来源
1
短路电流 - 水槽
GHX输出电压
在GLx输出电压
逻辑输入
输入低电压
输入高电压
输入滞后
输入电流
1
输出低电压
输出高电压
输出漏电流
1
符号
V
BB
I
BB
I
烧烤
V
DD
I
DD
I
DDQ
V
REG
V
FBOOT
t
r
t
f
t
P（上）
t
P（关闭）
t
DEAD
f
MCK
= 4兆赫，C
负载
= 1000 pF的
ENABLE =高，输出禁用
字1 ：位D18 = 0
测试条件
分钟。
12
–
–
–
3.0
–
–
11.25
0.6
80
40
–
–
0.5
30
14
–140
160
V
C
– 0.2
V
REG
–
0.2
–
0.7 V
DD
150
–1
SDO ，我
OL
- 0.5毫安
SDO ，我
OH
= -0.3毫安
SDO ， STR = 1 ， 0 V< V
O
＆ LT ; V
DD
V
DD
–
0.5
–1
1
典型值。
–
–
–
–
–
–
–
–
0.8
120
60
120
120
–
40
19
–110
200
–
–
–
–
300
–
马克斯。
50
10
6
100
5.5
10
300
13
1
160
80
–
–
0.75
55
24
–80
250
–
–
0.3 V
DD
–
–
1
0.5
单位
V
mA
mA
μA
V
mA
μA
V
V
ns
ns
ns
ns
μs
Ω
Ω
mA
mA
V
V
V
V
mV
μA
V
V
μA
字1 ：位D18 = 0
I
REGINT
= 30毫安
I
FBOOT
= 10毫安
C
负载
= 1000pF的， 20 ％至80％
C
负载
= 1000pF的，80％至20％
实现低栅极驱动器
ENABLE高栅极驱动关闭
f
MCK
= 4 MHz时，
字1 ：位D1和D2 = 00
I
GH
= -25毫安
I
GL
= 25毫安
R
DS （ ON） UP
R
DS （ ON） DN
I
SC （源）
I
SC （汇）
V
GHX
CBOOTx完全充电
V
GLX
V
IL
V
IH
V
IHYS
I
IN
V
OL
V
OH
I
OLEAK
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数字可编程
双路全桥式MOSFET驱动器
电气特性，
继续，在T
A
= 25 ° C，V
DD
= 5 V, V
BB
= 12 50 V ，除非另有说明
特征
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
电流控制
f
MCK
= 4 MHz的;
空白时间
t
空白
–
1
–
字1 ：位D1和D2 = 00
f
MCK
= 4 MHz时，
字1 ： D3位为D7 = 01010 ，和
21.75
–
22
固定关断时间
t
关闭
D15 = 0
参考输入电压
V
REF
0.8
–
2
内部参考电压
V
REFINT
20 kΩ到V
DD
1.9
2.0
2.1
电流触发点错误
2
E
ITRIP
V
REF
= 2 V
–
–
±5
参考输入电流
1
I
REF
–3
0
3
内部振荡器频率
f
OSC
R
OSC
= 10 kΩ
3.2
4
4.8
最大时钟输入频率
f
EXTMAX
选择外部时钟
–
10
–
主时钟频率
f
MCK
0.5
4
5
保护
VREG欠压锁定
V
REGUV
- 降低V
REG
7.5
8
8.5
VREG欠压锁定
V
REGUVhys
100
200
–
迟滞
VDD欠压锁定
V
DDUV
- 降低V
DD
2.45
2.7
2.95
VDD欠压锁定
V
DDUVhys
50
100
–
迟滞
过热关机
T
TSD
温度的升高
–
165
–
过热关机
T
TSDHYS
恢复= T
TSD
– T
TSDHYS
–
15
–
迟滞
单位
μs
μs
V
V
%
μA
兆赫
兆赫
兆赫
V
mV
V
mV
C
C
续下页...
热特性
特征
封装热阻
符号
R
θJA
测试条件*
4层PCB ，基于JEDEC标准
1层PCB板铜限于焊盘
值单位
47
114
摄氏度/ W
摄氏度/ W
*可在快板网站更多热量信息。
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