数据表
29319.47E
A3949
DMOS全桥式电动机驱动器
A3949SLB SOIC
N / C
模式
相
GND
睡觉
启用
1
2
3
4
5
6
7
8
16 N / C
15 VREG
14 VCP
13 GND
12 CP2
11
CP1
直流电动机的设计的PWM（脉冲宽度调制）控制，该
A3949能够承受峰值输出电流为± 2.8和操作电压
年龄为36 V.
提供了用于在控制 - 使用相和ENABLE输入端
灵的速度和直流电动机的与外部应用PWM方向
控制信号。内部同步整流，阳离子控制电路
提供降低PWM工作期间的功耗。
内部电路保护包括滞后过热关机，
欠压监控的V
BB
和V
CP
及交叉电流保护
化。
该A3949是两种功率封装可供选择，采用16引脚提供
塑料SOIC与铜蝙蝠翼状片（零件号SUF网络X
磅） ，
和
低廓（ 1.1毫米） 16引脚TSSOP （ SUF网络X
LP ）
与暴露的权力
选项卡。两种封装都提供无铅版本（ 100％雾锡
引线框架） 。
比例为1 ： 1
OUTA
SENSE
10 OUTB
9
VBB
A3949SLP TSSOP
N / C
模式
相
GND
睡觉
1
2
3
4
5
6
7
8
16 N / C
15 VREG
14 VCP
13 GND
12 CP2
11 CP1
10 OUTB
9 VBB
比例为1 ： 1
启用
OUTA
SENSE
特点
单电源供电
非常小的外形封装
低R
DS （ ON）
输出
睡眠功能
内部UVLO
交叉电流保护
热关断保护
绝对最大额定值
负载电源电压
V
BB
...............................................................36
V
V
BB
（峰值< 2
μs)
........................................38
V
输出电流，I
OUT
（重复）
1
....................±2.8
A
检测电压，V
SENSE
.........................................0.5
V
逻辑输入电压，V
IN
......................–0.3
V至7 V
封装功耗，P
D
A3949SLB
2
.........................................
52C / W
A3949SLP
3
..........................................
34C / W
工作温度范围
环境温度，T
A
............–20°C
至+ 85°C
结温，T
J
.................+150°C
马克斯。
贮藏温度，T
S
...........–55°C
至+ 150°C
输出电流额定值可通过占空比的限制，
环境温度，并散热。在任何一组
的条件下，
别
超过特定网络版我
OUT
或T
J
.
2
测得在一个典型的双面印刷电路板与2英寸
2
铜
接地平面。
3
衡量一个JEDEC标准的"High - K" 4层PCB 。
1
使用订货时以下完整型号：
产品型号
A3949SLB-T
A3949SLBTR-T
A3949SLP-T
A3949SLPTR-T
*
无铅
*
是的
是的
是的
是的
包
16引脚， SOIC
16引脚， SOIC
16引脚， TSSOP
16引脚， TSSOP
填料
每管47
1000每卷
96％的管
4000每卷
铅为基础的变种被淘汰的产品线。该变种引
在这个脚注都在生产，但已被确定为最后一次
买入。此分类科幻阳离子表示出售该设备是目前限制
现有的客户应用程序。变体不应被用于购买
全新设计的应用程序，因为过时，在不久的将来是可能的。
样品将不再可用。状态变化： 10月31日， 2006年截止日期
对于收到的最后一次购买的订单： 4月27日， 2007年这些变体包括：
A3949SLB ， A3949SLBTR ， A3949SLP和A3949SLPTR 。
数据表
29319.47D
A3949
DMOS全桥式电动机驱动器
功能框图
.22
μF
25 V
VREG
0.1
μF
CP1
CP2
LOW SIDE
门供应
OSC
收费
泵
VCP
0.1
μF
VBB
负载
供应
模式
0.1
μF
100
μF
相
OUTA
控制
逻辑
启用
SENSE
睡觉
DMOS全桥
GND
GND
OUTB
控制逻辑表
相位使能模式
1
0
X
1
0
X
1
1
0
0
0
X
X
X
1
0
0
X
睡觉
1
1
1
1
1
0
OUTA
H
L
L
L
H
高阻
OUTB
L
H
L
H
L
高阻
功能
前锋
反向
制动（慢衰减）
快速衰减SR *
快速衰减SR *
睡眠模式
*为了防止在快速衰减SR （同步整流，阳离子） ，输出反向电流
进入高阻抗状态的电流接近零。
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115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
2
数据表
29319.47D
A3949
DMOS全桥式电动机驱动器
电气特性
在T
A
= 25 ° C，V
BB
= 8 V至36 V （除非另有说明）
特征
符号
测试条件
源极驱动器，我
OUT
= -2.8 A，T
J
= 25°C
输出电阻
R
DSON
源极驱动器，我
OUT
= -2.8 A，T
J
= 125°C
下沉式驱动器，我
OUT
= 2.8 A，T
J
= 25°C
下沉式驱动器，我
OUT
= -2.8 A，T
J
= 125°C
体二极管正向电压
V
F
来源二极管，我
F
= –2.8 A
沉二极管，我
F
= 2.8 A
f
PWM
< 50千赫
电机电源电流
I
BB
电荷泵开启;输出禁用
睡眠模式
逻辑输入电压
PHASE ，启用， MODE
逻辑输入电压
睡觉
逻辑输入电流
相， MODE引脚
逻辑输入电流
使能引脚
逻辑输入电流
SLEEP引脚
传播延迟时间
交叉延迟
保护电路
UVLO阈值启用
UVLO迟滞
热关断温度。
热关断迟滞
T
J
ΔT
J
VBB上升
–
–
–
–
6
250
170
15
–
–
–
–
V
mV
°C
°C
V
IN(1)
V
IN(0)
V
IN(1)
V
IN(0)
I
IN(1)
I
IN(0)
I
IN(1)
I
IN(0)
I
IN(1)
I
IN(0)
t
pd
t
鳕鱼
V
IN
= 2.0 V
V
IN
= 0.8 V
V
IN
= 2.0 V
V
IN
= 0.8 V
V
IN
= 2.7 V
V
IN
= 0.8 V
从PWM切换到源出或吸入开启
从PWM切换到源出或吸入关闭
分钟。
–
–
–
–
–
–
–
–
–
2.0
–
2.7
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
典型值。
.4
.68
.3
.576
1.1
1
6
3
–
–
–
–
–
＆ LT ; 1.0
< -2.0
40
16
27
<1
600
100
500
马克斯。
.48
–
.43
–
1.3
1.3
8.5
4.5
10
–
0.8
–
0.8
20
–20
100
40
50
10
–
–
–
单位
Ω
Ω
Ω
Ω
V
V
mA
mA
μA
V
V
V
V
μA
μA
μA
μA
μA
μA
ns
ns
ns
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DMOS全桥式电动机驱动器
PWM控制时序图
睡觉
启用
相
模式
V
BB
OUTA
0V
V
BB
OUTB
0V
I
OUT
0A
A
1
2
3
4
5
6
7
8
9
VBB
VBB
6
7
OUTA
1
3
2
4
5
8
OUTB
OUTA
9
OUTB
A
电荷泵和VREG电延时（大约200美元）
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A3949
DMOS全桥式电动机驱动器
功能说明
VREG 。
该电源电压被用于操作sink-
侧DMOS输出。 VREG内部监测和
的故障状态的情况下，该装置的输出是
禁用。在VREG引脚应与0.22脱钩
μF
电容到地。
电荷泵。
该电荷泵用于产生一个
供给上述VBB来驱动源侧的DMOS栅极。一
0.1 uF的陶瓷单片电容应连接
CP1和CP2之间的泵送的目的。一个0.1 uF的
陶瓷单片电容应连接之间
VCP和VBB充当储运行高侧
DMOS器件。越共电压，内部监控，
与在故障条件的情况下，该装置的输出端
被禁用。
关机。
在出现故障的情况下，由于过度的结
温度，或在VCP或VREG低电压时，输出
该设备被禁用，直到故障排除为止。
上电时，UVLO电路将禁用驱动程序。
睡眠模式。
控制输入SLEEP用于最小化
当A3949不使用功耗。这
禁用多的内部电路，包括低侧
栅极电源和电荷泵。该引脚上的逻辑低电平
使器件进入休眠模式。逻辑高电平使正常
操作。退出休眠模式后，用户应
等待1毫秒施加的PWM信号之前，为了使电荷
泵稳定。
制动。
制动功能由driv-实施
通过MODE引脚荷兰国际集团的设备在缓慢衰减模式，
应用使能斩命令。因为有可能
通过DMOS开关驱动电流在两个方向上，
这种配置有效地短路产生的电机
反电势，只要使斩波模式上认定的
ENABLE引脚。最大电流可以近似
用V
BEMF
/ R
L
。应当小心以确保该马克西
该装置的额定妈妈没有在最坏的情况下突破
高速和高惯性载荷的制动的情况。
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