数据表
26301.102b
3935
包装ED ， 44引脚PLCC
3相电源MOSFET控制器
- 针对汽车应用
该A3935是为汽车应用而专门设计的
需要大功率电机。每个提供了六个大电流栅极驱动
输出能够驱动多种n沟道功率MOSFET的。
汽车系统的要求是稳定运行超过一个
不同的电池输入范围。的A3935集成了一个脉冲频率
调制的升压转换器，以创建一个恒定的电源电压为
驱动外部MOSFET 。自举电容器被用来
提供所需的n沟道FET的上述电池电源电压。
通过6个TTL -相容的直接控制每个门的输出是可能的
IBLE投入。差分放大器集成，能实现高精度
电流在三相桥式测量。
包装JP ， 48引脚LQFP
包装LQ ， 36引脚SOIC
诊断输出可以被连续监控，以保护
从短到电池，短到电源，桥打开，电池驱动
欠压/过压条件。其他保护功能包括
死区时间， VDD欠压和热关断。
该A3935是三种封装可供选择， 44引脚
PLCC带铜质蝙蝠翼状片（后缀ED ） ， 48引脚薄型QFP
有裸露热焊盘（后缀JP） ，以及36引脚间距0.8mm SOIC
（后缀LQ ） 。
绝对最大额定值
负载电源电压VBAT ， VDRAIN ，
VBOOST ， BOOSTD ...
-0.6 V至40 V
输出电压范围，
GHA / GHB / GHC ，V
GHX
..
-4 V至55 V
SA / SB / SC ，V
SX
...............
-4 V至40 V
GLA / GLB / GLC ，V
GLX
....
-4 V至16 V
CA / CB / CC ，V
CX
..........
-0.6 V至55 V
检测电路电压，
CSP ， CSN ， LSS ...............
-4 V至6.5 V
逻辑电源电压，
V
DD
...........................
0.3 V至6.5 V
逻辑输入/输出和OVSET ，提升，
CSOUT ， VDSTH .........
0.3 V至6.5 V
工作温度范围，
T
A
...........................
-40 ° C至+ 135°C的
结温，T
J
...........
+150°C
存储温度范围，
T
S
...........................
-55 ° C至+ 150°C
*产生过大的故障条件
结温将激活设备
热关断电路。这些条件
可以忍受的，但应避免使用。
特点
!
驱动宽范围的N沟道MOSFET，在3相桥
!
PFM升压转换器，具有低电压电池供电的设备使用
!
内部LDO稳压器为门驱动器电源
!
高侧栅极驱动器自举电路
!
电流监视器输出
!
可调整电池过压检测。
!
诊断输出
电动机引线短路至电池，短路至地，
桥开路保护
!
欠压保护
!
-40 ° C至+150° C，T
J
手术
!
热关断
!
通过完整的部件号总是订货，例如，
A3935KLQ
.
3935
三相电源
MOSFET控制器
功能框图
见页8和9为终端分配和描述。
2
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
版权所有2003 Allegro MicroSystems公司
3935
三相电源
MOSFET控制器
A3935KED （ PLCC ）
A3935KLQ （ SOIC ）
*测量的“高K”根据JEDEC标准JESD51-7多层印刷电路板。
测量在连接到铜箔的一个典型的双面印刷电路板与功率片（端子1 ， 2 ，11，12 ，22，23 ，34，和35）的
的3.8平方英寸区（ 2452毫米
2
）在每一侧。请参阅应用笔记29501.5 ，
改善蝙蝠功耗，
为
附加信息。
www.allegromicro.com
3
3935
三相电源
MOSFET控制器
电气特性：
除非另有说明，在T
J
= -40 ° C至+ 150 ° C，V
BAT
= 7 V至16 V ，
V
DD
= 4.75 V至5.25 V ， ENABLE = 22.5千赫，占空比为50％ ，两阶段活动。
范围
特征
电源
V
DD
电源电流
V
BAT
电源电流
电池电压工作范围
自举二极管的正向电压
I
DD
I
BAT
V
BAT
V
DBOOT
I
DBOOT
= -I
cx
= 10 mA时， V
DBOOT
= V
REG
– V
CX
I
DBOOT
= -I
cx
= 100毫安
自举二极管电阻
自举二极管电流限制
引导静态电流
引导刷新时间
VREG输出电压
1
VREG电压差
2
栅极驱动的魅力。电源电流
VREG输入偏置电流
增加供应
V
BOOST
输出电压限制
V
BOOST
输出伏。极限回Hyst 。
升压开关导通电阻
马克斯。升压开关电流
升压电流限制门限伏。
OFF时间
消隐时间
V
BOOSTM
V
BOOSTM
r
DS （ ON）
I
BOOSTSW
V
BI （日）
t
关闭
t
空白
增V
提升
I
BOOSTD
< 300毫安
V
BAT
= 7 V
14.9
35
–
–
0.45
3.0
100
–
–
1.4
–
–
–
–
16.3
180
3.3
300
0.55
8.0
220
V
mV
mA
V
s
ns
r
DBOOT
I
DM
I
CX
t
刷新
V
REG
V
REGDO
I
REG
I
REGbias
r
D
（ 100 mA时） = [V
D
（150 mA）的 - V
D
（50 mA）的] / 100毫安
3 V < [V
REG
– V
CX
] < 12 V
V
CX
= 40 V ， GHX = ON
V
SX
=低保证
V
= + 0.5V刷新
0.47 μF引导帽在V
cx
– V
sx
= +10 V
V
BAT
= 7 V至40 V ，V
BOOST
从升压注册
V
REGDO
= V
BOOST
– V
REG
, I
REG
= 40毫安
在VREG ，C无需外部直流负载
REG
= 10 F
目前进入V
BOOST
， ENABLE = 0
所有逻辑输入= 0 V
所有逻辑输入= 0 V
–
–
7.0
0.8
1.5
2.5
-150
10
–
12.7
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.9
–
–
7.0
3.0
40
2.0
2.3
7.5
-1150
30
2.0
14
–
40
4.0
mA
mA
V
V
V
mA
A
s
V
V
mA
mA
符号
条件
民
典型值
最大
单位
注：典型的数据和典型特性仅作为设计信息。
负电流去连接定义为走出（采购）的特定网络版设备终端。
1.对于V
BOOSTM
＆ LT ; V
BOOST
在V < 40 V功率耗散
REG
LDO的增加。观察牛逼
J
< 150℃的限制。
2.用v
BOOST
减少漏失电压测量V
REG
= V
REGREF
- 200毫伏其中V
REG （参考）
= V
REG
在V
BOOST
= 16 V.
4
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
续下页...
3935
三相电源
MOSFET控制器
电气特性：
除非另有说明，在T
J
= -40 ° C至+ 150 ° C，V
BAT
= 7 V至16 V ，
V
DD
= 4.75 V至5.25 V ， ENABLE = 22.5千赫，占空比为50％ ，两阶段活动。
特征
控制逻辑
逻辑输入电压
逻辑输入电流
输入滞后
逻辑输出高电压
逻辑输出低电压
输出高电压
源电流（脉冲）
源导通电阻
V
I(1)
V
I(0)
I
I(1)
I
I(0)
V
HYS
V
O（高）
V
I（L）
V
DSL （H）的
I
xU
r
SDU（上）
I
O（高）
= -800 A
I
O（ L）
= 1.6毫安
GHX ：我
xU
= -10毫安，V
sx
= 0
在GLx ：我
xU
= -10毫安，V
LSS
= 0
V
SDU
= 10 V ，T
J
= 25 °C
V
SDU
= 10 V ，T
J
= 135 °C
I
xU
= -150毫安，T
J
= 25 °C
I
xU
= -150毫安，T
J
= 35 °C
门极驱动，在GLx （内部SINK或更低开关级）
灌电流（脉冲）
沉导通电阻
门极驱动， GHX ，在GLx （一般）
相漏电（来源）
传播延迟，逻辑只
输出偏移时间
死区时间（直通
预防）
I
Sx
t
pd
t
SK （ O）
t
DEAD
ENABLE = 0，V
Sx
= 1.7 V
逻辑输入来卸载GHX ，在GLx
通过边分组，相 - 相
GHX之间， GLX同相的转变
0
–
–
75
–
–
–
–
100
150
50
180
A
ns
ns
ns
I
xL
r
DSL （上）
V
DSL
= 10 V ，T
J
= 25 °C
V
DSL
= 10 V ，T
J
= 135 °C
I
xL
= 150毫安，T
J
= 25 °C
I
xL
= 150毫安，T
J
= 135 °C
–
550
1.8
3.0
850
–
–
–
–
–
6.0
7.5
mA
mA
最小输入高电平为逻辑“1”
最大低电平输入为逻辑“0 ”
V
I
= V
DD
V
I
= 0.8 V
2.0
–
–
50
100
V
DD
– 0.8
–
V
REG
– 2.26
V
REG
– 0.26
–
400
4.0
7.0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
800
–
–
–
–
0.8
500
–
300
–
0.4
V
REG
V
REG
–
–
10
15
V
V
A
A
mV
V
V
V
V
mA
mA
符号
条件
范围
民
典型值
最大
单位
门极驱动， GHX （内部源或上层交换机级）
注：典型的数据和典型特性仅作为设计信息。
负电流去连接定义为走出（采购）的特定网络版设备终端。
对于GH
X
: V
SDU
= V
CX
– V
GHX
, V
DSL
= V
GHX
– V
SX
, V
DSL （H）的
= V
CX
– V
SDU
– V
SX
.
对于GL
X
: V
SDU
= V
REG
– V
GLX
, V
DSL
= V
GLX
– V
LSS
, V
DSL （H）的
= V
REG
– V
SDU
– V
LSS 。
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5
数据表
26301.102b
3935
包装ED ， 44引脚PLCC
3相电源MOSFET控制器
- 针对汽车应用
该A3935是为汽车应用而专门设计的
需要大功率电机。每个提供了六个大电流栅极驱动
输出能够驱动多种n沟道功率MOSFET的。
汽车系统的要求是稳定运行超过一个
不同的电池输入范围。的A3935集成了一个脉冲频率
调制的升压转换器，以创建一个恒定的电源电压为
驱动外部MOSFET 。自举电容器被用来
提供所需的n沟道FET的上述电池电源电压。
通过6个TTL -相容的直接控制每个门的输出是可能的
IBLE投入。差分放大器集成，能实现高精度
电流在三相桥式测量。
包装JP ， 48引脚LQFP
包装LQ ， 36引脚SOIC
诊断输出可以被连续监控，以保护
从短到电池，短到电源，桥打开，电池驱动
欠压/过压条件。其他保护功能包括
死区时间， VDD欠压和热关断。
该A3935是三种封装可供选择， 44引脚
PLCC带铜质蝙蝠翼状片（后缀ED ） ， 48引脚薄型QFP
有裸露热焊盘（后缀JP） ，以及36引脚间距0.8mm SOIC
（后缀LQ ） 。
绝对最大额定值
负载电源电压VBAT ， VDRAIN ，
VBOOST ， BOOSTD ...
-0.6 V至40 V
输出电压范围，
GHA / GHB / GHC ，V
GHX
..
-4 V至55 V
SA / SB / SC ，V
SX
...............
-4 V至40 V
GLA / GLB / GLC ，V
GLX
....
-4 V至16 V
CA / CB / CC ，V
CX
..........
-0.6 V至55 V
检测电路电压，
CSP ， CSN ， LSS ...............
-4 V至6.5 V
逻辑电源电压，
V
DD
...........................
0.3 V至6.5 V
逻辑输入/输出和OVSET ，提升，
CSOUT ， VDSTH .........
0.3 V至6.5 V
工作温度范围，
T
A
...........................
-40 ° C至+ 135°C的
结温，T
J
...........
+150°C
存储温度范围，
T
S
...........................
-55 ° C至+ 150°C
*产生过大的故障条件
结温将激活设备
热关断电路。这些条件
可以忍受的，但应避免使用。
特点
!
驱动宽范围的N沟道MOSFET，在3相桥
!
PFM升压转换器，具有低电压电池供电的设备使用
!
内部LDO稳压器为门驱动器电源
!
高侧栅极驱动器自举电路
!
电流监视器输出
!
可调整电池过压检测。
!
诊断输出
电动机引线短路至电池，短路至地，
桥开路保护
!
欠压保护
!
-40 ° C至+150° C，T
J
手术
!
热关断
!
通过完整的部件号总是订货，例如，
A3935KLQ
.
3935
三相电源
MOSFET控制器
功能框图
见页8和9为终端分配和描述。
2
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
版权所有2003 Allegro MicroSystems公司
3935
三相电源
MOSFET控制器
A3935KED （ PLCC ）
A3935KLQ （ SOIC ）
*测量的“高K”根据JEDEC标准JESD51-7多层印刷电路板。
测量在连接到铜箔的一个典型的双面印刷电路板与功率片（端子1 ， 2 ，11，12 ，22，23 ，34，和35）的
的3.8平方英寸区（ 2452毫米
2
）在每一侧。请参阅应用笔记29501.5 ，
改善蝙蝠功耗，
为
附加信息。
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3
3935
三相电源
MOSFET控制器
电气特性：
除非另有说明，在T
J
= -40 ° C至+ 150 ° C，V
BAT
= 7 V至16 V ，
V
DD
= 4.75 V至5.25 V ， ENABLE = 22.5千赫，占空比为50％ ，两阶段活动。
范围
特征
电源
V
DD
电源电流
V
BAT
电源电流
电池电压工作范围
自举二极管的正向电压
I
DD
I
BAT
V
BAT
V
DBOOT
I
DBOOT
= -I
cx
= 10 mA时， V
DBOOT
= V
REG
– V
CX
I
DBOOT
= -I
cx
= 100毫安
自举二极管电阻
自举二极管电流限制
引导静态电流
引导刷新时间
VREG输出电压
1
VREG电压差
2
栅极驱动的魅力。电源电流
VREG输入偏置电流
增加供应
V
BOOST
输出电压限制
V
BOOST
输出伏。极限回Hyst 。
升压开关导通电阻
马克斯。升压开关电流
升压电流限制门限伏。
OFF时间
消隐时间
V
BOOSTM
V
BOOSTM
r
DS （ ON）
I
BOOSTSW
V
BI （日）
t
关闭
t
空白
增V
提升
I
BOOSTD
< 300毫安
V
BAT
= 7 V
14.9
35
–
–
0.45
3.0
100
–
–
1.4
–
–
–
–
16.3
180
3.3
300
0.55
8.0
220
V
mV
mA
V
s
ns
r
DBOOT
I
DM
I
CX
t
刷新
V
REG
V
REGDO
I
REG
I
REGbias
r
D
（ 100 mA时） = [V
D
（150 mA）的 - V
D
（50 mA）的] / 100毫安
3 V < [V
REG
– V
CX
] < 12 V
V
CX
= 40 V ， GHX = ON
V
SX
=低保证
V
= + 0.5V刷新
0.47 μF引导帽在V
cx
– V
sx
= +10 V
V
BAT
= 7 V至40 V ，V
BOOST
从升压注册
V
REGDO
= V
BOOST
– V
REG
, I
REG
= 40毫安
在VREG ，C无需外部直流负载
REG
= 10 F
目前进入V
BOOST
， ENABLE = 0
所有逻辑输入= 0 V
所有逻辑输入= 0 V
–
–
7.0
0.8
1.5
2.5
-150
10
–
12.7
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.9
–
–
7.0
3.0
40
2.0
2.3
7.5
-1150
30
2.0
14
–
40
4.0
mA
mA
V
V
V
mA
A
s
V
V
mA
mA
符号
条件
民
典型值
最大
单位
注：典型的数据和典型特性仅作为设计信息。
负电流去连接定义为走出（采购）的特定网络版设备终端。
1.对于V
BOOSTM
＆ LT ; V
BOOST
在V < 40 V功率耗散
REG
LDO的增加。观察牛逼
J
< 150℃的限制。
2.用v
BOOST
减少漏失电压测量V
REG
= V
REGREF
- 200毫伏其中V
REG （参考）
= V
REG
在V
BOOST
= 16 V.
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马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
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3935
三相电源
MOSFET控制器
电气特性：
除非另有说明，在T
J
= -40 ° C至+ 150 ° C，V
BAT
= 7 V至16 V ，
V
DD
= 4.75 V至5.25 V ， ENABLE = 22.5千赫，占空比为50％ ，两阶段活动。
特征
控制逻辑
逻辑输入电压
逻辑输入电流
输入滞后
逻辑输出高电压
逻辑输出低电压
输出高电压
源电流（脉冲）
源导通电阻
V
I(1)
V
I(0)
I
I(1)
I
I(0)
V
HYS
V
O（高）
V
I（L）
V
DSL （H）的
I
xU
r
SDU（上）
I
O（高）
= -800 A
I
O（ L）
= 1.6毫安
GHX ：我
xU
= -10毫安，V
sx
= 0
在GLx ：我
xU
= -10毫安，V
LSS
= 0
V
SDU
= 10 V ，T
J
= 25 °C
V
SDU
= 10 V ，T
J
= 135 °C
I
xU
= -150毫安，T
J
= 25 °C
I
xU
= -150毫安，T
J
= 35 °C
门极驱动，在GLx （内部SINK或更低开关级）
灌电流（脉冲）
沉导通电阻
门极驱动， GHX ，在GLx （一般）
相漏电（来源）
传播延迟，逻辑只
输出偏移时间
死区时间（直通
预防）
I
Sx
t
pd
t
SK （ O）
t
DEAD
ENABLE = 0，V
Sx
= 1.7 V
逻辑输入来卸载GHX ，在GLx
通过边分组，相 - 相
GHX之间， GLX同相的转变
0
–
–
75
–
–
–
–
100
150
50
180
A
ns
ns
ns
I
xL
r
DSL （上）
V
DSL
= 10 V ，T
J
= 25 °C
V
DSL
= 10 V ，T
J
= 135 °C
I
xL
= 150毫安，T
J
= 25 °C
I
xL
= 150毫安，T
J
= 135 °C
–
550
1.8
3.0
850
–
–
–
–
–
6.0
7.5
mA
mA
最小输入高电平为逻辑“1”
最大低电平输入为逻辑“0 ”
V
I
= V
DD
V
I
= 0.8 V
2.0
–
–
50
100
V
DD
– 0.8
–
V
REG
– 2.26
V
REG
– 0.26
–
400
4.0
7.0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
800
–
–
–
–
0.8
500
–
300
–
0.4
V
REG
V
REG
–
–
10
15
V
V
A
A
mV
V
V
V
V
mA
mA
符号
条件
范围
民
典型值
最大
单位
门极驱动， GHX （内部源或上层交换机级）
注：典型的数据和典型特性仅作为设计信息。
负电流去连接定义为走出（采购）的特定网络版设备终端。
对于GH
X
: V
SDU
= V
CX
– V
GHX
, V
DSL
= V
GHX
– V
SX
, V
DSL （H）的
= V
CX
– V
SDU
– V
SX
.
对于GL
X
: V
SDU
= V
REG
– V
GLX
, V
DSL
= V
GLX
– V
LSS
, V
DSL （H）的
= V
REG
– V
SDU
– V
LSS 。
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