A3938
三相功率MOSFET控制器
的A3938是一个三相无刷直流电机控制装置。该A3938
高电流栅极驱动能力允许驾驶广泛的
功率MOSFET ,可支持电机电源电压为50伏。
A3938集成了自举高边驱动器,以尽量减少克斯特
需要驱动N沟道MOSFET驱动器最终元件数量。
国内
固定的关断时间,脉宽调制电流控制电路可用于
调节到所需的值的最大负载电流。峰值负载
电流限制通过的输入参考用户的选择设置电压
年龄和外部感应电阻。用户选择外部RC计时
网络设置
固定的关断时间,脉冲持续时间。为了增加
灵活性,在
PWM输入可以提供速度/转矩控制,内部电流
控制电路设置上的最大电流的限制。
该A3938包括同步整流器阳离子功能。这种短路
通过功率MOSFET的电流路径反向的体二极管能很好地协同
ING PWM非周期电流衰减。这可以使功耗降至最低
在MOSFET时,消除了对外部电源钳位二极管,
并且可能允许MOSFET驱动器更经济的选择。
该A3938提供了霍尔整流逻辑传感器CON连接gured的
120度的间距。霍尔输入引脚拉到一个内部可
产生5 V基准电压源。功率MOSFET保护功能包括:
自举电容充电电流监控器,欠压调节器
监测,电动机引线短路到地,和热关断。
劳工处包是无铅版本( 100%雾锡可用
镀金引线框架) 。
绝对最大额定值
负载电源电压,V
BB
...................................50
V
VREG (瞬态) .............................................. 0.15
V
逻辑输入电压范围,V
IN
...–0.3
V到V
LCAP
+0.3 V
检测电压,V
SENSE
...........................
-5 V至1.5 V
销: SA , SB , SC ...................................
-5 V至50 V
销: GHA , GHB , GHC ..................
-5 V到V
BB
+ 17 V
销: CA , CB , CC ........................... SA / SB / SC
+ 17 V
工作温度范围
环境温度,T
A
.............–20°C
至+ 85°C
结温,T
J
............................+150°C
贮藏温度,T
S
..........–55°C
至+ 150°C
热阻抗(典型值) ,在T
A
= +25C;
在JEDEC标准的"High - K" PCB测
A3938EQ ,R
θJA
........................................37°C/W
A3938LD ,R
θJA
........................................38°C/W
A3938LQ ,R
θJA
........................................44°C/W
26301.104B
数据表
A3938EQ , 32引脚PLCC
A3938LQ , 36引脚QSOP
A3938LD ,采用38引脚TSSOP
特点
驱动宽范围的N沟道MOSFET
低侧同步整流器阳离子
功率MOSFET保护
可调节死区时间进行交叉CON-
duction保护
可选海岸或动态刹车
掉电或复位输入
快/慢电流衰减模式
内部PWM电流控制
电动机引线短路到地
保护
内部5 V稳压器
故障诊断输出
热关断
欠压保护
使用订货时以下完整型号:
产品型号
A3938SEQ
A3938SLQ
A3938SLD
A3938SLD-T
引脚
32
36
38
38
包
PLCC
QSOP
TSSOP
TSSOP ,无铅
26301.104B
三相功率MOSFET控制器
功能框图
(仅此图显示了三个输出之一)
A3938
数据表
故障
短到GND
TSD
外径
无效大厅
VREG欠压
VBB
A
+
VREG
调节器
+
10 uF的
CA
C
BOOT
0.1 uF的
0.1 uF的
LCAP
+
0.1 uF的
H1
电荷泵
H2
H3
PWM
控制
逻辑
高边
保护
逻辑
开启
延迟
高边
司机
GHA
C相
DIR
RESET
SA
刹车
VREG
模式
低端
保护
逻辑
RC
C
T
R
T
RC消隐
固定关断时间
开启
延迟
低端
司机
GLA
B相
SENSE
R
S
REF
VREG
DEAD
死区时间
调整
V
REG
UVLO
RESET
AGND
功率损耗
刹车
保护地
BRKCAP
+
4.7uF
BRKSEL
A
对于12 V应用, VBB必须短于VREG 。对于这种条件下,绝对
15 V于VREG最大额定值必须维持以防止损坏的A3938 。
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115东北托夫,箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 ( 508 ) 853-5000
2
26301.104B
三相功率MOSFET控制器
电气特性
1,2
除非另有说明:T已
A
= 25 ° C,V
BB
= 18 V至50 V ,C
LCAP
= 0.1 μF ,C
BOOT
= 0.1 F,
C
VREG
= 10 F , PWM = 22.5千赫的方波,分两个阶段活性
特征
静态电流
LCAP稳压器
VREG = VBB电源电压范围
VREG输出电压
VREG负载调节
VREG行规
控制逻辑
逻辑输入电压
V
IN(1)
V
IN(0)
逻辑输入电流
栅极驱动器
低端驱动器,输出高
高边驱动器,输出高
拉开关电阻
下拉开关电阻
低端开关, 10/90上升时间
低端开关, 10/90下降时间
高侧开关, 10/90上升时间
高侧开关, 10/90下降时间
传播延迟; GHX ,瑞星在GLx
传播延迟; GHX ,坠落在GLx
死区时间,最大
死区时间,最小
V
HGL
V
HGH
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
tr
GL
tf
GL
tr
GH
tf
GH
T
pr
T
pf
t
DEAD
t
DEAD
I
gx
= 0
I
gx
= 0
I
gx
= -50毫安
I
gx
= 50毫安
C
负载
= 3300 pF的
C
负载
= 3300 pF的
C
负载
= 3300 pF的
C
负载
= 3300 pF的
PWM栅极驱动出来,C
负载
= 3300 pF的
PWM栅极驱动出来,C
负载
= 3300 pF的
V
DEAD
= 0 , GHX到在GLx ,C
负载
= 0
I
DEAD
= 780 μA ,在GLx到GHX ,C
负载
= 0
V
REG
– 0.8 V
REG
– 0.5
10.4
–
–
–
–
–
–
–
–
3.5
50
11.6
14
4
120
60
120
60
220
110
5.6
100
–
12.8
–
–
–
–
–
–
–
–
7.6
150
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
ns
I
IN(1)
I
IN(0)
最低高度为逻辑1
最大低电平为逻辑0
V
IN
= 2.0 V
V
IN
= 0.8 V
2.0
–
–30
–50
–
–
–
–
–
0.8
–90
–130
V
V
A
A
符号
I
VBB
V
LCAP
V
REG
V
REG
V
Regload
V
REGLIN
测试条件
RESET = 1 ,滑行模式,停止
I
LCAP
= ?? 3.0毫安
VREG = VBB ,观察最大额定值= 15 V
V
BB
= 13.2 V至18 V,I
VREG
= -10毫安
V
BB
= 18 V至50 V,I
VREG
= -10毫安
I
VREG
= -1 mA至-30毫安,海岸模式
I
VREG
= -10毫安,海岸模式
分钟。
–
4.75
10.8
–
12.4
–
–
典型值。
1
–
5
–
V
BB
– 2.5
13
25
40
马克斯。
8.0
5.25
13.2
–
13.6
–
–
单位
mA
V
V
V
V
mV
mV
A3938
数据表
续下页...
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3
26301.104B
三相功率MOSFET控制器
A3938
数据表
电气特性
1,2
(续)
除非另有说明:T已
A
= 25 ° C,V
BB
= 18 V至50 V ,C
LCAP
= 0.1 F,
C
BOOT
= 0.1 μF ,C
VREG
= 10 F , PWM = 22.5千赫的方波,分两个阶段活性
特征
自举电容
自举电容电压
引导
OUT
充电电流(源)
电流限制电路
输入失调电压
输入电流检测引脚
输入电流,参考引脚
空白时间
RC充电电流
RC电压阈值
保护电路
自举充电门限
接地短路,漏源监视器
VREG欠压阈值
FAULT输出电压
刹车电容电源电流
低侧栅极电压
热关断温度
热关断迟滞
1
符号
测试条件
分钟。
典型值。
1
马克斯。
单位
V
CX
R
CX
I
CX
I
cx
= 0, V
sx
= 0, V
REG
= 13 V
I
cx
= -50毫安
10.4
–
100
11.6
9
–
12.8
12
–
V
mA
V
IO
I
B
I
B
t
空白
I
RC
V
RCL
V
RCH
0 V& LT ; V
CMR
< 1.5 V
0 V& LT ; V
cm
, V
差异
< 1.5 V
0 V& LT ; V
cm
, V
差异
< 1.5 V
R = 56 kΩ的,C = 470 pF的
–
–
–
–
–0.9
1.0
2.7
–
–25
0
0.91
–1
1.1
3.0
±5
–
–
–
–1.1
1.2
3.3
mV
A
A
s
mA
V
V
I
cx
V
DSH
UVLO
V
OUT
I
刹车
V
GLBH
T
J
T
J
GHX导通,并在GLx熄灭,在我
cx
V
BB
– V
SX
高侧
V
REG
增加
V
REG
减少
I
OL
= 1毫安
V
BB
= 8 V , BRKSEL = 1
V
BB
= 0, BRKCAP = 8V
–
1.3
9.2
8.6
–
–
–
–
–
–9
2.0
9.7
9.1
–
30
6.6
165
10
–
2.7
10.2
9.6
0.5
–
–
–
–
mA
V
V
V
V
A
V
°C
°C
典型的数据是初步设计估算而已,并承担优化生产和应用条件。性能可能会有所不同
个别单位内的特定网络版最高和最低限额。
2
负电流去连接定义为传统的电流出来(从源)的特定网络版设备终端。
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4
26301.104B
三相功率MOSFET控制器
引脚说明
复位。
一个逻辑输入,使设备。有内部
50 kΩ的上拉至LCAP 。设置重置为1海岸或刹车
电动机,这取决于BRKSEL引脚的状态。设定
婷重置为0使栅极驱动跟着换向
化逻辑。设置重置为1覆盖制动销。
根据存储的设置BRKSEL电动机) 。
热关断(滑行电机) 。
电机引线( SA / SB / SC )连接到地(关闭
只有高侧功率MOSFET ) 。
只有“短路至接地”故障锁存,但它被清零
在每个换向。如果电机由于停滞于短期
对地被检测,触发RESET引脚或重复性
荷兰国际集团一上电顺序清除故障。
A3938
数据表
GLA / GLB / GLC 。
外部低侧栅极驱动输出
MOSFET驱动器。外部串联栅极电阻可用于
控制见过的功率驱动栅极压摆率,从而
控制
的di / dt
和
dv / dt的
的Sx的输出。
SA / SB / SC 。
直接连接到电机端子,
这些管脚感测上的电压在负载切换。该
引脚还连接到所述自举的负侧
电容器和用于负电源连接
oat-
ING高侧驱动器。
制动。
对于制动功能的逻辑输入。设置BRAKE
1导通的低侧MOSFET和关断高边
的MOSFET。这有效地短路的反电势的绕组
和刹车电机。内部50 kΩ的上拉至LCAP 。设定
婷复位为1覆盖此制动销。另请参阅BRKSEL 。
GHA / GHB / GHC 。
高边栅极驱动输出
N沟道MOSFET驱动器。外部串联栅极电阻
可用于控制看出在功率驱动器的压摆率
栅极,从而控制
的di / dt
和
dv / dt的
的Sx的输出。
BRKCAP 。
该引脚用于储存的连接
电容器用于提供所述电源的正极
灌电流驱动输出为休眠状态。这使得
可预测的制动,如果需要的话。使用4.7
F
电容将
在300毫秒内提供6.5 V门极驱动。如果掉电制动容量
荷兰国际集团是不需要的选项(即, BRKSEL = 0),则该引脚
应连接到VREG 。
CA / CB / CC 。
高侧连接的自举电容
器,提供正电源的高边栅极驱动器。该
自举电容充电到约VREG
输出Sx的端变为低电平时。当输出
摆动高点,这两个引脚上的电压升高与输出
提供所需的N沟道升压的栅极电压
功率MOSFET。
模式。
逻辑输入设置电流衰减模式。为了响应
一个PWM关闭命令,慢速衰减模式( MODE = 1 )
关闭高侧FET ,并快速衰减模式
( MODE = 0时)关闭高侧和低侧FET的。
有一个内部50 kΩ的上拉至LCAP 。
BRKSEL
.
逻辑输入以启用/禁用制动时
休眠状态或RESET = 1。内部50 kΩ上拉
到LCAP 。设置BRKSEL 0使海岸模式。环境
BRKSEL为1使制动方式。
PWM 。
速度控制输入端。 PWM设置为1开启
MOSFET的霍尔输入逻辑选择。 PWM设置为0
关闭选定的MOSFET 。不断举行的PWM输入
高利用内部电流控制电路。国内
50 kΩ的上拉至LCAP 。
H1/H2/H3.
霍尔传感器输入,内部50 kΩ的上拉
到LCAP 。 CON连接gured为120度电的间距。
RC 。
模拟输入。连接的R
T
和C
T
设置
迪尔。
逻辑输入到反转(见表Commu-
塔季翁真值表,下页) 。具有内部50 kΩ的
拉来LCAP 。
固定的关断时间。
T
还设置了空白时间(请参阅第
应用信息) 。它建议
固定的
关断时间应不小于10微秒。该电阻应为
在10千欧与500千欧之间的范围内。
VREG 。
稳压13 V电源的低侧栅极驱动器
和自举电容充电电路。作为监管机构,利用
一个10 μF去耦/储能电容( ESR < 1
)
由此
引脚与AGND之间,尽量靠近器件引脚越好。
注:对于12 V应用, VREG引脚应
短接到VBB 。
错。
开漏输出指示故障情况。将
对于任何的拉高(通常是5.1 kΩ的外部上拉)
下列故障情况:
无效的霍尔传感器输入码(滑行电机) 。
在VREG (海岸或刹车检测到欠压条件
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A3938
三相功率MOSFET控制器
的A3938是一个三相无刷直流电机控制装置。该A3938
高电流栅极驱动能力允许驾驶广泛的
功率MOSFET ,可支持电机电源电压为50伏。
A3938集成了自举高边驱动器,以尽量减少克斯特
需要驱动N沟道MOSFET驱动器最终元件数量。
国内
固定的关断时间,脉宽调制电流控制电路可用于
调节到所需的值的最大负载电流。峰值负载
电流限制通过的输入参考用户的选择设置电压
年龄和外部感应电阻。用户选择外部RC计时
网络设置
固定的关断时间,脉冲持续时间。为了增加
灵活性,在
PWM输入可以提供速度/转矩控制,内部电流
控制电路设置上的最大电流的限制。
该A3938包括同步整流器阳离子功能。这种短路
通过功率MOSFET的电流路径反向的体二极管能很好地协同
ING PWM非周期电流衰减。这可以使功耗降至最低
在MOSFET时,消除了对外部电源钳位二极管,
并且可能允许MOSFET驱动器更经济的选择。
该A3938提供了霍尔整流逻辑传感器CON连接gured的
120度的间距。霍尔输入引脚拉到一个内部可
产生5 V基准电压源。功率MOSFET保护功能包括:
自举电容充电电流监控器,欠压调节器
监测,电动机引线短路到地,和热关断。
劳工处包是无铅版本( 100%雾锡可用
镀金引线框架) 。
绝对最大额定值
负载电源电压,V
BB
...................................50
V
VREG (瞬态) .............................................. 0.15
V
逻辑输入电压范围,V
IN
...–0.3
V到V
LCAP
+0.3 V
检测电压,V
SENSE
...........................
-5 V至1.5 V
销: SA , SB , SC ...................................
-5 V至50 V
销: GHA , GHB , GHC ..................
-5 V到V
BB
+ 17 V
销: CA , CB , CC ........................... SA / SB / SC
+ 17 V
工作温度范围
环境温度,T
A
.............–20°C
至+ 85°C
结温,T
J
............................+150°C
贮藏温度,T
S
..........–55°C
至+ 150°C
热阻抗(典型值) ,在T
A
= +25C;
在JEDEC标准的"High - K" PCB测
A3938EQ ,R
θJA
........................................37°C/W
A3938LD ,R
θJA
........................................38°C/W
A3938LQ ,R
θJA
........................................44°C/W
26301.104B
数据表
A3938EQ , 32引脚PLCC
A3938LQ , 36引脚QSOP
A3938LD ,采用38引脚TSSOP
特点
驱动宽范围的N沟道MOSFET
低侧同步整流器阳离子
功率MOSFET保护
可调节死区时间进行交叉CON-
duction保护
可选海岸或动态刹车
掉电或复位输入
快/慢电流衰减模式
内部PWM电流控制
电动机引线短路到地
保护
内部5 V稳压器
故障诊断输出
热关断
欠压保护
使用订货时以下完整型号:
产品型号
A3938SEQ
A3938SLQ
A3938SLD
A3938SLD-T
引脚
32
36
38
38
包
PLCC
QSOP
TSSOP
TSSOP ,无铅
26301.104B
三相功率MOSFET控制器
功能框图
(仅此图显示了三个输出之一)
A3938
数据表
故障
短到GND
TSD
外径
无效大厅
VREG欠压
VBB
A
+
VREG
调节器
+
10 uF的
CA
C
BOOT
0.1 uF的
0.1 uF的
LCAP
+
0.1 uF的
H1
电荷泵
H2
H3
PWM
控制
逻辑
高边
保护
逻辑
开启
延迟
高边
司机
GHA
C相
DIR
RESET
SA
刹车
VREG
模式
低端
保护
逻辑
RC
C
T
R
T
RC消隐
固定关断时间
开启
延迟
低端
司机
GLA
B相
SENSE
R
S
REF
VREG
DEAD
死区时间
调整
V
REG
UVLO
RESET
AGND
功率损耗
刹车
保护地
BRKCAP
+
4.7uF
BRKSEL
A
对于12 V应用, VBB必须短于VREG 。对于这种条件下,绝对
15 V于VREG最大额定值必须维持以防止损坏的A3938 。
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三相功率MOSFET控制器
电气特性
1,2
除非另有说明:T已
A
= 25 ° C,V
BB
= 18 V至50 V ,C
LCAP
= 0.1 μF ,C
BOOT
= 0.1 F,
C
VREG
= 10 F , PWM = 22.5千赫的方波,分两个阶段活性
特征
静态电流
LCAP稳压器
VREG = VBB电源电压范围
VREG输出电压
VREG负载调节
VREG行规
控制逻辑
逻辑输入电压
V
IN(1)
V
IN(0)
逻辑输入电流
栅极驱动器
低端驱动器,输出高
高边驱动器,输出高
拉开关电阻
下拉开关电阻
低端开关, 10/90上升时间
低端开关, 10/90下降时间
高侧开关, 10/90上升时间
高侧开关, 10/90下降时间
传播延迟; GHX ,瑞星在GLx
传播延迟; GHX ,坠落在GLx
死区时间,最大
死区时间,最小
V
HGL
V
HGH
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
tr
GL
tf
GL
tr
GH
tf
GH
T
pr
T
pf
t
DEAD
t
DEAD
I
gx
= 0
I
gx
= 0
I
gx
= -50毫安
I
gx
= 50毫安
C
负载
= 3300 pF的
C
负载
= 3300 pF的
C
负载
= 3300 pF的
C
负载
= 3300 pF的
PWM栅极驱动出来,C
负载
= 3300 pF的
PWM栅极驱动出来,C
负载
= 3300 pF的
V
DEAD
= 0 , GHX到在GLx ,C
负载
= 0
I
DEAD
= 780 μA ,在GLx到GHX ,C
负载
= 0
V
REG
– 0.8 V
REG
– 0.5
10.4
–
–
–
–
–
–
–
–
3.5
50
11.6
14
4
120
60
120
60
220
110
5.6
100
–
12.8
–
–
–
–
–
–
–
–
7.6
150
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
ns
I
IN(1)
I
IN(0)
最低高度为逻辑1
最大低电平为逻辑0
V
IN
= 2.0 V
V
IN
= 0.8 V
2.0
–
–30
–50
–
–
–
–
–
0.8
–90
–130
V
V
A
A
符号
I
VBB
V
LCAP
V
REG
V
REG
V
Regload
V
REGLIN
测试条件
RESET = 1 ,滑行模式,停止
I
LCAP
= ?? 3.0毫安
VREG = VBB ,观察最大额定值= 15 V
V
BB
= 13.2 V至18 V,I
VREG
= -10毫安
V
BB
= 18 V至50 V,I
VREG
= -10毫安
I
VREG
= -1 mA至-30毫安,海岸模式
I
VREG
= -10毫安,海岸模式
分钟。
–
4.75
10.8
–
12.4
–
–
典型值。
1
–
5
–
V
BB
– 2.5
13
25
40
马克斯。
8.0
5.25
13.2
–
13.6
–
–
单位
mA
V
V
V
V
mV
mV
A3938
数据表
续下页...
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3
26301.104B
三相功率MOSFET控制器
A3938
数据表
电气特性
1,2
(续)
除非另有说明:T已
A
= 25 ° C,V
BB
= 18 V至50 V ,C
LCAP
= 0.1 F,
C
BOOT
= 0.1 μF ,C
VREG
= 10 F , PWM = 22.5千赫的方波,分两个阶段活性
特征
自举电容
自举电容电压
引导
OUT
充电电流(源)
电流限制电路
输入失调电压
输入电流检测引脚
输入电流,参考引脚
空白时间
RC充电电流
RC电压阈值
保护电路
自举充电门限
接地短路,漏源监视器
VREG欠压阈值
FAULT输出电压
刹车电容电源电流
低侧栅极电压
热关断温度
热关断迟滞
1
符号
测试条件
分钟。
典型值。
1
马克斯。
单位
V
CX
R
CX
I
CX
I
cx
= 0, V
sx
= 0, V
REG
= 13 V
I
cx
= -50毫安
10.4
–
100
11.6
9
–
12.8
12
–
V
mA
V
IO
I
B
I
B
t
空白
I
RC
V
RCL
V
RCH
0 V& LT ; V
CMR
< 1.5 V
0 V& LT ; V
cm
, V
差异
< 1.5 V
0 V& LT ; V
cm
, V
差异
< 1.5 V
R = 56 kΩ的,C = 470 pF的
–
–
–
–
–0.9
1.0
2.7
–
–25
0
0.91
–1
1.1
3.0
±5
–
–
–
–1.1
1.2
3.3
mV
A
A
s
mA
V
V
I
cx
V
DSH
UVLO
V
OUT
I
刹车
V
GLBH
T
J
T
J
GHX导通,并在GLx熄灭,在我
cx
V
BB
– V
SX
高侧
V
REG
增加
V
REG
减少
I
OL
= 1毫安
V
BB
= 8 V , BRKSEL = 1
V
BB
= 0, BRKCAP = 8V
–
1.3
9.2
8.6
–
–
–
–
–
–9
2.0
9.7
9.1
–
30
6.6
165
10
–
2.7
10.2
9.6
0.5
–
–
–
–
mA
V
V
V
V
A
V
°C
°C
典型的数据是初步设计估算而已,并承担优化生产和应用条件。性能可能会有所不同
个别单位内的特定网络版最高和最低限额。
2
负电流去连接定义为传统的电流出来(从源)的特定网络版设备终端。
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4
26301.104B
三相功率MOSFET控制器
引脚说明
复位。
一个逻辑输入,使设备。有内部
50 kΩ的上拉至LCAP 。设置重置为1海岸或刹车
电动机,这取决于BRKSEL引脚的状态。设定
婷重置为0使栅极驱动跟着换向
化逻辑。设置重置为1覆盖制动销。
根据存储的设置BRKSEL电动机) 。
热关断(滑行电机) 。
电机引线( SA / SB / SC )连接到地(关闭
只有高侧功率MOSFET ) 。
只有“短路至接地”故障锁存,但它被清零
在每个换向。如果电机由于停滞于短期
对地被检测,触发RESET引脚或重复性
荷兰国际集团一上电顺序清除故障。
A3938
数据表
GLA / GLB / GLC 。
外部低侧栅极驱动输出
MOSFET驱动器。外部串联栅极电阻可用于
控制见过的功率驱动栅极压摆率,从而
控制
的di / dt
和
dv / dt的
的Sx的输出。
SA / SB / SC 。
直接连接到电机端子,
这些管脚感测上的电压在负载切换。该
引脚还连接到所述自举的负侧
电容器和用于负电源连接
oat-
ING高侧驱动器。
制动。
对于制动功能的逻辑输入。设置BRAKE
1导通的低侧MOSFET和关断高边
的MOSFET。这有效地短路的反电势的绕组
和刹车电机。内部50 kΩ的上拉至LCAP 。设定
婷复位为1覆盖此制动销。另请参阅BRKSEL 。
GHA / GHB / GHC 。
高边栅极驱动输出
N沟道MOSFET驱动器。外部串联栅极电阻
可用于控制看出在功率驱动器的压摆率
栅极,从而控制
的di / dt
和
dv / dt的
的Sx的输出。
BRKCAP 。
该引脚用于储存的连接
电容器用于提供所述电源的正极
灌电流驱动输出为休眠状态。这使得
可预测的制动,如果需要的话。使用4.7
F
电容将
在300毫秒内提供6.5 V门极驱动。如果掉电制动容量
荷兰国际集团是不需要的选项(即, BRKSEL = 0),则该引脚
应连接到VREG 。
CA / CB / CC 。
高侧连接的自举电容
器,提供正电源的高边栅极驱动器。该
自举电容充电到约VREG
输出Sx的端变为低电平时。当输出
摆动高点,这两个引脚上的电压升高与输出
提供所需的N沟道升压的栅极电压
功率MOSFET。
模式。
逻辑输入设置电流衰减模式。为了响应
一个PWM关闭命令,慢速衰减模式( MODE = 1 )
关闭高侧FET ,并快速衰减模式
( MODE = 0时)关闭高侧和低侧FET的。
有一个内部50 kΩ的上拉至LCAP 。
BRKSEL
.
逻辑输入以启用/禁用制动时
休眠状态或RESET = 1。内部50 kΩ上拉
到LCAP 。设置BRKSEL 0使海岸模式。环境
BRKSEL为1使制动方式。
PWM 。
速度控制输入端。 PWM设置为1开启
MOSFET的霍尔输入逻辑选择。 PWM设置为0
关闭选定的MOSFET 。不断举行的PWM输入
高利用内部电流控制电路。国内
50 kΩ的上拉至LCAP 。
H1/H2/H3.
霍尔传感器输入,内部50 kΩ的上拉
到LCAP 。 CON连接gured为120度电的间距。
RC 。
模拟输入。连接的R
T
和C
T
设置
迪尔。
逻辑输入到反转(见表Commu-
塔季翁真值表,下页) 。具有内部50 kΩ的
拉来LCAP 。
固定的关断时间。
T
还设置了空白时间(请参阅第
应用信息) 。它建议
固定的
关断时间应不小于10微秒。该电阻应为
在10千欧与500千欧之间的范围内。
VREG 。
稳压13 V电源的低侧栅极驱动器
和自举电容充电电路。作为监管机构,利用
一个10 μF去耦/储能电容( ESR < 1
)
由此
引脚与AGND之间,尽量靠近器件引脚越好。
注:对于12 V应用, VREG引脚应
短接到VBB 。
错。
开漏输出指示故障情况。将
对于任何的拉高(通常是5.1 kΩ的外部上拉)
下列故障情况:
无效的霍尔传感器输入码(滑行电机) 。
在VREG (海岸或刹车检测到欠压条件
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